METHODS OF MAKING A TEXTURED COATING FOR THIN- FILM SOLAR CELLS
Certain example embodiments of this invention relate to a front electrode for solar cell devices (e.g., amorphous silicon or a-Si solar cell devices), and/or methods of making the same. Advantageously, certain example embodiments include a front contact including a transparent conductive oxide layer...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Certain example embodiments of this invention relate to a front electrode for solar cell devices (e.g., amorphous silicon or a-Si solar cell devices), and/or methods of making the same. Advantageously, certain example embodiments include a front contact including a transparent conductive oxide layer of aluminum-doped zinc oxide. In certain example embodiments, the AZO-based layer is ion beam treated post-deposition in order to increase its surface energy and/or decrease its contact layer so as to make the layer less hydrophobic. In certain example embodiments, after ion beam treatment, a weak acid may be used to texture the layer of AZO. The reduced contact angle of the layer of AZO may improve its ability to be textured. A semiconductor may be provided over the textured layer of AZO. In certain example embodiments, the textured, ion beam-treated AZO may result in an improved front contact.
Certains modes de réalisation pour exemple de cette invention portent sur une électrode avant pour des dispositifs photopiles (par exemple des dispositifs photopiles au silicium amorphe ou à l'a-Si) et/ou sur ses procédés de fabrication. Avantageusement, certains modes de réalisation pour exemple comprennent un contact avant comprenant une couche d'oxyde conductrice transparente constituée d'oxyde de zinc dopé par de l'aluminium. Dans certains modes de réalisation pour exemple, la couche à base d'AZO est traitée par un faisceau d'électrons après dépôt afin d'augmenter son énergie de surface et/ou de diminuer sa couche de contact afin de rendre la couche moins hydrophobe. Dans certains modes de réalisation pour exemple, après traitement par un faisceau d'électrons, un acide faible peut être utilisé pour texturer la couche d'AZO. L'angle de contact réduit de la couche d'AZO peut améliorer son aptitude à être texturée. Un semi-conducteur peut être disposé sur la couche d'AZO texturée. Dans certains modes de réalisation pour exemple, l'AZO traité par un faisceau d'électrons et texturé peut permettre d'obtenir un contact avant amélioré. |
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