A HARDWARE SET FOR GROWTH OF HIGH K AND CAPPING MATERIAL FILMS

The present invention generally includes a method and an apparatus for depositing both a high k layer and a capping layer within the same processing chamber by coupling gas precursors, liquid precursors, and solid precursors to the same processing chamber. By coupling gas precursors, liquid precursors, and solid precursors to the same processing chamber, a high k dielectric layer, a capping layer for a PMOS section, and a different capping layer for a NMOS may be deposited within the same processing chamber. The capping layer prevents the metal containing electrode from reacting with the high k dielectric layer. Thus, the threshold voltage for the PMOS and NMOS may be substantially identical. La présente invention concerne de manière générale un procédé et un appareil de dépôt d'une couche à constante diélectrique K élevée et d'une couche de recouvrement dans la même chambre de traitement par couplage de précurseurs gazeux, de précurseurs liquides et de précurseurs solides dans la même chambre de traitement. Par couplage de précurseurs gazeux, de précurseurs liquides et de précurseurs solides dans la même chambre de traitement, une couche à constante diélectrique K élevée, une couche de recouvrement pour une section PMOS, et une couche de recouvrement différente pour un NMOS peuvent être déposées dans la même chambre de traitement. La couche de recouvrement empêche l'électrode contenant du métal de réagir avec la couche à constante diélectrique K élevée. Ainsi, la tension de seuil pour le PMOS et le NMOS peut être sensiblement identique.