NANOWIRE TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING A NANOWIRE TRANSISTOR

According to embodiments of the present invention, a nanowire transistor is provided. The nanowire transistor includes a carrier; a vertical nanowire structure extending from the carrier, the vertical nanowire structure comprising a channel region, and the vertical nanowire structure being made of the same material as the carrier; a gate insulator region covering at least a portion of the vertical nanowire structure; and at least one gate region covering at least a portion of the gate insulator region. In various embodiments, there is no doped junction between the channel region and the source/drain regions of the nanowire transistor. La présente invention concerne un transistor à nanofils qui comprend un support, une structure de nanofils verticaux s'étendant depuis le support, ladite structure comprenant une région de canal et étant constituée du même matériau que le support, une région d'isolant de grille recouvrant au moins une partie de la structure de nanofils verticaux, et au moins une région de grille recouvrant au moins une partie de la région d'isolant de grille. Dans divers modes de réalisation, il n'y a pas de jonction dopée entre la région de canal et les régions de source/drain du transistor à nanofils.