AMORPHOUS MULTICOMPONENT DIELECTRIC BASED ON THE MIXTURE OF HIGH BAND GAP AND HIGH K MATERIALS, RESPECTIVE DEVICES AND MANUFACTURE

High performance thin-film, transistors entirely processed at temperatures not exceeding 150°C, using amorphous multi component dielectrics based on t.he mixture of high band gap and high dielectric constant ( K) materials are presented in this invention. The invention relates to the use of sputtered or ink jet printed mixed dielectric materials such as Ta2O5 with SiO2 or Al2O3 or HfO2 with SiO2 or Al2O3. These multicomponent dielectrics allow producing amorphous dielectrics to be introduced in high stable electronic devices with low leakage currents, while preserving a high dielectric constant. This results in producing thin film transistors with remarkable electrical properties, such as the ones produced based on Ga-In-Zn oxide as channel layers and where the dielectric was the combination of the mixture Ta2O5:SiO2, exhibiting field- effect mobility exceeding 35 cm2 V-1 s-1, close to 0 V turn- on voltage, on/off ratio higher than 106 and subthreshold slope below 0.24 V dec-1. L'invention concerne des transistors en couches minces haute performance entièrement traités à des températures ne dépassant pas 150°C, faisant intervenir des diélectriques multicomposés amorphes à base d'un mélange de matériaux à haute bande interdite et à haute constante diélectrique (K). L'invention concerne l'utilisation de matériaux diélectriques mixtes pulvérisés ou imprimés par jet d'encre, tels que Ta2O5 avec SiO2 ou Al2O3 ou HfO2 avec SiO2 ou Al2O3. Ces diélectriques multicomposés permettent de produire des diélectriques amorphes à introduire dans des dispositifs électroniques hautement stables présentant de faibles courants de fuite, tout en conservant une haute constante diélectrique. Cela permet de produire des transistors en couches minces présentant de remarquables propriétés électriques, tels que ceux produits à partir d'oxyde de Ga-In-Zn comme couches canal, et dans lesquels le diélectrique résulte de la combinaison du mélange Ta2O5:SiO2, présentant une mobilité d'effet de champ dépassant 5 cm2 V-1 s-1, une tension d'allumage proche de 0 V, un rapport marche/arrêt supérieur à 106 et une pente sous le seuil inférieure à 0,24 V dec-1.