A METHOD OF MANUFACTERING A SOLAR CELL AND A SOLAR CELL

In the solar cell manufacture a diffusion resistance layer (22A) of electrically insulating material is provided onto the first side (11) of a semiconductor substrate (10), and patterned in accordance with a predefined pattern of selective emitter regions (30) to be applied into the semiconductor su...

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Hauptverfasser: HEUTS, PATRICK WILLEM HUBERT, LUCHIES, JOHANNES REINDER MARC, HERES, KLAAS
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator HEUTS, PATRICK WILLEM HUBERT
LUCHIES, JOHANNES REINDER MARC
HERES, KLAAS
description In the solar cell manufacture a diffusion resistance layer (22A) of electrically insulating material is provided onto the first side (11) of a semiconductor substrate (10), and patterned in accordance with a predefined pattern of selective emitter regions (30) to be applied into the semiconductor substrate; dopant species are provided into the semiconductor substrate (10) to form the selective emitter regions (30) comprising p-type charge carriers. Subsequently, selective dopant diffusion regions (31) are created through controlled diffusion of further dopant species through the diffusion resistance layer (22a), the selective emitter regions (30) and the diffusion regions (31) jointly operating as emitter. The diffusion resistance layer (22) will also extend into any through-hole (20) in the substrate(10). Selon l'invention, dans la fabrication d'une cellule solaire, une couche de résistance à la diffusion (22A) de matériau isolant électriquement est disposée sur le premier côté (11) d'un substrat semi-conducteur (10), et mise sous forme de motifs selon un motif prédéterminé de régions émettrices sélectives (30) devant être appliquées dans le substrat semi-conducteur ; des espèces dopantes sont disposées dans le substrat semi-conducteur (10) pour former les régions émettrices sélectives (30) comprenant des porteurs de charge de type p. Par la suite, des régions de diffusion de dopant sélectives (31) sont créées à travers une diffusion contrôlée d'autres espèces dopantes à travers la couche de résistance à la diffusion (22a), les régions émettrices sélectives (30) et les régions de diffusion (31) fonctionnant de manière conjointe en tant qu'émetteur. La couche de résistance à la diffusion (22) s'étendra également dans n'importe quel trou traversant (20) dans le substrat (10).
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Subsequently, selective dopant diffusion regions (31) are created through controlled diffusion of further dopant species through the diffusion resistance layer (22a), the selective emitter regions (30) and the diffusion regions (31) jointly operating as emitter. The diffusion resistance layer (22) will also extend into any through-hole (20) in the substrate(10). Selon l'invention, dans la fabrication d'une cellule solaire, une couche de résistance à la diffusion (22A) de matériau isolant électriquement est disposée sur le premier côté (11) d'un substrat semi-conducteur (10), et mise sous forme de motifs selon un motif prédéterminé de régions émettrices sélectives (30) devant être appliquées dans le substrat semi-conducteur ; des espèces dopantes sont disposées dans le substrat semi-conducteur (10) pour former les régions émettrices sélectives (30) comprenant des porteurs de charge de type p. Par la suite, des régions de diffusion de dopant sélectives (31) sont créées à travers une diffusion contrôlée d'autres espèces dopantes à travers la couche de résistance à la diffusion (22a), les régions émettrices sélectives (30) et les régions de diffusion (31) fonctionnant de manière conjointe en tant qu'émetteur. 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Subsequently, selective dopant diffusion regions (31) are created through controlled diffusion of further dopant species through the diffusion resistance layer (22a), the selective emitter regions (30) and the diffusion regions (31) jointly operating as emitter. The diffusion resistance layer (22) will also extend into any through-hole (20) in the substrate(10). Selon l'invention, dans la fabrication d'une cellule solaire, une couche de résistance à la diffusion (22A) de matériau isolant électriquement est disposée sur le premier côté (11) d'un substrat semi-conducteur (10), et mise sous forme de motifs selon un motif prédéterminé de régions émettrices sélectives (30) devant être appliquées dans le substrat semi-conducteur ; des espèces dopantes sont disposées dans le substrat semi-conducteur (10) pour former les régions émettrices sélectives (30) comprenant des porteurs de charge de type p. 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