DICING A SEMICONDUCTOR WAFER

A method of dicing a semiconductor wafer comprises scribing at least one dielectric layer along dice lanes to remove material from a surface of the wafer using a laser with a pulse-width between 1 picosecond and 1000 picoseconds and with a repetition frequency corresponding to times between pulses shorter than a thermal relaxation time of the material to be scribed. The wafer is then diced through a metal layer and at least partially through a substrate of the semiconductor wafer. La présente invention concerne un procédé de découpage en tranches d'une plaquette semi-conductrice, qui comprend le rainurage d'au moins une couche diélectrique le long de lignes de découpe pour enlever le matériau d'une surface de la plaquette à l'aide d'un laser ayant une largeur d'impulsion comprise entre 1 picoseconde et 1 000 picosecondes et une fréquence de répétition correspondant à des temps entre les impulsions plus courts qu'un temps de relaxation thermique du matériau à rainurer. La plaquette est ensuite découpée en tranches à travers une couche métallique et au moins partiellement à travers un substrat de la plaquette semi-conductrice.