DEVICE FOR OBTAINING A MULTICRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL, IN PARTICULAR SILICON, AND METHOD FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE THEREIN
A device (1) for obtaining multicrystalline silicon, including: at least one crucible (3) made of quartz for the silicon, removably housed in a cup-shaped graphite container (4); a fluid- tight openable casing (5); a top induction coil (12), set facing, with interposition of a graphite plate (14), t...
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| Format: | Patent |
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| creator | FORZAN, MICHELE BECHINI, ROBERTO CISCATO, DARIO DUGHIERO, FABRIZIO CESANO, MARIOLINO CRIVELLO, FABRIZIO |
| description | A device (1) for obtaining multicrystalline silicon, including: at least one crucible (3) made of quartz for the silicon, removably housed in a cup-shaped graphite container (4); a fluid- tight openable casing (5); a top induction coil (12), set facing, with interposition of a graphite plate (14), the crucible, a lateral induction coil (16), set around a side wall (17) of the graphite container, and a bottom induction coil (18), set facing a bottom wall (19) of the graphite container and vertically mobile for varying the distance (D) from the bottom wall; and first means (20) for a.c. electrical supply of the induction coils separately from one another, and second means (21) for supply of a coolant within respective hollow turns of the induction coils; the bottom induction coil includes four spiral windings (31-34), arranged alongside one another according to a chequered scheme in one and the same plane of lie, which is defined by an insulated supporting plate (35); electrical switching means (40) enable in use selective connection of the four windings (31-34) to one another according to different configurations.
L'invention concerne un dispositif (1) destiné à obtenir du silicium polycristallin et comprenant : au moins un creuset (3) constitué de quartz et destiné au silicium, logé de façon amovible dans un récipient (4) en graphite présentant la forme d'une cuvette ; une enceinte (5) étanche aux fluides et pouvant s'ouvrir ; une bobine supérieure (12) d'induction placée face au creuset avec interposition d'une plaque (14) de graphite, une bobine latérale (16) d'induction installée autour d'une paroi latérale (17) du récipient en graphite et une bobine inférieure (18) d'induction placée face à une paroi inférieure (19) du récipient en graphite et mobile verticalement pour faire varier la distance (D) par rapport à la paroi inférieure ; un premier moyen (20) d'alimentation électrique en c.a. des bobines d'induction indépendamment les unes des autres ; un deuxième moyen (21) d'amenée d'un agent de refroidissement à l'intérieur de spires creuses respectives des bobines d'induction ; la bobine inférieure d'induction comprenant quatre enroulements (31 à 34) en spirale, disposés côte à côte selon une configuration en damier dans un même plan d'appui défini par une plaque porteuse isolée (35) ; des moyens (40) de commutation électrique permettant, en cours d'utilisation, un raccordement sélectif des quatre enroulements (31 à 34) les uns aux autres selon différen |
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L'invention concerne un dispositif (1) destiné à obtenir du silicium polycristallin et comprenant : au moins un creuset (3) constitué de quartz et destiné au silicium, logé de façon amovible dans un récipient (4) en graphite présentant la forme d'une cuvette ; une enceinte (5) étanche aux fluides et pouvant s'ouvrir ; une bobine supérieure (12) d'induction placée face au creuset avec interposition d'une plaque (14) de graphite, une bobine latérale (16) d'induction installée autour d'une paroi latérale (17) du récipient en graphite et une bobine inférieure (18) d'induction placée face à une paroi inférieure (19) du récipient en graphite et mobile verticalement pour faire varier la distance (D) par rapport à la paroi inférieure ; un premier moyen (20) d'alimentation électrique en c.a. des bobines d'induction indépendamment les unes des autres ; un deuxième moyen (21) d'amenée d'un agent de refroidissement à l'intérieur de spires creuses respectives des bobines d'induction ; la bobine inférieure d'induction comprenant quatre enroulements (31 à 34) en spirale, disposés côte à côte selon une configuration en damier dans un même plan d'appui défini par une plaque porteuse isolée (35) ; des moyens (40) de commutation électrique permettant, en cours d'utilisation, un raccordement sélectif des quatre enroulements (31 à 34) les uns aux autres selon différentes configurations.</description><language>eng ; fre</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; BLASTING ; CASTING ; CASTING OF METALS ; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; ELECTRIC HEATING ; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; FURNACES ; FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL ; HEATING ; KILNS ; LIGHTING ; MECHANICAL ENGINEERING ; METALLURGY ; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS ; OVENS ; PERFORMING OPERATIONS ; POWDER METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; RETORTS ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; TRANSPORTING ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL ; WEAPONS</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110428&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2011048474A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25551,76302</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110428&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2011048474A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>FORZAN, MICHELE</creatorcontrib><creatorcontrib>BECHINI, ROBERTO</creatorcontrib><creatorcontrib>CISCATO, DARIO</creatorcontrib><creatorcontrib>DUGHIERO, FABRIZIO</creatorcontrib><creatorcontrib>CESANO, MARIOLINO</creatorcontrib><creatorcontrib>CRIVELLO, FABRIZIO</creatorcontrib><title>DEVICE FOR OBTAINING A MULTICRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL, IN PARTICULAR SILICON, AND METHOD FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE THEREIN</title><description>A device (1) for obtaining multicrystalline silicon, including: at least one crucible (3) made of quartz for the silicon, removably housed in a cup-shaped graphite container (4); a fluid- tight openable casing (5); a top induction coil (12), set facing, with interposition of a graphite plate (14), the crucible, a lateral induction coil (16), set around a side wall (17) of the graphite container, and a bottom induction coil (18), set facing a bottom wall (19) of the graphite container and vertically mobile for varying the distance (D) from the bottom wall; and first means (20) for a.c. electrical supply of the induction coils separately from one another, and second means (21) for supply of a coolant within respective hollow turns of the induction coils; the bottom induction coil includes four spiral windings (31-34), arranged alongside one another according to a chequered scheme in one and the same plane of lie, which is defined by an insulated supporting plate (35); electrical switching means (40) enable in use selective connection of the four windings (31-34) to one another according to different configurations.
