TRANSFER CHAMBER METROLOGY FOR IMPROVED DEVICE YIELD

Apparatus and method for control of epitaxial growth parameters, for example during manufacture of light emitting diodes (LEDs). Embodiments include PL measurement of a group III-V film following growth while a substrate at an elevated temperature is in a transfer chamber of a multi-chamber cluster tool. In other embodiments, a film thickness measurement, a contactless resistivity measurement, and a particle and/or roughness measure is performed while the substrate is disposed in the transfer chamber. One or more of the measurements performed in the transfer chamber are temperature corrected to room temperature by estimating the elevated temperature based on emission from a GaN base layer disposed below the group II?-V film. In other embodiments, temperature correction is based on an absorbance band edge of the GaN base layer determined from collected white light reflectance spectra. Temperature corrected metrology is then used to control growth processes. La présente invention concerne un appareil et un procédé de commande des paramètres de croissance épitaxiale, par exemple pendant la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL). Des modes de réalisation consistent en une mesure en PL d'une croissance suivante d'un film du groupe III-V tandis qu'un substrat à une température élevée se situe dans une chambre de transfert d'un outil pour agrégats à chambres multiples. Dans d'autres modes de réalisation, une mesure de l'épaisseur du film, une mesure de la résistivité sans contact, et une mesure de particule et/ou de rugosité est effectuée pendant que le substrat est disposé dans la chambre de transfert. Au moins une mesure effectuée dans la chambre de transfert est soumise à une correction de température pour atteindre la température ambiante par estimation de la température élevée en fonction d'une émission provenant d'une couche de base de GaN disposée sous le film du groupe II?-V. Dans d'autres modes de réalisation, la correction de température est basée sur une limite de bande d'absorbance de la couche de base de GaN déterminée à partir des spectres de réflectance de lumière blanche captée. Une métrologie à correction de température est alors utilisée pour commander les processus de croissance.