DEVICE FOR COATING A SUBSTRATE INSIDE A VACUUM CHAMBER BY MEANS OF PLASMA-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung, umfassend mindestens einen Einlass (3) zum Einlassen mindestens eines Gases in die Vakuumkammer (1) sowie mindestens e...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| creator | FAHLAND, MATTHIAS FAHLTEICH, JOHN BUNK, SEBASTIAN BLUETHNER, RALF ZEIBE, RAINER |
| description | Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung, umfassend mindestens einen Einlass (3) zum Einlassen mindestens eines Gases in die Vakuumkammer (1) sowie mindestens ein mit einem Target (5; 9) bestücktes Magnetron (4) zum Erzeugen eines Plasmas, bei der das Target (5; 9) während des Abscheidens der Schicht zumindest in einem Bereich eine Temperatur von mindestens 300 °C aufweist.
The invention relates to a device for depositing a layer on a substrate (2) inside a vacuum chamber (1) by means of plasma-assisted chemical vapor deposition, comprising at least one inlet (3) for introducing at least one gas into the vacuum chamber (1) and at least one magnetron (4) equipped with a target (5; 9) for producing a plasma, wherein the target (5; 9) has a temperature of at least 300 °C at least in one region during the deposition of the layer.
L'invention concerne un dispositif pour déposer une couche sur un substrat (2) à l'intérieur d'une chambre à vide (1) au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Ce dispositif comprend au moins un orifice d'entrée (3) pour l'admission d'au moins un gaz dans la chambre à vide (1) ainsi qu'au moins un magnétron (4) équipé d'une cible (5 ; 9), ce magnétron étant destiné à générer un plasma. Dans le cadre de l'invention, la cible (5 ; 9) présente, au moins dans une région, une température d'au moins 300 °C lors de la déposition de la couche. |
| format | Patent |
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The invention relates to a device for depositing a layer on a substrate (2) inside a vacuum chamber (1) by means of plasma-assisted chemical vapor deposition, comprising at least one inlet (3) for introducing at least one gas into the vacuum chamber (1) and at least one magnetron (4) equipped with a target (5; 9) for producing a plasma, wherein the target (5; 9) has a temperature of at least 300 °C at least in one region during the deposition of the layer.
L'invention concerne un dispositif pour déposer une couche sur un substrat (2) à l'intérieur d'une chambre à vide (1) au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Ce dispositif comprend au moins un orifice d'entrée (3) pour l'admission d'au moins un gaz dans la chambre à vide (1) ainsi qu'au moins un magnétron (4) équipé d'une cible (5 ; 9), ce magnétron étant destiné à générer un plasma. Dans le cadre de l'invention, la cible (5 ; 9) présente, au moins dans une région, une température d'au moins 300 °C lors de la déposition de la couche.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20111020&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2011128044A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20111020&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2011128044A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>FAHLAND, MATTHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>FAHLTEICH, JOHN</creatorcontrib><creatorcontrib>BUNK, SEBASTIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>BLUETHNER, RALF</creatorcontrib><creatorcontrib>ZEIBE, RAINER</creatorcontrib><title>DEVICE FOR COATING A SUBSTRATE INSIDE A VACUUM CHAMBER BY MEANS OF PLASMA-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION</title><description>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung, umfassend mindestens einen Einlass (3) zum Einlassen mindestens eines Gases in die Vakuumkammer (1) sowie mindestens ein mit einem Target (5; 9) bestücktes Magnetron (4) zum Erzeugen eines Plasmas, bei der das Target (5; 9) während des Abscheidens der Schicht zumindest in einem Bereich eine Temperatur von mindestens 300 °C aufweist.
The invention relates to a device for depositing a layer on a substrate (2) inside a vacuum chamber (1) by means of plasma-assisted chemical vapor deposition, comprising at least one inlet (3) for introducing at least one gas into the vacuum chamber (1) and at least one magnetron (4) equipped with a target (5; 9) for producing a plasma, wherein the target (5; 9) has a temperature of at least 300 °C at least in one region during the deposition of the layer.
