TECHNIQUES FOR IMPROVING EXTRACTED ION BEAM QUALITY USING HIGH TRANSPARENCY ELECTRODES

Techniques for improving extracted ion beam quality using high-transparency electrodes are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation. The apparatus may comprise an ion source for generating an ion beam, wherein the ion sour...

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Hauptverfasser: SINCLAIR, FRANK, BENVENISTE, VICTOR, M, LISCHER, D., JEFFREY, PLATOW, WILHELM, P, COBB, ERIC, R, PATEL, SHARDUL, KOO, JOHN (BON WOONG), BORICHEVSKY, STEVEN, C, PURSER, KENNETH, H, RADOVANOV, SVETLANA, CHANEY, CRAIG, R, JAGTAP, MAYUR, BUFF, JAMES, S
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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container_end_page
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creator SINCLAIR, FRANK
BENVENISTE, VICTOR, M
LISCHER, D., JEFFREY
PLATOW, WILHELM, P
COBB, ERIC, R
PATEL, SHARDUL
KOO, JOHN (BON WOONG)
BORICHEVSKY, STEVEN, C
PURSER, KENNETH, H
RADOVANOV, SVETLANA
CHANEY, CRAIG, R
JAGTAP, MAYUR
BUFF, JAMES, S
description Techniques for improving extracted ion beam quality using high-transparency electrodes are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation. The apparatus may comprise an ion source for generating an ion beam, wherein the ion source comprises a faceplate with an aperture for the ion beam to travel therethrough. The apparatus may also comprise a set of extraction electrodes comprising at least a suppression electrode and a high-transparency ground electrode, wherein the set of extraction electrodes may extract the ion beam from the ion source via the faceplate, and wherein the high-transparency ground electrode may be configured to optimize gas conductance between the suppression electrode and the high-transparency ground electrode for improved extracted ion beam quality. L'invention concerne des techniques pour améliorer la qualité d'un faisceau ionique extrait au moyen d'électrodes à transparence élevée. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, les techniques peuvent être réalisées à l'aide d'appareils utilisés pour l'implantation ionique. L'appareil peut comprendre une source ionique destinée à produire un faisceau ionique, la source ionique comprenant une plaque dotée d'un orifice laissant passer le faisceau ionique. L'appareil peut également comprendre un ensemble d'électrodes d'extraction comprenant au moins une électrode de suppression et une électrode de terre à transparence élevée, l'ensemble des électrodes d'extraction pouvant extraire du faisceau ionique de la source ionique par l'intermédiaire de la plaque, et l'électrode de terre à transparence élevée pouvant être configurée de manière à optimiser la conductance des gaz entre l'électrode de suppression et l'électrode de terre à transparence élevée en vue d'améliorer la qualité du faisceau ionique extrait.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2010093871A3</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2010093871A3</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2010093871A33</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNyjEKwjAUANAuDqLe4YOzkJpBO8b0twm0SZv8VDuVInESLdT7o4IHcHrLWyYdoVRGtwE9FNaBrhtnO21KwAs5IQlz0NbACUUNbRCVph6C_walSwWfY3wjHBrZA1Yoydkc_TpZ3Mb7HDc_V8m2QJJqF6fnEOdpvMZHfA1nu2cpYxk_HlLB-X_rDYQFMfw</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>TECHNIQUES FOR IMPROVING EXTRACTED ION BEAM QUALITY USING HIGH TRANSPARENCY ELECTRODES</title><source>esp@cenet</source><creator>SINCLAIR, FRANK ; BENVENISTE, VICTOR, M ; LISCHER, D., JEFFREY ; PLATOW, WILHELM, P ; COBB, ERIC, R ; PATEL, SHARDUL ; KOO, JOHN (BON WOONG) ; BORICHEVSKY, STEVEN, C ; PURSER, KENNETH, H ; RADOVANOV, SVETLANA ; CHANEY, CRAIG, R ; JAGTAP, MAYUR ; BUFF, JAMES, S</creator><creatorcontrib>SINCLAIR, FRANK ; BENVENISTE, VICTOR, M ; LISCHER, D., JEFFREY ; PLATOW, WILHELM, P ; COBB, ERIC, R ; PATEL, SHARDUL ; KOO, JOHN (BON WOONG) ; BORICHEVSKY, STEVEN, C ; PURSER, KENNETH, H ; RADOVANOV, SVETLANA ; CHANEY, CRAIG, R ; JAGTAP, MAYUR ; BUFF, JAMES, S</creatorcontrib><description>Techniques for improving extracted ion beam quality using high-transparency electrodes are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation. The apparatus may comprise an ion source for generating an ion beam, wherein the ion source comprises a faceplate with an aperture for the ion beam to travel therethrough. The apparatus may also comprise a set of extraction electrodes comprising at least a suppression electrode and a high-transparency ground electrode, wherein the set of extraction electrodes may extract the ion beam from the ion source via the faceplate, and wherein the high-transparency ground electrode may be configured to optimize gas conductance between the suppression electrode and the high-transparency ground electrode for improved extracted ion beam quality. L'invention concerne des techniques pour améliorer la qualité d'un faisceau ionique extrait au moyen d'électrodes à transparence élevée. