INTERCONNECTION BETWEEN SUBLITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES AND LITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES

An interconnection between a sublithographic-pitched structure and a lithographic pitched structure is formed. A plurality of conductive lines having a sublithographic pitch may be lithographically patterned and cut along a line at an angle less than 45 degrees from the lengthwise direction of the p...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BANGSARUNTIP, SARUNYA, KOESTER, STEVEN, KIM, HOOL, EDELSTEIN, DANIEL, C, HINSBERG, WILLIAM, D, SOLOMAN, PAUL, M
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator BANGSARUNTIP, SARUNYA
KOESTER, STEVEN
KIM, HOOL
EDELSTEIN, DANIEL, C
HINSBERG, WILLIAM, D
SOLOMAN, PAUL, M
description An interconnection between a sublithographic-pitched structure and a lithographic pitched structure is formed. A plurality of conductive lines having a sublithographic pitch may be lithographically patterned and cut along a line at an angle less than 45 degrees from the lengthwise direction of the plurality of conductive lines. Alternately, a copolymer mixed with homopolymer may be placed into a recessed area and self-aligned to form a plurality of conductive lines having a sublithographic pitch in the constant width region and a lithographic dimension between adjacent lines at a trapezoidal region. Yet alternately, a first plurality of conductive lines with the sublithographic pitch and a second plurality of conductive lines with the lithographic pitch may be formed at the same level or at different. L'invention porte sur un raccordement entre une structure à pas sub-lithographique et une structure à pas lithographique. On peut former une pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique au moyen d'une configuration lithographique et un découpage selon une ligne à un angle inférieur à 45 degrés par rapport à la direction longitudinale de la pluralité de lignes conductrices. En variante, on peut placer un copolymère mélangé avec un mono-polymère dans une zone renfoncée et auto-animée pour former une pluralité de lignes conductrices ayant un pas sub-lithographique dans la région à largeur constante et une dimension lithographique entre des lignes adjacentes d'une région trapézoïdale. Selon encore une autre variante, on peut former une première pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique et une seconde pluralité de lignes conductrices à pas lithographique au même niveau ou à un niveau différent.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2011019552A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2011019552A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2011019552A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZIjz9AtxDXL29_NzdQ7x9PdTcHINCXd19VMIDnXy8Qzx8HcPcgzw8HTWDfAMcfZwdVEIDgkKdQ4JDXINVnD0c1EgoIaHgTUtMac4lRdKczMou7kCFemmFuTHpxYXJCan5qWWxIf7GxkYGhoYWpqaGjkaGhOnCgBxXDTC</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>INTERCONNECTION BETWEEN SUBLITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES AND LITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES</title><source>esp@cenet</source><creator>BANGSARUNTIP, SARUNYA ; KOESTER, STEVEN ; KIM, HOOL ; EDELSTEIN, DANIEL, C ; HINSBERG, WILLIAM, D ; SOLOMAN, PAUL, M</creator><creatorcontrib>BANGSARUNTIP, SARUNYA ; KOESTER, STEVEN ; KIM, HOOL ; EDELSTEIN, DANIEL, C ; HINSBERG, WILLIAM, D ; SOLOMAN, PAUL, M</creatorcontrib><description>An interconnection between a sublithographic-pitched structure and a lithographic pitched structure is formed. A plurality of conductive lines having a sublithographic pitch may be lithographically patterned and cut along a line at an angle less than 45 degrees from the lengthwise direction of the plurality of conductive lines. Alternately, a copolymer mixed with homopolymer may be placed into a recessed area and self-aligned to form a plurality of conductive lines having a sublithographic pitch in the constant width region and a lithographic dimension between adjacent lines at a trapezoidal region. Yet alternately, a first plurality of conductive lines with the sublithographic pitch and a second plurality of conductive lines with the lithographic pitch may be formed at the same level or at different. L'invention porte sur un raccordement entre une structure à pas sub-lithographique et une structure à pas lithographique. On peut former une pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique au moyen d'une configuration lithographique et un découpage selon une ligne à un angle inférieur à 45 degrés par rapport à la direction longitudinale de la pluralité de lignes conductrices. En variante, on peut placer un copolymère mélangé avec un mono-polymère dans une zone renfoncée et auto-animée pour former une pluralité de lignes conductrices ayant un pas sub-lithographique dans la région à largeur constante et une dimension lithographique entre des lignes adjacentes d'une région trapézoïdale. Selon encore une autre variante, on peut former une première pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique et une seconde pluralité de lignes conductrices à pas lithographique au même niveau ou à un niveau différent.