CONDUCTIVE SIDEWALL FOR MICROBUMPS

Electromigration in microbump connections causes voids in the microbumps, which reduces the lifetime of an integrated circuit containing the microbump. Electromigration lifetime may be increased in microbumps by forming a copper or nickel shell around the solder. The copper shell (220, 408) of one microbump contacts the copper shell (234) of a second microbump to enclose the solder (222) of the microbump connection. The copper shell (220 & 234) allows higher current densities through the microbump. Thus, smaller microbumps may be manufactured on a smaller pitch without suffering failure from electromigration. Additionally, the copper shell reduces shorting or bridging between microbump connections on a substrate (202, 230). Increased connection densities between two dies (202,230)or between a die and a packaging substrate are therefore possible. L'électromigration dans les connexions à microbosses provoque des manques dans les microbosses réduisant la durée de vie d'un circuit intégré contenant la microbosse. La durée de vie de l'électromigration peut être augmentée dans les microbosses par la formation d'une coque de cuivre autour de la brasure tendre. La coque de cuivre d'une microbosse est en contact avec la coque de cuivre d'une seconde microbosse pour entourer la brasure tendre de la connexion à microbosse. La coque de cuivre autorise des densités de courant plus importantes à travers la microbosse. Ainsi, de plus petites microbosses peuvent être fabriquées sur un pas plus petit sans subir de défaillance provenant de l'électromigration. En plus, la coque de cuivre réduit le court-circuit ou le pontage entre les connexions à microbosses sur un substrat.