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, les techniques peuvent être réalisées à l'aide d'appareils utilisés pour l'implantation ionique. L'appareil peut comprendre une source ionique destinée à produire un faisceau ionique, la source ionique comprenant une plaque dotée d'un orifice laissant passer le faisceau ionique. L'appareil peut également comprendre un ensemble d'électrodes d'extraction comprenant au moins une électrode de suppression et une électrode de terre à transparence élevée, l'ensemble des électrodes d'extraction pouvant extraire du faisceau ionique de la source ionique par l'intermédiaire de la plaque, et l'électrode de terre à transparence élevée pouvant être configurée de manière à optimiser la conductance des gaz entre l'électrode de suppression et l'électrode de terre à transparence élevée en vue d'améliorer la qualité du faisceau ionique extrait.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20101104&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010093871A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20101104&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010093871A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SINCLAIR, FRANK</creatorcontrib><creatorcontrib>BENVENISTE, VICTOR, M</creatorcontrib><creatorcontrib>LISCHER, D., JEFFREY</creatorcontrib><creatorcontrib>PLATOW, WILHELM, P</creatorcontrib><creatorcontrib>COBB, ERIC, R</creatorcontrib><creatorcontrib>PATEL, SHARDUL</creatorcontrib><creatorcontrib>KOO, JOHN (BON WOONG)</creatorcontrib><creatorcontrib>BORICHEVSKY, STEVEN, C</creatorcontrib><creatorcontrib>PURSER, KENNETH, H</creatorcontrib><creatorcontrib>RADOVANOV, SVETLANA</creatorcontrib><creatorcontrib>CHANEY, CRAIG, R</creatorcontrib><creatorcontrib>JAGTAP, MAYUR</creatorcontrib><creatorcontrib>BUFF, JAMES, S</creatorcontrib><title>TECHNIQUES FOR IMPROVING EXTRACTED ION BEAM QUALITY USING HIGH TRANSPARENCY ELECTRODES</title><description>Techniques for improving extracted ion beam quality using high-transparency electrodes are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation. The apparatus may comprise an ion source for generating an ion beam, wherein the ion source comprises a faceplate with an aperture for the ion beam to travel therethrough. The apparatus may also comprise a set of extraction electrodes comprising at least a suppression electrode and a high-transparency ground electrode, wherein the set of extraction electrodes may extract the ion beam from the ion source via the faceplate, and wherein the high-transparency ground electrode may be configured to optimize gas conductance between the suppression electrode and the high-transparency ground electrode for improved extracted ion beam quality. L'invention concerne des techniques pour améliorer la qualité d'un faisceau ionique extrait au moyen d'électrodes à transparence élevée. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, les techniques peuvent être réalisées à l'aide d'appareils utilisés pour l'implantation ionique. L'appareil peut comprendre une source ionique destinée à produire un faisceau ionique, la source ionique comprenant une plaque dotée d'un orifice laissant passer le faisceau ionique. L'appareil peut également comprendre un ensemble d'électrodes d'extraction comprenant au moins une électrode de suppression et une électrode de terre à transparence élevée, l'ensemble des électrodes d'extraction pouvant extraire du faisceau ionique de la source ionique par l'intermédiaire de la plaque, et l'électrode de terre à transparence élevée pouvant être configurée de manière à optimiser la conductance des gaz entre l'électrode de suppression et l'électrode de terre à transparence élevée en vue d'améliorer la qualité du faisceau ionique extrait.