LINEAR BATCH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
Described is a linear batch CVD system that includes a deposition chamber, one or more substrate carriers, gas injectors and a heating system. Each substrate carrier is disposed in the deposition chamber and has at least one receptacle configured to receive a substrate. The substrate carriers are co...
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| Format: | Patent |
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| creator | SFERLAZZO, PIERO |
| description | Described is a linear batch CVD system that includes a deposition chamber, one or more substrate carriers, gas injectors and a heating system. Each substrate carrier is disposed in the deposition chamber and has at least one receptacle configured to receive a substrate. The substrate carriers are configured to hold substrates in a linear configuration. Each gas injector includes a port configured to supply a gas in a uniform distribution across one or more of the substrates. The heating system includes at least one heating element and a heating control module for uniformly controlling a temperature of the substrates. The system is suitable for high volume CVD processing of substrates. The narrow width of the deposition chamber enables a uniform distribution of precursor gases across the substrates along the length of the reaction chamber and permits a greater number of substrates to be processed in comparison to conventional deposition chambers.
L'invention porte sur un système de CVD discontinu linéaire qui comprend une chambre de dépôt, un ou plusieurs supports de substrat, des injecteurs de gaz et un système de chauffage. Chaque support de substrat est disposé dans la chambre de dépôt et comprend au moins un contenant conçu pour recevoir un substrat. Les supports de substrat sont conçus pour porter des substrats en une configuration linéaire. Chaque injecteur de gaz comprend un orifice conçu pour apporter un gaz selon une distribution uniforme vers l'ensemble d'un ou plusieurs des substrats. Le système de chauffage comprend au moins un élément chauffant et un module de régulation de chauffage servant à réguler uniformément une température des substrats. Le système est approprié pour le traitement par CVD de substrats en un volume élevé. La largeur étroite de la chambre de dépôt permet une distribution uniforme de gaz précurseurs sur l'ensemble des substrats le long de la longueur de la chambre de réaction et permet de traiter un plus grand nombre de substrats par comparaison avec des chambres de dépôt classiques. |
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L'invention porte sur un système de CVD discontinu linéaire qui comprend une chambre de dépôt, un ou plusieurs supports de substrat, des injecteurs de gaz et un système de chauffage. Chaque support de substrat est disposé dans la chambre de dépôt et comprend au moins un contenant conçu pour recevoir un substrat. Les supports de substrat sont conçus pour porter des substrats en une configuration linéaire. Chaque injecteur de gaz comprend un orifice conçu pour apporter un gaz selon une distribution uniforme vers l'ensemble d'un ou plusieurs des substrats. Le système de chauffage comprend au moins un élément chauffant et un module de régulation de chauffage servant à réguler uniformément une température des substrats. Le système est approprié pour le traitement par CVD de substrats en un volume élevé. La largeur étroite de la chambre de dépôt permet une distribution uniforme de gaz précurseurs sur l'ensemble des substrats le long de la longueur de la chambre de réaction et permet de traiter un plus grand nombre de substrats par comparaison avec des chambres de dépôt classiques.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20111201&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2011149678A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20111201&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2011149678A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SFERLAZZO, PIERO</creatorcontrib><title>LINEAR BATCH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM</title><description>Described is a linear batch CVD system that includes a deposition chamber, one or more substrate carriers, gas injectors and a heating system. Each substrate carrier is disposed in the deposition chamber and has at least one receptacle configured to receive a substrate. The substrate carriers are configured to hold substrates in a linear configuration. Each gas injector includes a port configured to supply a gas in a uniform distribution across one or more of the substrates. The heating system includes at least one heating element and a heating control module for uniformly controlling a temperature of the substrates. The system is suitable for high volume CVD processing of substrates. The narrow width of the deposition chamber enables a uniform distribution of precursor gases across the substrates along the length of the reaction chamber and permits a greater number of substrates to be processed in comparison to conventional deposition chambers.
L'invention porte sur un système de CVD discontinu linéaire qui comprend une chambre de dépôt, un ou plusieurs supports de substrat, des injecteurs de gaz et un système de chauffage. Chaque support de substrat est disposé dans la chambre de dépôt et comprend au moins un contenant conçu pour recevoir un substrat. Les supports de substrat sont conçus pour porter des substrats en une configuration linéaire. Chaque injecteur de gaz comprend un orifice conçu pour apporter un gaz selon une distribution uniforme vers l'ensemble d'un ou plusieurs des substrats. Le système de chauffage comprend au moins un élément chauffant et un module de régulation de chauffage servant à réguler uniformément une température des substrats. Le système est approprié pour le traitement par CVD de substrats en un volume élevé. La largeur étroite de la chambre de dépôt permet une distribution uniforme de gaz précurseurs sur l'ensemble des substrats le long de la longueur de la chambre de réaction et permet de traiter un plus grand nombre de substrats par comparaison avec des chambres de dépôt classiques.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZND18fRzdQxScHIMcfZQcPZw9fV0dvRRCHMM8A9ScHEN8A_2DPH091MIjgwOcfXlYWBNS8wpTuWF0twMym6uQI26qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhoaGJpZm5haORsbEqQIATg8mcg</recordid><startdate>20111201</startdate><enddate>20111201</enddate><creator>SFERLAZZO, PIERO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20111201</creationdate><title>LINEAR BATCH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM</title><author>SFERLAZZO, PIERO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2011149678A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2011</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SFERLAZZO, PIERO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SFERLAZZO, PIERO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>LINEAR BATCH CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM</title><date>2011-12-01</date><risdate>2011</risdate><abstract>Described is a linear batch CVD system that includes a deposition chamber, one or more substrate carriers, gas injectors and a heating system. 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L'invention porte sur un système de CVD discontinu linéaire qui comprend une chambre de dépôt, un ou plusieurs supports de substrat, des injecteurs de gaz et un système de chauffage. Chaque support de substrat est disposé dans la chambre de dépôt et comprend au moins un contenant conçu pour recevoir un substrat. Les supports de substrat sont conçus pour porter des substrats en une configuration linéaire. Chaque injecteur de gaz comprend un orifice conçu pour apporter un gaz selon une distribution uniforme vers l'ensemble d'un ou plusieurs des substrats. Le système de chauffage comprend au moins un élément chauffant et un module de régulation de chauffage servant à réguler uniformément une température des substrats. Le système est approprié pour le traitement par CVD de substrats en un volume élevé. La largeur étroite de la chambre de dépôt permet une distribution uniforme de gaz précurseurs sur l'ensemble des substrats le long de la longueur de la chambre de réaction et permet de traiter un plus grand nombre de substrats par comparaison avec des chambres de dépôt classiques.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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