PHASE CHANGE MEMORY CELLS AND FABRICATION THEREOF

A phase change memory cell, e.g. a line-cell (2), and fabrication thereof, the cell comprising: two electrodes (6, 8); phase change memory material (10) and a dielectric barrier (12). The dielectric barrier (12) is arranged to provide electron tunnelling, e.g. Fowler-Nordheim tunnelling, to the phase change memory material (10). A contact (15) made of phase change memory material may also be provided. The dielectric barrier (12) is substantially uniform e.g. of substantially uniform thickness, e.g. = 5nm. L'invention concerne une cellule de mémoire à changement de phase, par exemple une cellule à lignes (2), et sa fabrication. La cellule comprend : deux électrodes (6, 8) ; un matériau de mémoire à changement de phase (10) et une barrière diélectrique (12). La barrière diélectrique (12) est agencée pour fournir une tunnellisation d'électrons, par exemple une tunnellisation Fowler-Nordheim, vers le matériau de mémoire à changement de phase (10). On peut également prévoir un contact (15) fait d'un matériau de mémoire à changement de phase. La barrière diélectrique (12) est essentiellement uniforme, par exemple d'une épaisseur essentiellement uniforme, = 5 nm par exemple.