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyjEKwjAUANAuDqLe4YOzkJpBO8b0twm0SZv8VDuVInESLdT7o4IHcHrLWyYdoVRGtwE9FNaBrhtnO21KwAs5IQlz0NbACUUNbRCVph6C_walSwWfY3wjHBrZA1Yoydkc_TpZ3Mb7HDc_V8m2QJJqF6fnEOdpvMZHfA1nu2cpYxk_HlLB-X_rDYQFMfw</recordid><startdate>20101104</startdate><enddate>20101104</enddate><creator>SINCLAIR, FRANK</creator><creator>BENVENISTE, VICTOR, M</creator><creator>LISCHER, D., JEFFREY</creator><creator>PLATOW, WILHELM, P</creator><creator>COBB, ERIC, R</creator><creator>PATEL, SHARDUL</creator><creator>KOO, JOHN (BON WOONG)</creator><creator>BORICHEVSKY, STEVEN, C</creator><creator>PURSER, KENNETH, H</creator><creator>RADOVANOV, SVETLANA</creator><creator>CHANEY, CRAIG, R</creator><creator>JAGTAP, MAYUR</creator><creator>BUFF, JAMES, S</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20101104</creationdate><title>TECHNIQUES FOR IMPROVING EXTRACTED ION BEAM QUALITY USING HIGH TRANSPARENCY ELECTRODES</title><author>SINCLAIR, FRANK ; BENVENISTE, VICTOR, M ; LISCHER, D., JEFFREY ; PLATOW, WILHELM, P ; COBB, ERIC, R ; PATEL, SHARDUL ; KOO, JOHN (BON WOONG) ; BORICHEVSKY, STEVEN, C ; PURSER, KENNETH, H ; RADOVANOV, SVETLANA ; CHANEY, CRAIG, R ; JAGTAP, MAYUR ; BUFF, JAMES, S</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2010093871A33</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2010</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SINCLAIR, FRANK</creatorcontrib><creatorcontrib>BENVENISTE, VICTOR, M</creatorcontrib><creatorcontrib>LISCHER, D., JEFFREY</creatorcontrib><creatorcontrib>PLATOW, WILHELM, P</creatorcontrib><creatorcontrib>COBB, ERIC, R</creatorcontrib><creatorcontrib>PATEL, SHARDUL</creatorcontrib><creatorcontrib>KOO, JOHN (BON WOONG)</creatorcontrib><creatorcontrib>BORICHEVSKY, STEVEN, C</creatorcontrib><creatorcontrib>PURSER, KENNETH, H</creatorcontrib><creatorcontrib>RADOVANOV, SVETLANA</creatorcontrib><creatorcontrib>CHANEY, CRAIG, R</creatorcontrib><creatorcontrib>JAGTAP, MAYUR</creatorcontrib><creatorcontrib>BUFF, JAMES, S</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SINCLAIR, FRANK</au><au>BENVENISTE, VICTOR, M</au><au>LISCHER, D., JEFFREY</au><au>PLATOW, WILHELM, P</au><au>COBB, ERIC, R</au><au>PATEL, SHARDUL</au><au>KOO, JOHN (BON WOONG)</au><au>BORICHEVSKY, STEVEN, C</au><au>PURSER, KENNETH, H</au><au>RADOVANOV, SVETLANA</au><au>CHANEY, CRAIG, R</au><au>JAGTAP, MAYUR</au><au>BUFF, JAMES, S</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>TECHNIQUES FOR IMPROVING EXTRACTED ION BEAM QUALITY USING HIGH TRANSPARENCY ELECTRODES</title><date>2010-11-04</date><risdate>2010</risdate><abstract>Techniques for improving extracted ion beam quality using high-transparency electrodes are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for ion implantation. The apparatus may comprise an ion source for generating an ion beam, wherein the ion source comprises a faceplate with an aperture for the ion beam to travel therethrough. The apparatus may also comprise a set of extraction electrodes comprising at least a suppression electrode and a high-transparency ground electrode, wherein the set of extraction electrodes may extract the ion beam from the ion source via the faceplate, and wherein the high-transparency ground electrode may be configured to optimize gas conductance between the suppression electrode and the high-transparency ground electrode for improved extracted ion beam quality. L'invention concerne des techniques pour améliorer la qualité d'un faisceau ionique extrait au moyen d'électrodes à transparence élevée. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, les techniques peuvent être réalisées à l'aide d'appareils utilisés pour l'implantation ionique. L'appareil peut comprendre une source ionique destinée à produire un faisceau ionique, la source ionique comprenant une plaque dotée d'un orifice laissant passer le faisceau ionique. L'appareil peut également comprendre un ensemble d'électrodes d'extraction comprenant au moins une électrode de suppression et une électrode de terre à transparence élevée, l'ensemble des électrodes d'extraction pouvant extraire du faisceau ionique de la source ionique par l'intermédiaire de la plaque, et l'électrode de terre à transparence élevée pouvant être configurée de manière à optimiser la conductance des gaz entre l'électrode de suppression et l'électrode de terre à transparence élevée en vue d'améliorer la qualité du faisceau ionique extrait.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2010093871A3
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title TECHNIQUES FOR IMPROVING EXTRACTED ION BEAM QUALITY USING HIGH TRANSPARENCY ELECTRODES
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-26T15%3A54%3A33IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SINCLAIR,%20FRANK&rft.date=2010-11-04&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2010093871A3%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true