METAL CONTACT SCHEME FOR SOLAR CELLS

A method of forming point metal electrical contacts to a semiconductor surface of a semiconductor device is provided. In a first step a first metal layer is formed over the semiconductor surface. The first metal layer is then anodised to create a porous metal-oxide layer formed over the semiconductor surface. The pores in the porous metal-oxide layer will thus form an array of openings in the porous metal-oxide layer. A contact metal layer is then formed over the porous metal-oxide layer such that parts of the contact metal layer extend into openings of the array of openings. The contact metal layer electrically contacts the semiconductor surface through the array of openings in the porous metal-oxide layer. A dielectric layer may optionally be formed over the semiconductor surface and the porous metal-oxide layer the formed over the dielectric layer and the contact metal then contacts the semiconductor surface through the dielectric layer. L'invention concerne un procédé de formation des contacts électriques métalliques ponctuels sur la surface du semiconducteur d'un dispositif semiconducteur. Dans une première étape, une première couche métallique est formée sur la surface du semiconducteur. La première couche métallique est ensuite anodisée pour créer une couche métal-oxyde poreuse formée sur la surface du semiconducteur. Les pores de la couche métal-oxyde poreuse forment donc un réseau d'ouvertures dans la couche métal-oxyde poreuse. Une couche métallique de contact est ensuite formée sur la couche métal-oxyde poreuse de telle sorte que des parties de la couche métallique de contact s'étendent dans des ouvertures du réseau d'ouvertures. La couche métallique de contact établit un contact électrique avec la surface du semiconducteur au travers du réseau d'ouvertures dans la couche métal-oxyde poreuse. Une couche diélectrique peut optionnellement être formée sur la surface du semiconducteur, la couche métal-oxyde poreuse étant ensuite formée sur la couche diélectrique et le métal de contact établissant les contacts avec la surface du semiconducteur au travers de la couche diélectrique.