SILICON PHOTOELECTRIC MULTIPLIER WITH OPTICAL CROSS-TALK SUPPRESSION DUE TO SPECIAL PROPERTIES OF THE SUBSTRATE

A cell (1) for a silicon based photoelectric multiplier comprises a substrate (21) of a second conductivity type, a first layer (2) of a first conductivity type, a second layer (3) of a second conductivity type formed on the first layer (2), wherein the first layer (2) and the second layer (3) form a first p-n junction, and wherein the substrate (21) is configured such that in operation of the photoelectric multiplier from a quantity of light stemming from photons produced in the multiplier and propagating towards a backside or side walls of the multiplier a negligible portion returns to a frontside of the multiplier. Une cellule (1) pour un multiplicateur photoélectrique à base de silicium selon l'invention comprend un substrat (21) ayant un second type de conductivité, une première couche (2) ayant un premier type de conductivité, une seconde couche (3) ayant un second type de conductivité formée sur la première couche (2), la première couche (2) et la seconde couche (3) formant une première jonction p-n, et le substrat (21) étant configuré de telle sorte que lors du fonctionnement du multiplicateur photoélectrique, sur une quantité de lumière provenant de photons produits par un multiplicateur se propageant vers un côté arrière ou vers les parois latérales du multiplicateur, une partie négligeable revient vers un côté avant du multiplicateur.