METHOD OF MAKING AN IMPROVED SELECTIVE EMITTER FOR SILICON SOLAR CELLS

METHOD OF MAKING AN IMPROVED SELECTIVE EMITTER FOR SILICON SOLAR CELLS

A method for forming a selective emitter on a silicon solar cell is provided. In one embodiment, the method comprises forming an oxide layer on a surface of a P-type silicon substrate, implanting phosphorus doping atoms into the oxide layer on the substrate using plasma immersion ion implantation, p...

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Hauptverfasser: BORDEN, PETER, TAYLOR, MITCHELL C
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator BORDEN, PETER
TAYLOR, MITCHELL C
description A method for forming a selective emitter on a silicon solar cell is provided. In one embodiment, the method comprises forming an oxide layer on a surface of a P-type silicon substrate, implanting phosphorus doping atoms into the oxide layer on the substrate using plasma immersion ion implantation, patterning the oxide layer, annealing the substrate to provide heavily doped regions in the patterned regions and a lightly doped region between the patterned regions, and providing metal contacts at the heavily doped regions. L'invention concerne la formation d'un émetteur sélectif sur une cellule solaire au silicium. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à former une couche d'oxyde sur une surface d'un substrat en silicium de type P, à implanter des atomes dopants de phosphore dans la couche d'oxyde du substrat à l'aide d'une implantation ionique en immersion dans un plasma, à former des motifs au niveau de la couche d'oxyde, à recuire le substrat pour produire des zones fortement dopées dans les régions ayant reçu un motif et une zone légèrement dopée entre les régions ayant reçu un motif, et à disposer des contacts métalliques dans les zones fortement dopées.
format Patent
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In one embodiment, the method comprises forming an oxide layer on a surface of a P-type silicon substrate, implanting phosphorus doping atoms into the oxide layer on the substrate using plasma immersion ion implantation, patterning the oxide layer, annealing the substrate to provide heavily doped regions in the patterned regions and a lightly doped region between the patterned regions, and providing metal contacts at the heavily doped regions. L'invention concerne la formation d'un émetteur sélectif sur une cellule solaire au silicium. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à former une couche d'oxyde sur une surface d'un substrat en silicium de type P, à implanter des atomes dopants de phosphore dans la couche d'oxyde du substrat à l'aide d'une implantation ionique en immersion dans un plasma, à former des motifs au niveau de la couche d'oxyde, à recuire le substrat pour produire des zones fortement dopées dans les régions ayant reçu un motif et une zone légèrement dopée entre les régions ayant reçu un motif, et à disposer des contacts métalliques dans les zones fortement dopées.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090604&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2009070532A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090604&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2009070532A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BORDEN, PETER</creatorcontrib><creatorcontrib>TAYLOR, MITCHELL C</creatorcontrib><title>METHOD OF MAKING AN IMPROVED SELECTIVE EMITTER FOR SILICON SOLAR CELLS</title><description>A method for forming a selective emitter on a silicon solar cell is provided. 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