CHARGE CARRIER STREAM GENERATING ELECTRONIC DEVICE AND METHOD

The present invention discloses an electronic device comprising a generator for generating a stream (125) of charge carriers. The generator comprises a bipolar transistor (100) having an emitter region (120), a collector region (160) and a base region (140) oriented between the emitter region (120) and the collector region (160), and a controller for controlling exposure of the bipolar transistor (100) to a voltage in excess of its open base breakdown voltage (BVCEO) such that the emitter region (120) generates the stream (125) of charge carriers from a first area being smaller than the emitter region surface area. The electronic device may further comprise a material (410) arranged to receive the stream of charge carriers for triggering a change in a property of said material, the emitter region (120) being arranged between the base region (140) and the material (410). In operation, the bipolar transistor (100) is subjected to a voltage in excess of its open base breakdown voltage (BVCEO) such that the emitter region (120) generates the electron stream of charge carriers, e.g. electrons, from a first area being smaller than the emitter region surface area. Consequently, an electron stream having sub-lithographic dimensions is utilized without requiring complex lithographic processing steps. The invention is particularly suitable for use in phase-change memories. La présente invention porte sur un dispositif électronique comprenant un générateur pour générer un flux (125) de porteurs de charge. Le générateur comprend un transistor bipolaire (100) ayant une région d'émetteur (120), une région de collecteur (160) et une région de base (140) orientée entre la région d'émetteur (120) et la région de collecteur (160), et un contrôleur pour commander l'exposition du transistor bipolaire (100) à une tension dépassant sa tension de claquage base ouverte (BVCEO) de sorte que la région d'émetteur (120) génère le flux (125) de porteurs de charge à partir d'une première aire plus petite que l'aire de surface de la région d'émetteur. Le dispositif électronique peut comprendre en outre un matériau (410) arrangé pour recevoir le flux de porteurs de charge pour déclencher un changement d'une propriété dudit matériau, la région d'émetteur (120) étant agencée entre la région de base (140) et le matériau (410). En service, le transistor bipolaire (100) est soumis à une tension dépassant sa tension de claquage base ouverte (BVCEO) de sorte que la région d'émetteur (120) génèr