EUV MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH A HEAT LIGHT SOURCE
The invention relates to an EUV microlithography projection exposure apparatus having an exposure light source for producing radiation in a first spectral range from 5 nm - 15 nm a heat light source for producing radiation in a second spectral range from 1 -50 µm. The apparatus furthermore comprises...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | FIOLKA, DAMIAN |
| description | The invention relates to an EUV microlithography projection exposure apparatus having an exposure light source for producing radiation in a first spectral range from 5 nm - 15 nm a heat light source for producing radiation in a second spectral range from 1 -50 µm. The apparatus furthermore comprises an optical system having a first group of mirrors for guiding radiation from the first spectral range along a light path such that each mirror in the first group can have a first associated intensity distribution applied to it in the first spectral range during operation of the exposure light source. In this case, the heat light source is arranged such that at least one mirror in the first group can have a second associated intensity distribution in the second spectral range applied to it during operation of the heat light source, wherein the first intensity distribution differs from the second intensity distribution essentially by a position-independent factor.
L'invention porte sur un appareil d'exposition par projection pour microlithographie à ultraviolet extrême, lequel appareil a une source de lumière d'exposition pour produire un rayonnement dans une première plage spectrale de 5 nm à 15 nm, et une source de lumière de chaleur pour produire un rayonnement dans une seconde plage spectrale de 1 à 50 µm. L'appareil comprend en outre un système optique ayant un premier groupe de miroirs pour guider un rayonnement à partir de la première plage spectrale le long d'une trajectoire de lumière, de telle sorte que chaque miroir dans le premier groupe peut avoir une première distribution d'intensité associée appliquée à celui-ci dans la première plage spectrale pendant le fonctionnement de la source de lumière d'exposition. Dans ce cas, la source de lumière de chaleur est configurée de telle sorte qu'au moins un miroir dans le premier groupe peut avoir une seconde distribution d'intensité associée dans la seconde plage spectrale appliquée à celui-ci pendant le fonctionnement de la source de lumière de chaleur, la première distribution d'intensité différant de la seconde distribution d'intensité essentiellement d'un facteur indépendant de la position. |
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L'invention porte sur un appareil d'exposition par projection pour microlithographie à ultraviolet extrême, lequel appareil a une source de lumière d'exposition pour produire un rayonnement dans une première plage spectrale de 5 nm à 15 nm, et une source de lumière de chaleur pour produire un rayonnement dans une seconde plage spectrale de 1 à 50 µm. L'appareil comprend en outre un système optique ayant un premier groupe de miroirs pour guider un rayonnement à partir de la première plage spectrale le long d'une trajectoire de lumière, de telle sorte que chaque miroir dans le premier groupe peut avoir une première distribution d'intensité associée appliquée à celui-ci dans la première plage spectrale pendant le fonctionnement de la source de lumière d'exposition. Dans ce cas, la source de lumière de chaleur est configurée de telle sorte qu'au moins un miroir dans le premier groupe peut avoir une seconde distribution d'intensité associée dans la seconde plage spectrale appliquée à celui-ci pendant le fonctionnement de la source de lumière de chaleur, la première distribution d'intensité différant de la seconde distribution d'intensité essentiellement d'un facteur indépendant de la position.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120329&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012038239A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76418</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120329&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2012038239A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>FIOLKA, DAMIAN</creatorcontrib><title>EUV MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH A HEAT LIGHT SOURCE</title><description>The invention relates to an EUV microlithography projection exposure apparatus having an exposure light source for producing radiation in a first spectral range from 5 nm - 15 nm a heat light source for producing radiation in a second spectral range from 1 -50 µm. The apparatus furthermore comprises an optical system having a first group of mirrors for guiding radiation from the first spectral range along a light path such that each mirror in the first group can have a first associated intensity distribution applied to it in the first spectral range during operation of the exposure light source. In this case, the heat light source is arranged such that at least one mirror in the first group can have a second associated intensity distribution in the second spectral range applied to it during operation of the heat light source, wherein the first intensity distribution differs from the second intensity distribution essentially by a position-independent factor.