L'invention concerne un dispositif (1) destiné à obtenir du silicium polycristallin et comprenant : au moins un creuset (3) constitué de quartz et destiné au silicium, logé de façon amovible dans un récipient (4) en graphite présentant la forme d'une cuvette ; une enceinte (5) étanche aux fluides et pouvant s'ouvrir ; une bobine supérieure (12) d'induction placée face au creuset avec interposition d'une plaque (14) de graphite, une bobine latérale (16) d'induction installée autour d'une paroi latérale (17) du récipient en graphite et une bobine inférieure (18) d'induction placée face à une paroi inférieure (19) du récipient en graphite et mobile verticalement pour faire varier la distance (D) par rapport à la paroi inférieure ; un premier moyen (20) d'alimentation électrique en c.a. des bobines d'induction indépendamment les unes des autres ; un deuxième moyen (21) d'amenée d'un agent de refroidissement à l'intérieur de spires creuses respectives des bobines d'induction ; la bobine inférieure d'induction comprenant quatre enroulements (31 à 34) en spirale, disposés côte à côte selon une configuration en damier dans un même plan d'appui défini par une plaque porteuse isolée (35) ; des moyens (40) de commutation électrique permettant, en cours d'utilisation, un raccordement sélectif des quatre enroulements (31 à 34) les uns aux autres selon différentes configurations.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>BLASTING</subject><subject>CASTING</subject><subject>CASTING OF METALS</subject><subject>CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>ELECTRIC HEATING</subject><subject>ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>FURNACES</subject><subject>FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL</subject><subject>HEATING</subject><subject>KILNS</subject><subject>LIGHTING</subject><subject>MECHANICAL ENGINEERING</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS</subject><subject>OVENS</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>POWDER METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>RETORTS</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>TRANSPORTING</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><subject>WEAPONS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNzD0KwlAQBOA0FqLeYcE2QqIBbdeX1Sy8H9lsFCsReVaiQryEtzYRD2A1zPAxw-Rd0p4NwSYIhLUie_ZbQHCNVTZyrBWtZU9Qk2MTfNkY7ahDJWG0KbCHHUpnG4sCNdtepYC-BEdahfJ73W0qoX_aglYESm5HgtoI9V2I_TgZXM-3Nk5-OUqmG1JTzeLzcYrt83yJ9_g6HcI8y_OsWBXLAvPFf-oDst8_zw</recordid><startdate>20110428</startdate><enddate>20110428</enddate><creator>FORZAN, MICHELE</creator><creator>BECHINI, ROBERTO</creator><creator>CISCATO, DARIO</creator><creator>DUGHIERO, FABRIZIO</creator><creator>CESANO, MARIOLINO</creator><creator>CRIVELLO, FABRIZIO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20110428</creationdate><title>DEVICE FOR OBTAINING A MULTICRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL, IN PARTICULAR SILICON, AND METHOD FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE THEREIN</title><author>FORZAN, MICHELE ; 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a fluid- tight openable casing (5); a top induction coil (12), set facing, with interposition of a graphite plate (14), the crucible, a lateral induction coil (16), set around a side wall (17) of the graphite container, and a bottom induction coil (18), set facing a bottom wall (19) of the graphite container and vertically mobile for varying the distance (D) from the bottom wall; and first means (20) for a.c. electrical supply of the induction coils separately from one another, and second means (21) for supply of a coolant within respective hollow turns of the induction coils; the bottom induction coil includes four spiral windings (31-34), arranged alongside one another according to a chequered scheme in one and the same plane of lie, which is defined by an insulated supporting plate (35); electrical switching means (40) enable in use selective connection of the four windings (31-34) to one another according to different configurations.
L'invention concerne un dispositif (1) destiné à obtenir du silicium polycristallin et comprenant : au moins un creuset (3) constitué de quartz et destiné au silicium, logé de façon amovible dans un récipient (4) en graphite présentant la forme d'une cuvette ; une enceinte (5) étanche aux fluides et pouvant s'ouvrir ; une bobine supérieure (12) d'induction placée face au creuset avec interposition d'une plaque (14) de graphite, une bobine latérale (16) d'induction installée autour d'une paroi latérale (17) du récipient en graphite et une bobine inférieure (18) d'induction placée face à une paroi inférieure (19) du récipient en graphite et mobile verticalement pour faire varier la distance (D) par rapport à la paroi inférieure ; un premier moyen (20) d'alimentation électrique en c.a. des bobines d'induction indépendamment les unes des autres ; un deuxième moyen (21) d'amenée d'un agent de refroidissement à l'intérieur de spires creuses respectives des bobines d'induction ; la bobine inférieure d'induction comprenant quatre enroulements (31 à 34) en spirale, disposés côte à côte selon une configuration en damier dans un même plan d'appui défini par une plaque porteuse isolée (35) ; des moyens (40) de commutation électrique permettant, en cours d'utilisation, un raccordement sélectif des quatre enroulements (31 à 34) les uns aux autres selon différentes configurations.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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| title | DEVICE FOR OBTAINING A MULTICRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL, IN PARTICULAR SILICON, AND METHOD FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE THEREIN |
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