METHOD FOR THE GALVANIC GENERATION OF CONTACT STRUCTURES ON WAFERS FOR THE PRODUCTION OF SOLAR CELLS AND MODULES

Es wird ein Verfahren zur galvanischen Erzeugung von Kontaktstrukturen auf Wafern für die Produktion von Solarzellen und Modulen offenbart. Auf Wafern mit bereits aufgebrachter Rückseitenmetallisierung und mit Rückseitenkontakten, sowie geöffneten Flächen für die Kontaktstrukturen in der Antireflexions- und Passivierungsschicht der Vorderseite erfolgt eine Abdeckung der Rückseite. In den nachfolgenden galvanischen Schritten zur Erzeugung der Kontaktstrukturen auf der Vorderseite sind so die Rückseitenkontakte geschützt und werden nicht während des galvanischen Prozesses angegriffen. The invention relates to a method for the galvanic generation of contact structures on wafers for the production of solar cells and modules. The back sides are covered on wafers to which back metallization has already been applied and which have back contacts as well as opened surfaces for the contact structures in the anti-reflection and passivation layer of the front side. In the subsequent galvanic steps for generating the contact structures on the front side, the back side contacts are thus protected and are not subjected to attacks during the galvanic process. L'invention concerne un procédé de production galvanique de structures de contact sur des plaquettes pour la production de cellules solaires et de modules. Selon ce procédé, on recouvre la face arrière de plaquettes comportant déjà une métallisation et des contacts ainsi que des surfaces ouvertes pour les structures de contact dans la couche antiréfléchissante et dans la couche de passivation de la face avant. Au cours des étapes galvaniques suivantes destinées à produire les structures de contact sur la face avant, les contacts de la face arrière sont ainsi protégés et ne sont pas attaqués lors du processus galvanique.