L'invention porte sur un appareil d'exposition par projection pour microlithographie à ultraviolet extrême, lequel appareil a une source de lumière d'exposition pour produire un rayonnement dans une première plage spectrale de 5 nm à 15 nm, et une source de lumière de chaleur pour produire un rayonnement dans une seconde plage spectrale de 1 à 50 µm. L'appareil comprend en outre un système optique ayant un premier groupe de miroirs pour guider un rayonnement à partir de la première plage spectrale le long d'une trajectoire de lumière, de telle sorte que chaque miroir dans le premier groupe peut avoir une première distribution d'intensité associée appliquée à celui-ci dans la première plage spectrale pendant le fonctionnement de la source de lumière d'exposition. Dans ce cas, la source de lumière de chaleur est configurée de telle sorte qu'au moins un miroir dans le premier groupe peut avoir une seconde distribution d'intensité associée dans la seconde plage spectrale appliquée à celui-ci pendant le fonctionnement de la source de lumière de chaleur, la première distribution d'intensité différant de la seconde distribution d'intensité essentiellement d'un facteur indépendant de la position.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyrEKwjAQANAsDqL-w4Gz0CaLjkc4m2j1wjVpdSpF4iRaqP-PDn6A01veXB0ptXDyVrj20XElGNwVgvCBbPR8BroEbpIQYAgoGFMD3XcCgiOMUPvKRWg4iaWlmt2Hx5RXPxdqvado3SaPrz5P43DLz_zuO9ZFqQuz1WaHpflvfQCHsS8E</recordid><startdate>20120329</startdate><enddate>20120329</enddate><creator>FIOLKA, DAMIAN</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120329</creationdate><title>EUV MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH A HEAT LIGHT SOURCE</title><author>FIOLKA, DAMIAN</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2012038239A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2012</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>FIOLKA, DAMIAN</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>FIOLKA, DAMIAN</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>EUV MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH A HEAT LIGHT SOURCE</title><date>2012-03-29</date><risdate>2012</risdate><abstract>The invention relates to an EUV microlithography projection exposure apparatus having an exposure light source for producing radiation in a first spectral range from 5 nm - 15 nm a heat light source for producing radiation in a second spectral range from 1 -50 µm. The apparatus furthermore comprises an optical system having a first group of mirrors for guiding radiation from the first spectral range along a light path such that each mirror in the first group can have a first associated intensity distribution applied to it in the first spectral range during operation of the exposure light source. In this case, the heat light source is arranged such that at least one mirror in the first group can have a second associated intensity distribution in the second spectral range applied to it during operation of the heat light source, wherein the first intensity distribution differs from the second intensity distribution essentially by a position-independent factor.
L'invention porte sur un appareil d'exposition par projection pour microlithographie à ultraviolet extrême, lequel appareil a une source de lumière d'exposition pour produire un rayonnement dans une première plage spectrale de 5 nm à 15 nm, et une source de lumière de chaleur pour produire un rayonnement dans une seconde plage spectrale de 1 à 50 µm. L'appareil comprend en outre un système optique ayant un premier groupe de miroirs pour guider un rayonnement à partir de la première plage spectrale le long d'une trajectoire de lumière, de telle sorte que chaque miroir dans le premier groupe peut avoir une première distribution d'intensité associée appliquée à celui-ci dans la première plage spectrale pendant le fonctionnement de la source de lumière d'exposition. Dans ce cas, la source de lumière de chaleur est configurée de telle sorte qu'au moins un miroir dans le premier groupe peut avoir une seconde distribution d'intensité associée dans la seconde plage spectrale appliquée à celui-ci pendant le fonctionnement de la source de lumière de chaleur, la première distribution d'intensité différant de la seconde distribution d'intensité essentiellement d'un facteur indépendant de la position.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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