METHOD OF FORMING A PROTECTIVE LAYER ON THIN-FILM PHOTOVOLTAIC ARTICLES AND ARTICLES MADE WITH SUCH A LAYER

Chalcogenide based photovoltaic devices cells with good resistance to environmental elements can be formed by direct low temperature deposition of inorganic barrier layers onto the film. A unique multilayer barrier can be formed in a single step when reactive sputtering of the silicon nitride onto a...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DEGROOT, MARTY, W, YEUNG, CHUNG-HEI, BANHOLZER, WILLIAM, F, BERNIUS, MARK, T, FEIST, REBEKAH, K, HALEY, ROBERT, P., JR, SREERAM, ATTIGANAL, N
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Chalcogenide based photovoltaic devices cells with good resistance to environmental elements can be formed by direct low temperature deposition of inorganic barrier layers onto the film. A unique multilayer barrier can be formed in a single step when reactive sputtering of the silicon nitride onto an inorganic oxide top layer of the PV device. L'invention concerne la formation de cellules de dispositifs photovoltaïques à base de chalcogénure qui présentent une bonne résistance à des éléments de l'environnement, par le dépôt direct à basse température de couches barrière inorganiques sur le film. Une barrière multicouche unique peut être formée en une seule étape lors de la pulvérisation réactive de nitrure de silicium sur une couche supérieure d'oxyde inorganique du dispositif photovoltaïque.