SPUTTERING APPARATUS

A sputtering apparatus (1) for forming a thin film on a substrate (S) disposed in a film-forming space (2S) is provided with: a plurality of targets (13A to 13C); and shutter mechanisms (M) which are disposed between the targets (13A to 13C) and the film-forming space (2S) and have openings (22) that expose a selected target to the film-forming space (2S). The shutter mechanisms (M) are provided with injection control units (30A to 30C) that control the number of sputtering particles released from the selected target toward a substrate outer peripheral section (S2). The plurality of injection control units have a plurality of shielding levels with respect to the sputtering particles. An injection control unit that is suitable for the selected target is used from among the plurality of injection control units in accordance with the film thickness distribution when the selected target that is exposed to the film-forming space (2S) is individually sputtered. L'invention concerne un appareil de pulvérisation cathodique (1) pour former un film mince sur un substrat (S) disposé dans un espace (2S) de formation de film. Cet appareil comporte plusieurs cibles (13A à 13C) ; et des mécanismes d'obturation (M) qui sont disposés entre les cibles (13A à 13C) et l'espace (2S) de formation de film et ont des ouvertures (22) qui exposent une cible choisie à l'espace (2S) de formation de film. Les mécanismes d'obturation (M) comportent des unités de commande d'injection (30A à 30C) qui commandent le nombre de particules de pulvérisation cathodique libérées à partir de la cible choisie vers une section périphérique externe (S2) du substrat. Les différentes unités de commande d'injection ont différents niveaux de protection par rapport aux particules de pulvérisation cathodique. Une unité de commande d'injection qui est appropriée pour la cible choisie est utilisée parmi les différentes unités de commande d'injection conformément à la distribution d'épaisseur du film quand la cible choisie qui est exposée à l'espace (2S) de formation de film est soumise à une pulvérisation cathodique individuelle.