PLASMA CVD APPARATUS
Provided is a plasma CVD apparatus, whereby a CVD film having excellent qualities can be formed by suppressing generation of flakes by preventing a raw material gas from forming an unnecessary film on a supply section. This plasma CVD apparatus is provided with: a vacuum chamber; a vacuum evacuation...
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| Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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| creator | TAMAGAKI, HIROSHI OKIMOTO, TADAO |
| description | Provided is a plasma CVD apparatus, whereby a CVD film having excellent qualities can be formed by suppressing generation of flakes by preventing a raw material gas from forming an unnecessary film on a supply section. This plasma CVD apparatus is provided with: a vacuum chamber; a vacuum evacuation apparatus, which brings the inside of the vacuum chamber into a vacuum state by releasing air therefrom; film-forming rolls, which are provided in the vacuum chamber and have a base material wound thereon; gas supply sections, which supply the raw material gas to the inside of the vacuum chamber; and a plasma power supply, which forms a plasma generating region in the vicinity of the surfaces of the film-forming rolls, and forms a film on the base material. The gas supply sections are provided in the non plasma generating regions that are positioned on the opposite side of the plasma generating region with the film-forming rolls therebetween.
L'invention concerne un appareil de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, un film de CVD présentant d'excellentes qualités pouvant être formé par suppression de la génération de flocons en empêchant une matière première gazeuse de former un film non nécessaire sur une section d'alimentation. Cet appareil de CVD assisté par plasma comporte : une chambre à vide ; un appareil de mise sous vide, qui amène l'intérieur de la chambre à vide dans un état sous vide par libération de l'air à partir de celle-ci ; des rouleaux de formation de film, qui sont disposés dans la chambre à vide et présentent un matériau de base enroulée sur ceux-ci ; des sections d'alimentation en gaz, qui alimentent l'intérieur de la chambre à vide en matière première gazeuse; et une alimentation de plasma, qui forme une région générant un plasma au voisinage des surfaces des rouleaux de formation de film, et forme un film sur le matériau de base. Les sections d'alimentation en gaz sont disposées dans les régions ne générant pas de plasma qui sont positionnées sur le côté opposé de la région générant un plasma, les rouleaux de formation de film étant situés entre elles. |
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L'invention concerne un appareil de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, un film de CVD présentant d'excellentes qualités pouvant être formé par suppression de la génération de flocons en empêchant une matière première gazeuse de former un film non nécessaire sur une section d'alimentation. Cet appareil de CVD assisté par plasma comporte : une chambre à vide ; un appareil de mise sous vide, qui amène l'intérieur de la chambre à vide dans un état sous vide par libération de l'air à partir de celle-ci ; des rouleaux de formation de film, qui sont disposés dans la chambre à vide et présentent un matériau de base enroulée sur ceux-ci ; des sections d'alimentation en gaz, qui alimentent l'intérieur de la chambre à vide en matière première gazeuse; et une alimentation de plasma, qui forme une région générant un plasma au voisinage des surfaces des rouleaux de formation de film, et forme un film sur le matériau de base. Les sections d'alimentation en gaz sont disposées dans les régions ne générant pas de plasma qui sont positionnées sur le côté opposé de la région générant un plasma, les rouleaux de formation de film étant situés entre elles.</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120503&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012056707A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120503&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012056707A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>TAMAGAKI, HIROSHI</creatorcontrib><creatorcontrib>OKIMOTO, TADAO</creatorcontrib><title>PLASMA CVD APPARATUS</title><description>Provided is a plasma CVD apparatus, whereby a CVD film having excellent qualities can be formed by suppressing generation of flakes by preventing a raw material gas from forming an unnecessary film on a supply section. This plasma CVD apparatus is provided with: a vacuum chamber; a vacuum evacuation apparatus, which brings the inside of the vacuum chamber into a vacuum state by releasing air therefrom; film-forming rolls, which are provided in the vacuum chamber and have a base material wound thereon; gas supply sections, which supply the raw material gas to the inside of the vacuum chamber; and a plasma power supply, which forms a plasma generating region in the vicinity of the surfaces of the film-forming rolls, and forms a film on the base material. The gas supply sections are provided in the non plasma generating regions that are positioned on the opposite side of the plasma generating region with the film-forming rolls therebetween.
