SHALLOW TRENCH ISOLATION CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION
A polishing method includes polishing, in a first polish, a wafer to remove overburden and planarize a top layer leaving a portion remaining on an underlying layer. A second polishing step includes two phases. In a first phase, the top layer is removed and the underlying layer is exposed, with a top...
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| Format: | Patent |
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| description | A polishing method includes polishing, in a first polish, a wafer to remove overburden and planarize a top layer leaving a portion remaining on an underlying layer. A second polishing step includes two phases. In a first phase, the top layer is removed and the underlying layer is exposed, with a top layer to underlying layer selectivity of between about 1:1 to about 2:1 to provide a planar topography. In a second phase, residual portions of the top layer are removed from a top of the underlying layer to ensure complete exposure of an underlying layer surface.
La présente invention concerne un procédé de polissage, au cours d'un premier polissage, d'une tranche pour décaper et planariser une couche supérieure, laissant une partie à demeure sur une couche sous-jacente. Une seconde étape de polissage comprend deux phases. Au cours d'une première phase, la couche supérieure est éliminée et la couche sous-jacente est exposée, avec une sélectivité de la couche supérieure à la couche sous-jacente comprise entre environ 1:1 et environ 2:1 pour fournir une topographie planaire. Au cours d'une seconde phase, les parties résiduelles de la couche supérieure sont retirées d'une partie supérieure de la couche sous-jacente pour garantir une exposition complète d'une surface de couche sous-jacente. |
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La présente invention concerne un procédé de polissage, au cours d'un premier polissage, d'une tranche pour décaper et planariser une couche supérieure, laissant une partie à demeure sur une couche sous-jacente. Une seconde étape de polissage comprend deux phases. Au cours d'une première phase, la couche supérieure est éliminée et la couche sous-jacente est exposée, avec une sélectivité de la couche supérieure à la couche sous-jacente comprise entre environ 1:1 et environ 2:1 pour fournir une topographie planaire. Au cours d'une seconde phase, les parties résiduelles de la couche supérieure sont retirées d'une partie supérieure de la couche sous-jacente pour garantir une exposition complète d'une surface de couche sous-jacente.</description><language>eng ; fre</language><subject>ADHESIVES ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; DYES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; METALLURGY ; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS ; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS ; NATURAL RESINS ; PAINTS ; POLISHES ; POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SKI WAXES</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120802&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012102765A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25547,76298</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120802&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012102765A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>CUMMINGS, JASON, E</creatorcontrib><creatorcontrib>CHARNS, LESLIE</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMANAKA, TATSUYA</creatorcontrib><creatorcontrib>LOFARO, MICHAEL, F</creatorcontrib><creatorcontrib>NALASKOWSKI, JAKUB</creatorcontrib><creatorcontrib>NODA, MASAHIRO</creatorcontrib><creatorcontrib>HUPKA, LUKASZ, J</creatorcontrib><creatorcontrib>KRISHNAN, MAHADEVAIYER</creatorcontrib><creatorcontrib>KONNO, TOMOHISA</creatorcontrib><creatorcontrib>KOLI, DINESH, R</creatorcontrib><creatorcontrib>PENIGALAPATI, DINESH</creatorcontrib><title>SHALLOW TRENCH ISOLATION CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION</title><description>A polishing method includes polishing, in a first polish, a wafer to remove overburden and planarize a top layer leaving a portion remaining on an underlying layer. A second polishing step includes two phases. In a first phase, the top layer is removed and the underlying layer is exposed, with a top layer to underlying layer selectivity of between about 1:1 to about 2:1 to provide a planar topography. In a second phase, residual portions of the top layer are removed from a top of the underlying layer to ensure complete exposure of an underlying layer surface.
