SWITCHES WITH BIAS RESISTORS FOR EVEN VOLTAGE DISTRIBUTION

Switches with connected bulk for improved, switching performance and bias resistors for even voltage distribution to improve reliability are described. In an exemplary design, a switch (700) may include a plurality of transistors (710a-k) coupled in a stack and at least one resistor (740a-k) coupled...

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Hauptverfasser: CASSIA, MARCO, DUNWORTH, JEREMY, D
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator CASSIA, MARCO
DUNWORTH, JEREMY, D
description Switches with connected bulk for improved, switching performance and bias resistors for even voltage distribution to improve reliability are described. In an exemplary design, a switch (700) may include a plurality of transistors (710a-k) coupled in a stack and at least one resistor (740a-k) coupled to at least one intermediate node in the stack. The transistors may have (i) a first voltage applied to a first transistor in the stack and (ii) a second voltage (Vbulk) that is lower than the first voltage applied to bulk nodes of the transistors. The resistor (s) (740a-k) may maintain matching bias conditions for the transistors (710a-k) when they are turned off. In one exemplary design, one resistor may be coupled between the source and drain of each transistor. In another exemplary design, one resistor may be coupled between each intermediate node and the first voltage. The resistor (s) may maintain the source of each transistor at the first voltage. L'invention porte sur des interrupteurs à substrat connecté pour des performances de commutation améliorées et à résistances de polarisation pour une distribution de tension uniforme afin d'améliorer la fiabilité. Dans une conception à titre d'exemple, un interrupteur (700) peut comprendre une pluralité de transistors (710a-k) couplés en un empilement et au moins une résistance (740a-k) couplée à au moins un noeud intermédiaire de l'empilement. Les transistors peuvent avoir (i) une première tension appliquée à un premier transistor de l'empilement et (ii) une seconde tension (Vbulk), qui est inférieure à la première tension, appliquée à des noeuds de substrat des transistors. La ou les résistances (740a-k) peuvent maintenir des états de polarisation correspondants pour les transistors (710a-k) lorsqu'ils sont bloqués. Dans une conception à titre d'exemple, une résistance peut être couplée entre la source et le drain de chaque transistor. Dans une autre conception à titre d'exemple, une résistance peut être couplée entre chaque noeud intermédiaire et la première tension. La ou les résistances peuvent maintenir la source de chaque transistor à la première tension.
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In an exemplary design, a switch (700) may include a plurality of transistors (710a-k) coupled in a stack and at least one resistor (740a-k) coupled to at least one intermediate node in the stack. The transistors may have (i) a first voltage applied to a first transistor in the stack and (ii) a second voltage (Vbulk) that is lower than the first voltage applied to bulk nodes of the transistors. The resistor (s) (740a-k) may maintain matching bias conditions for the transistors (710a-k) when they are turned off. In one exemplary design, one resistor may be coupled between the source and drain of each transistor. In another exemplary design, one resistor may be coupled between each intermediate node and the first voltage. The resistor (s) may maintain the source of each transistor at the first voltage. L'invention porte sur des interrupteurs à substrat connecté pour des performances de commutation améliorées et à résistances de polarisation pour une distribution de tension uniforme afin d'améliorer la fiabilité. Dans une conception à titre d'exemple, un interrupteur (700) peut comprendre une pluralité de transistors (710a-k) couplés en un empilement et au moins une résistance (740a-k) couplée à au moins un noeud intermédiaire de l'empilement. Les transistors peuvent avoir (i) une première tension appliquée à un premier transistor de l'empilement et (ii) une seconde tension (Vbulk), qui est inférieure à la première tension, appliquée à des noeuds de substrat des transistors. La ou les résistances (740a-k) peuvent maintenir des états de polarisation correspondants pour les transistors (710a-k) lorsqu'ils sont bloqués. Dans une conception à titre d'exemple, une résistance peut être couplée entre la source et le drain de chaque transistor. 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In an exemplary design, a switch (700) may include a plurality of transistors (710a-k) coupled in a stack and at least one resistor (740a-k) coupled to at least one intermediate node in the stack. The transistors may have (i) a first voltage applied to a first transistor in the stack and (ii) a second voltage (Vbulk) that is lower than the first voltage applied to bulk nodes of the transistors. The resistor (s) (740a-k) may maintain matching bias conditions for the transistors (710a-k) when they are turned off. In one exemplary design, one resistor may be coupled between the source and drain of each transistor. In another exemplary design, one resistor may be coupled between each intermediate node and the first voltage. The resistor (s) may maintain the source of each transistor at the first voltage. L'invention porte sur des interrupteurs à substrat connecté pour des performances de commutation améliorées et à résistances de polarisation pour une distribution de tension uniforme afin d'améliorer la fiabilité. Dans une conception à titre d'exemple, un interrupteur (700) peut comprendre une pluralité de transistors (710a-k) couplés en un empilement et au moins une résistance (740a-k) couplée à au moins un noeud intermédiaire de l'empilement. Les transistors peuvent avoir (i) une première tension appliquée à un premier transistor de l'empilement et (ii) une seconde tension (Vbulk), qui est inférieure à la première tension, appliquée à des noeuds de substrat des transistors. La ou les résistances (740a-k) peuvent maintenir des états de polarisation correspondants pour les transistors (710a-k) lorsqu'ils sont bloqués. Dans une conception à titre d'exemple, une résistance peut être couplée entre la source et le drain de chaque transistor. 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