METAL NITRIDE CONTAINING FILM DEPOSITION USING COMBINATION OF AMINO-METAL AND HALOGENATED METAL PRECURSORS

Disclosed are methods of forming metal-nitride-containing films from the combination of amino-metal precursors and halogenated metal precursors, preferably forming SiN-containing films from the combination of aminosilane precursors and chlorosilane precursors. Varying the sequential reaction of the amino-metal precursors and halogenated metal precursors provide for the formation of metal-nitride-containing films having varying stoichiometry. In addition, the metal-nitride-containing film composition may be modified based upon the structure of aminometal precursor. The disclosed processes may be thermal processes or plasma processes at low temperatures. L'invention concerne des procédés de formation de films contenant des nitrures métalliques à partir de la combinaison de précurseurs métalliques aminés et de précurseurs métalliques halogénés, de préférence de formation de films contenant du SiN à partir de la combinaison de précurseurs à base d'aminosilane et de précurseurs à base de chlorosilane. En faisant varier la réaction séquentielle des précurseurs métalliques aminés et halogénés, on obtient des films contenant des nitrures métalliques avec une stoechiométrie variable. De plus, la composition des films contenant des nitrures métalliques peut être modifiée en fonction de la structure du précurseur métallique aminé. Les procédés décrits peuvent être des procédés thermiques ou des procédés par plasma à basse température.