L'invention concerne un dispositif pour déposer une couche sur un substrat (2) à l'intérieur d'une chambre à vide (1) au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Ce dispositif comprend au moins un orifice d'entrée (3) pour l'admission d'au moins un gaz dans la chambre à vide (1) ainsi qu'au moins un magnétron (4) équipé d'une cible (5 ; 9), ce magnétron étant destiné à générer un plasma. Dans le cadre de l'invention, la cible (5 ; 9) présente, au moins dans une région, une température d'au moins 300 °C lors de la déposition de la couche.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjMEKgkAURd20iOofHrQWHGvR9jnzzAfOjPhGo5VITCspwf6fXPQBrQ5czj3bZDLUsyYofQvaY2B3BQTpCgktBgJ2wobWqUfddRZ0hbagFoo7WEIn4EtoahSLKYqwBDKrQ5Y11uunWbOGGi8c2Lt9snmO0xIPP-6SY0lBV2mc30Nc5vERX_Ez3HyeKaXyS3Y-ozr9Z30Bewc3Fg</recordid><startdate>20111020</startdate><enddate>20111020</enddate><creator>FAHLAND, MATTHIAS</creator><creator>FAHLTEICH, JOHN</creator><creator>BUNK, SEBASTIAN</creator><creator>BLUETHNER, RALF</creator><creator>ZEIBE, RAINER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20111020</creationdate><title>DEVICE FOR COATING A SUBSTRATE INSIDE A VACUUM CHAMBER BY MEANS OF PLASMA-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION</title><author>FAHLAND, MATTHIAS ; FAHLTEICH, JOHN ; BUNK, SEBASTIAN ; BLUETHNER, RALF ; ZEIBE, RAINER</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2011128044A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2011</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>FAHLAND, MATTHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>FAHLTEICH, JOHN</creatorcontrib><creatorcontrib>BUNK, SEBASTIAN</creatorcontrib><creatorcontrib>BLUETHNER, RALF</creatorcontrib><creatorcontrib>ZEIBE, RAINER</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>FAHLAND, MATTHIAS</au><au>FAHLTEICH, JOHN</au><au>BUNK, SEBASTIAN</au><au>BLUETHNER, RALF</au><au>ZEIBE, RAINER</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEVICE FOR COATING A SUBSTRATE INSIDE A VACUUM CHAMBER BY MEANS OF PLASMA-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION</title><date>2011-10-20</date><risdate>2011</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (2) innerhalb einer Vakuumkammer (1) mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung, umfassend mindestens einen Einlass (3) zum Einlassen mindestens eines Gases in die Vakuumkammer (1) sowie mindestens ein mit einem Target (5; 9) bestücktes Magnetron (4) zum Erzeugen eines Plasmas, bei der das Target (5; 9) während des Abscheidens der Schicht zumindest in einem Bereich eine Temperatur von mindestens 300 °C aufweist.
The invention relates to a device for depositing a layer on a substrate (2) inside a vacuum chamber (1) by means of plasma-assisted chemical vapor deposition, comprising at least one inlet (3) for introducing at least one gas into the vacuum chamber (1) and at least one magnetron (4) equipped with a target (5; 9) for producing a plasma, wherein the target (5; 9) has a temperature of at least 300 °C at least in one region during the deposition of the layer.
L'invention concerne un dispositif pour déposer une couche sur un substrat (2) à l'intérieur d'une chambre à vide (1) au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Ce dispositif comprend au moins un orifice d'entrée (3) pour l'admission d'au moins un gaz dans la chambre à vide (1) ainsi qu'au moins un magnétron (4) équipé d'une cible (5 ; 9), ce magnétron étant destiné à générer un plasma. Dans le cadre de l'invention, la cible (5 ; 9) présente, au moins dans une région, une température d'au moins 300 °C lors de la déposition de la couche.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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