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20110217&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2011019552A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20110217&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2011019552A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BANGSARUNTIP, SARUNYA</creatorcontrib><creatorcontrib>KOESTER, STEVEN</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, HOOL</creatorcontrib><creatorcontrib>EDELSTEIN, DANIEL, C</creatorcontrib><creatorcontrib>HINSBERG, WILLIAM, D</creatorcontrib><creatorcontrib>SOLOMAN, PAUL, M</creatorcontrib><title>INTERCONNECTION BETWEEN SUBLITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES AND LITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES</title><description>An interconnection between a sublithographic-pitched structure and a lithographic pitched structure is formed. A plurality of conductive lines having a sublithographic pitch may be lithographically patterned and cut along a line at an angle less than 45 degrees from the lengthwise direction of the plurality of conductive lines. Alternately, a copolymer mixed with homopolymer may be placed into a recessed area and self-aligned to form a plurality of conductive lines having a sublithographic pitch in the constant width region and a lithographic dimension between adjacent lines at a trapezoidal region. Yet alternately, a first plurality of conductive lines with the sublithographic pitch and a second plurality of conductive lines with the lithographic pitch may be formed at the same level or at different. L'invention porte sur un raccordement entre une structure à pas sub-lithographique et une structure à pas lithographique. On peut former une pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique au moyen d'une configuration lithographique et un découpage selon une ligne à un angle inférieur à 45 degrés par rapport à la direction longitudinale de la pluralité de lignes conductrices. En variante, on peut placer un copolymère mélangé avec un mono-polymère dans une zone renfoncée et auto-animée pour former une pluralité de lignes conductrices ayant un pas sub-lithographique dans la région à largeur constante et une dimension lithographique entre des lignes adjacentes d'une région trapézoïdale. Selon encore une autre variante, on peut former une première pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique et une seconde pluralité de lignes conductrices à pas lithographique au même niveau ou à un niveau différent.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZIjz9AtxDXL29_NzdQ7x9PdTcHINCXd19VMIDnXy8Qzx8HcPcgzw8HTWDfAMcfZwdVEIDgkKdQ4JDXINVnD0c1EgoIaHgTUtMac4lRdKczMou7kCFemmFuTHpxYXJCan5qWWxIf7GxkYGhoYWpqaGjkaGhOnCgBxXDTC</recordid><startdate>20110217</startdate><enddate>20110217</enddate><creator>BANGSARUNTIP, SARUNYA</creator><creator>KOESTER, STEVEN</creator><creator>KIM, HOOL</creator><creator>EDELSTEIN, DANIEL, C</creator><creator>HINSBERG, WILLIAM, D</creator><creator>SOLOMAN, PAUL, M</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20110217</creationdate><title>INTERCONNECTION BETWEEN SUBLITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES AND LITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES</title><author>BANGSARUNTIP, SARUNYA ; KOESTER, STEVEN ; KIM, HOOL ; EDELSTEIN, DANIEL, C ; HINSBERG, WILLIAM, D ; SOLOMAN, PAUL, M</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2011019552A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2011</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BANGSARUNTIP, SARUNYA</creatorcontrib><creatorcontrib>KOESTER, STEVEN</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, HOOL</creatorcontrib><creatorcontrib>EDELSTEIN, DANIEL, C</creatorcontrib><creatorcontrib>HINSBERG, WILLIAM, D</creatorcontrib><creatorcontrib>SOLOMAN, PAUL, M</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BANGSARUNTIP, SARUNYA</au><au>KOESTER, STEVEN</au><au>KIM, HOOL</au><au>EDELSTEIN, DANIEL, C</au><au>HINSBERG, WILLIAM, D</au><au>SOLOMAN, PAUL, M</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>INTERCONNECTION BETWEEN SUBLITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES AND LITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES</title><date>2011-02-17</date><risdate>2011</risdate><abstract>An interconnection between a sublithographic-pitched structure and a lithographic pitched structure is formed. A plurality of conductive lines having a sublithographic pitch may be lithographically patterned and cut along a line at an angle less than 45 degrees from the lengthwise direction of the plurality of conductive lines. Alternately, a copolymer mixed with homopolymer may be placed into a recessed area and self-aligned to form a plurality of conductive lines having a sublithographic pitch in the constant width region and a lithographic dimension between adjacent lines at a trapezoidal region. Yet alternately, a first plurality of conductive lines with the sublithographic pitch and a second plurality of conductive lines with the lithographic pitch may be formed at the same level or at different. L'invention porte sur un raccordement entre une structure à pas sub-lithographique et une structure à pas lithographique. On peut former une pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique au moyen d'une configuration lithographique et un découpage selon une ligne à un angle inférieur à 45 degrés par rapport à la direction longitudinale de la pluralité de lignes conductrices. En variante, on peut placer un copolymère mélangé avec un mono-polymère dans une zone renfoncée et auto-animée pour former une pluralité de lignes conductrices ayant un pas sub-lithographique dans la région à largeur constante et une dimension lithographique entre des lignes adjacentes d'une région trapézoïdale. Selon encore une autre variante, on peut former une première pluralité de lignes conductrices à pas sub-lithographique et une seconde pluralité de lignes conductrices à pas lithographique au même niveau ou à un niveau différent.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2011019552A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title INTERCONNECTION BETWEEN SUBLITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES AND LITHOGRAPHIC-PITCHED STRUCTURES
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-01T07%3A50%3A41IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=BANGSARUNTIP,%20SARUNYA&rft.date=2011-02-17&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2011019552A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true