La présente invention concerne un procédé de polissage, au cours d'un premier polissage, d'une tranche pour décaper et planariser une couche supérieure, laissant une partie à demeure sur une couche sous-jacente. Une seconde étape de polissage comprend deux phases. Au cours d'une première phase, la couche supérieure est éliminée et la couche sous-jacente est exposée, avec une sélectivité de la couche supérieure à la couche sous-jacente comprise entre environ 1:1 et environ 2:1 pour fournir une topographie planaire. Au cours d'une seconde phase, les parties résiduelles de la couche supérieure sont retirées d'une partie supérieure de la couche sous-jacente pour garantir une exposition complète d'une surface de couche sous-jacente.</description><subject>ADHESIVES</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>DYES</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</subject><subject>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</subject><subject>NATURAL RESINS</subject><subject>PAINTS</subject><subject>POLISHES</subject><subject>POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SKI WAXES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAK9nD08fEPVwgJcvVz9lDwDPb3cQzx9PdTcPZw9fV0dvRR8HV19nD0AzMDfBz9HIM8o8AqeBhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfLi_kYGhkaGBkbmZqaOhMXGqAGjIKgw</recordid><startdate>20120802</startdate><enddate>20120802</enddate><creator>CUMMINGS, JASON, E</creator><creator>CHARNS, LESLIE</creator><creator>YAMANAKA, TATSUYA</creator><creator>LOFARO, MICHAEL, F</creator><creator>NALASKOWSKI, JAKUB</creator><creator>NODA, MASAHIRO</creator><creator>HUPKA, LUKASZ, J</creator><creator>KRISHNAN, MAHADEVAIYER</creator><creator>KONNO, TOMOHISA</creator><creator>KOLI, DINESH, R</creator><creator>PENIGALAPATI, DINESH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120802</creationdate><title>SHALLOW TRENCH ISOLATION CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION</title><author>CUMMINGS, JASON, E ; CHARNS, LESLIE ; YAMANAKA, TATSUYA ; LOFARO, MICHAEL, F ; NALASKOWSKI, JAKUB ; NODA, MASAHIRO ; HUPKA, LUKASZ, J ; KRISHNAN, MAHADEVAIYER ; KONNO, TOMOHISA ; KOLI, DINESH, R ; PENIGALAPATI, DINESH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2012102765A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2012</creationdate><topic>ADHESIVES</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>DYES</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</topic><topic>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</topic><topic>NATURAL RESINS</topic><topic>PAINTS</topic><topic>POLISHES</topic><topic>POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SKI WAXES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>CUMMINGS, JASON, E</creatorcontrib><creatorcontrib>CHARNS, LESLIE</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMANAKA, TATSUYA</creatorcontrib><creatorcontrib>LOFARO, MICHAEL, F</creatorcontrib><creatorcontrib>NALASKOWSKI, JAKUB</creatorcontrib><creatorcontrib>NODA, MASAHIRO</creatorcontrib><creatorcontrib>HUPKA, LUKASZ, J</creatorcontrib><creatorcontrib>KRISHNAN, MAHADEVAIYER</creatorcontrib><creatorcontrib>KONNO, TOMOHISA</creatorcontrib><creatorcontrib>KOLI, DINESH, R</creatorcontrib><creatorcontrib>PENIGALAPATI, DINESH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>CUMMINGS, JASON, E</au><au>CHARNS, LESLIE</au><au>YAMANAKA, TATSUYA</au><au>LOFARO, MICHAEL, F</au><au>NALASKOWSKI, JAKUB</au><au>NODA, MASAHIRO</au><au>HUPKA, LUKASZ, J</au><au>KRISHNAN, MAHADEVAIYER</au><au>KONNO, TOMOHISA</au><au>KOLI, DINESH, R</au><au>PENIGALAPATI, DINESH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SHALLOW TRENCH ISOLATION CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION</title><date>2012-08-02</date><risdate>2012</risdate><abstract>A polishing method includes polishing, in a first polish, a wafer to remove overburden and planarize a top layer leaving a portion remaining on an underlying layer. A second polishing step includes two phases. In a first phase, the top layer is removed and the underlying layer is exposed, with a top layer to underlying layer selectivity of between about 1:1 to about 2:1 to provide a planar topography. In a second phase, residual portions of the top layer are removed from a top of the underlying layer to ensure complete exposure of an underlying layer surface.
La présente invention concerne un procédé de polissage, au cours d'un premier polissage, d'une tranche pour décaper et planariser une couche supérieure, laissant une partie à demeure sur une couche sous-jacente. Une seconde étape de polissage comprend deux phases. Au cours d'une première phase, la couche supérieure est éliminée et la couche sous-jacente est exposée, avec une sélectivité de la couche supérieure à la couche sous-jacente comprise entre environ 1:1 et environ 2:1 pour fournir une topographie planaire. Au cours d'une seconde phase, les parties résiduelles de la couche supérieure sont retirées d'une partie supérieure de la couche sous-jacente pour garantir une exposition complète d'une surface de couche sous-jacente.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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