ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Provided are silicon-containing films with a refractive index suitable for antireflection, articles having a surface comprising the films, and atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition (AE-PECVD) processes for the formation of surface films and coatings. The processes generally...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | SAILER, ROBERT SRINIVASAN, GURUVENKET |
| description | Provided are silicon-containing films with a refractive index suitable for antireflection, articles having a surface comprising the films, and atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition (AE-PECVD) processes for the formation of surface films and coatings. The processes generally include providing a substrate, providing a precursor comprising silicon, and reacting the precursor with a gas comprising nitrogen (N2) in a low-temperature plasma at atmospheric pressure, wherein the products of the reacting form a film on the substrate. An antireflection coating made by the process can have a refractive index of about 1.5 to about 2.2. Articles are provided having a surface that includes the antireflection coating.
Cette invention concerne des pellicules contenant du silicium ayant un indice de réfraction adapté pour des propriétés antireflet, des articles ayant une surface comprenant lesdites pellicules, et des procédés de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (AE-PECVD) sous pression atmosphérique utilisés pour la formation de pellicules superficielles et de revêtements. Les procédés consistent généralement à fournir un substrat, un précurseur contenant du silicium, et à faire réagir le précurseur avec un gaz contenant de l'azote (N2) dans un plasma basse température à pression atmosphérique, les produits de réaction formant une pellicule sur le substrat. Le procédé de l'invention permet d'obtenir un revêtement antireflet d'un indice de réfraction d'environ 1,5 à environ 2,2. L'invention concerne également des articles dont la surface comprend le revêtement antireflet. |
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Cette invention concerne des pellicules contenant du silicium ayant un indice de réfraction adapté pour des propriétés antireflet, des articles ayant une surface comprenant lesdites pellicules, et des procédés de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (AE-PECVD) sous pression atmosphérique utilisés pour la formation de pellicules superficielles et de revêtements. Les procédés consistent généralement à fournir un substrat, un précurseur contenant du silicium, et à faire réagir le précurseur avec un gaz contenant de l'azote (N2) dans un plasma basse température à pression atmosphérique, les produits de réaction formant une pellicule sur le substrat. Le procédé de l'invention permet d'obtenir un revêtement antireflet d'un indice de réfraction d'environ 1,5 à environ 2,2. L'invention concerne également des articles dont la surface comprend le revêtement antireflet.</description><language>eng ; fre</language><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; PLASMA TECHNIQUE ; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS ; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120419&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012050869A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120419&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012050869A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SAILER, ROBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>SRINIVASAN, GURUVENKET</creatorcontrib><title>ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION</title><description>Provided are silicon-containing films with a refractive index suitable for antireflection, articles having a surface comprising the films, and atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition (AE-PECVD) processes for the formation of surface films and coatings. The processes generally include providing a substrate, providing a precursor comprising silicon, and reacting the precursor with a gas comprising nitrogen (N2) in a low-temperature plasma at atmospheric pressure, wherein the products of the reacting form a film on the substrate. An antireflection coating made by the process can have a refractive index of about 1.5 to about 2.2. Articles are provided having a surface that includes the antireflection coating.
Cette invention concerne des pellicules contenant du silicium ayant un indice de réfraction adapté pour des propriétés antireflet, des articles ayant une surface comprenant lesdites pellicules, et des procédés de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (AE-PECVD) sous pression atmosphérique utilisés pour la formation de pellicules superficielles et de revêtements. Les procédés consistent généralement à fournir un substrat, un précurseur contenant du silicium, et à faire réagir le précurseur avec un gaz contenant de l'azote (N2) dans un plasma basse température à pression atmosphérique, les produits de réaction formant une pellicule sur le substrat. Le procédé de l'invention permet d'obtenir un revêtement antireflet d'un indice de réfraction d'environ 1,5 à environ 2,2. L'invention concerne également des articles dont la surface comprend le revêtement antireflet.</description><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>PLASMA TECHNIQUE</subject><subject>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</subject><subject>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLBzDPH1Dw7wcA3ydNYNCHINDg4NclUI8HEM9nXUdfXzcPRzdnVRcPZw9fV0dvRRCHMM8A9ScHEN8A_2DPH09-NhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhkYGpgYWZpaOhsbEqQIAKnkrWQ</recordid><startdate>20120419</startdate><enddate>20120419</enddate><creator>SAILER, ROBERT</creator><creator>SRINIVASAN, GURUVENKET</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120419</creationdate><title>ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION</title><author>SAILER, ROBERT ; SRINIVASAN, GURUVENKET</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2012050869A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2012</creationdate><topic>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>PLASMA TECHNIQUE</topic><topic>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</topic><topic>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SAILER, ROBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>SRINIVASAN, GURUVENKET</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SAILER, ROBERT</au><au>SRINIVASAN, GURUVENKET</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>ATMOSPHERIC-PRESSURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION</title><date>2012-04-19</date><risdate>2012</risdate><abstract>Provided are silicon-containing films with a refractive index suitable for antireflection, articles having a surface comprising the films, and atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition (AE-PECVD) processes for the formation of surface films and coatings. The processes generally include providing a substrate, providing a precursor comprising silicon, and reacting the precursor with a gas comprising nitrogen (N2) in a low-temperature plasma at atmospheric pressure, wherein the products of the reacting form a film on the substrate. An antireflection coating made by the process can have a refractive index of about 1.5 to about 2.2. Articles are provided having a surface that includes the antireflection coating.
Cette invention concerne des pellicules contenant du silicium ayant un indice de réfraction adapté pour des propriétés antireflet, des articles ayant une surface comprenant lesdites pellicules, et des procédés de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (AE-PECVD) sous pression atmosphérique utilisés pour la formation de pellicules superficielles et de revêtements. Les procédés consistent généralement à fournir un substrat, un précurseur contenant du silicium, et à faire réagir le précurseur avec un gaz contenant de l'azote (N2) dans un plasma basse température à pression atmosphérique, les produits de réaction formant une pellicule sur le substrat. Le procédé de l'invention permet d'obtenir un revêtement antireflet d'un indice de réfraction d'environ 1,5 à environ 2,2. L'invention concerne également des articles dont la surface comprend le revêtement antireflet.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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