L'invention concerne un appareil de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, un film de CVD présentant d'excellentes qualités pouvant être formé par suppression de la génération de flocons en empêchant une matière première gazeuse de former un film non nécessaire sur une section d'alimentation. Cet appareil de CVD assisté par plasma comporte : une chambre à vide ; un appareil de mise sous vide, qui amène l'intérieur de la chambre à vide dans un état sous vide par libération de l'air à partir de celle-ci ; des rouleaux de formation de film, qui sont disposés dans la chambre à vide et présentent un matériau de base enroulée sur ceux-ci ; des sections d'alimentation en gaz, qui alimentent l'intérieur de la chambre à vide en matière première gazeuse; et une alimentation de plasma, qui forme une région générant un plasma au voisinage des surfaces des rouleaux de formation de film, et forme un film sur le matériau de base. Les sections d'alimentation en gaz sont disposées dans les régions ne générant pas de plasma qui sont positionnées sur le côté opposé de la région générant un plasma, les rouleaux de formation de film étant situés entre elles.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBAJ8HEM9nVUcA5zUXAMCHAMcgwJDeZhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhkYGpmbmBuaOhsbEqQIA66sfcw</recordid><startdate>20120503</startdate><enddate>20120503</enddate><creator>TAMAGAKI, HIROSHI</creator><creator>OKIMOTO, TADAO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120503</creationdate><title>PLASMA CVD APPARATUS</title><author>TAMAGAKI, HIROSHI ; OKIMOTO, TADAO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2012056707A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2012</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>TAMAGAKI, HIROSHI</creatorcontrib><creatorcontrib>OKIMOTO, TADAO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>TAMAGAKI, HIROSHI</au><au>OKIMOTO, TADAO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PLASMA CVD APPARATUS</title><date>2012-05-03</date><risdate>2012</risdate><abstract>Provided is a plasma CVD apparatus, whereby a CVD film having excellent qualities can be formed by suppressing generation of flakes by preventing a raw material gas from forming an unnecessary film on a supply section. This plasma CVD apparatus is provided with: a vacuum chamber; a vacuum evacuation apparatus, which brings the inside of the vacuum chamber into a vacuum state by releasing air therefrom; film-forming rolls, which are provided in the vacuum chamber and have a base material wound thereon; gas supply sections, which supply the raw material gas to the inside of the vacuum chamber; and a plasma power supply, which forms a plasma generating region in the vicinity of the surfaces of the film-forming rolls, and forms a film on the base material. The gas supply sections are provided in the non plasma generating regions that are positioned on the opposite side of the plasma generating region with the film-forming rolls therebetween.
L'invention concerne un appareil de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, un film de CVD présentant d'excellentes qualités pouvant être formé par suppression de la génération de flocons en empêchant une matière première gazeuse de former un film non nécessaire sur une section d'alimentation. Cet appareil de CVD assisté par plasma comporte : une chambre à vide ; un appareil de mise sous vide, qui amène l'intérieur de la chambre à vide dans un état sous vide par libération de l'air à partir de celle-ci ; des rouleaux de formation de film, qui sont disposés dans la chambre à vide et présentent un matériau de base enroulée sur ceux-ci ; des sections d'alimentation en gaz, qui alimentent l'intérieur de la chambre à vide en matière première gazeuse; et une alimentation de plasma, qui forme une région générant un plasma au voisinage des surfaces des rouleaux de formation de film, et forme un film sur le matériau de base. Les sections d'alimentation en gaz sont disposées dans les régions ne générant pas de plasma qui sont positionnées sur le côté opposé de la région générant un plasma, les rouleaux de formation de film étant situés entre elles.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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