HIGH LIFETIME CONSUMABLE SILICON NITRIDE-SILICON DIOXIDE PLASMA PROCESSING COMPONENTS
A method of increasing mean time between cleans of a plasma etch chamber and chamber parts lifetimes is provided. Semiconductor substrates are plasma etched in the chamber while using at least one sintered silicon nitride component exposed to ion bombardment and/or ionized halogen gas. The sintered...
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| Format: | Patent |
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| creator | TAYLOR, TRAVIS R RAMANUJAM, K. Y SRINIVASAN, MUKUND MIKIJELJ, BILJANA WU, SHANGHUA KADKHODAYAN, BOBBY |
| description | A method of increasing mean time between cleans of a plasma etch chamber and chamber parts lifetimes is provided. Semiconductor substrates are plasma etched in the chamber while using at least one sintered silicon nitride component exposed to ion bombardment and/or ionized halogen gas. The sintered silicon nitride component includes high purity silicon nitride and a sintering aid consisting of silicon dioxide. A plasma processing chamber is provided including the sintered silicon nitride component. A method of reducing metallic contamination on the surface of a silicon substrate during plasma processing is provided with a plasma processing apparatus including one or more sintered silicon nitride components. A method of manufacturing a component exposed to ion bombardment and/or plasma erosion in a plasma etch chamber, comprising shaping a powder composition consisting of high purity silicon nitride and silicon dioxide and densifying the shaped component.
L'invention concerne un procédé d'augmentation de la durée moyenne qui s'écoule entre les nettoyages d'une chambre de gravure au plasma et de la durée de vie des pièces de la chambre. Des substrats semi-conducteurs sont gravés au plasma dans la chambre en utilisant au moins un composant en nitrure de silicium fritté exposé à un bombardement d'ions et/ou à un halogène gazeux ionisé. Le composant en nitrure de silicium fritté contient un nitrure de silicium de haute pureté et un adjuvant de frittage constitué de dioxyde de silicium. L'invention concerne une chambre de traitement au plasma qui contient le composant en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne un procédé de réduction de la contamination métallique de la surface d'un support en silicium pendant le traitement au plasma avec un appareil de traitement au plasma qui contient un ou plusieurs composants en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant exposé à un bombardement d'ions et/ou à l'érosion par le plasma dans une chambre de gravure au plasma, qui comprend le façonnage d'une composition de poudre constituée de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium de haute pureté et la densification du composant façonné. |
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L'invention concerne un procédé d'augmentation de la durée moyenne qui s'écoule entre les nettoyages d'une chambre de gravure au plasma et de la durée de vie des pièces de la chambre. Des substrats semi-conducteurs sont gravés au plasma dans la chambre en utilisant au moins un composant en nitrure de silicium fritté exposé à un bombardement d'ions et/ou à un halogène gazeux ionisé. Le composant en nitrure de silicium fritté contient un nitrure de silicium de haute pureté et un adjuvant de frittage constitué de dioxyde de silicium. L'invention concerne une chambre de traitement au plasma qui contient le composant en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne un procédé de réduction de la contamination métallique de la surface d'un support en silicium pendant le traitement au plasma avec un appareil de traitement au plasma qui contient un ou plusieurs composants en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant exposé à un bombardement d'ions et/ou à l'érosion par le plasma dans une chambre de gravure au plasma, qui comprend le façonnage d'une composition de poudre constituée de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium de haute pureté et la densification du composant façonné.</description><language>eng ; fre</language><subject>ARTIFICIAL STONE ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CEMENTS ; CERAMICS ; CHEMISTRY ; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS ; CONCRETE ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; LIME, MAGNESIA ; METALLURGY ; REFRACTORIES ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SLAG ; TREATMENT OF NATURAL STONE</subject><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20090507&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2009058235A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20090507&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2009058235A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>TAYLOR, TRAVIS R</creatorcontrib><creatorcontrib>RAMANUJAM, K. Y</creatorcontrib><creatorcontrib>SRINIVASAN, MUKUND</creatorcontrib><creatorcontrib>MIKIJELJ, BILJANA</creatorcontrib><creatorcontrib>WU, SHANGHUA</creatorcontrib><creatorcontrib>KADKHODAYAN, BOBBY</creatorcontrib><title>HIGH LIFETIME CONSUMABLE SILICON NITRIDE-SILICON DIOXIDE PLASMA PROCESSING COMPONENTS</title><description>A method of increasing mean time between cleans of a plasma etch chamber and chamber parts lifetimes is provided. Semiconductor substrates are plasma etched in the chamber while using at least one sintered silicon nitride component exposed to ion bombardment and/or ionized halogen gas. The sintered silicon nitride component includes high purity silicon nitride and a sintering aid consisting of silicon dioxide. A plasma processing chamber is provided including the sintered silicon nitride component. A method of reducing metallic contamination on the surface of a silicon substrate during plasma processing is provided with a plasma processing apparatus including one or more sintered silicon nitride components. A method of manufacturing a component exposed to ion bombardment and/or plasma erosion in a plasma etch chamber, comprising shaping a powder composition consisting of high purity silicon nitride and silicon dioxide and densifying the shaped component.
L'invention concerne un procédé d'augmentation de la durée moyenne qui s'écoule entre les nettoyages d'une chambre de gravure au plasma et de la durée de vie des pièces de la chambre. Des substrats semi-conducteurs sont gravés au plasma dans la chambre en utilisant au moins un composant en nitrure de silicium fritté exposé à un bombardement d'ions et/ou à un halogène gazeux ionisé. Le composant en nitrure de silicium fritté contient un nitrure de silicium de haute pureté et un adjuvant de frittage constitué de dioxyde de silicium. L'invention concerne une chambre de traitement au plasma qui contient le composant en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne un procédé de réduction de la contamination métallique de la surface d'un support en silicium pendant le traitement au plasma avec un appareil de traitement au plasma qui contient un ou plusieurs composants en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant exposé à un bombardement d'ions et/ou à l'érosion par le plasma dans une chambre de gravure au plasma, qui comprend le façonnage d'une composition de poudre constituée de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium de haute pureté et la densification du composant façonné.</description><subject>ARTIFICIAL STONE</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CEMENTS</subject><subject>CERAMICS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS</subject><subject>CONCRETE</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>LIME, MAGNESIA</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>REFRACTORIES</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SLAG</subject><subject>TREATMENT OF NATURAL STONE</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2009</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZAj18HT3UPDxdHMN8fR1VXD29wsO9XV08nFVCPb08QRyFfw8Q4I8XVx1YXwXT_8IIF8hwMcx2NdRISDI39k1ONjTzx2o2TfA38_VLySYh4E1LTGnOJUXSnMzKAMtcPbQTS3Ij08tLkhMTs1LLYkP9zcyMLA0MLUwMjZ1NDImThUAQqUxrw</recordid><startdate>20090507</startdate><enddate>20090507</enddate><creator>TAYLOR, TRAVIS R</creator><creator>RAMANUJAM, K. 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Semiconductor substrates are plasma etched in the chamber while using at least one sintered silicon nitride component exposed to ion bombardment and/or ionized halogen gas. The sintered silicon nitride component includes high purity silicon nitride and a sintering aid consisting of silicon dioxide. A plasma processing chamber is provided including the sintered silicon nitride component. A method of reducing metallic contamination on the surface of a silicon substrate during plasma processing is provided with a plasma processing apparatus including one or more sintered silicon nitride components. A method of manufacturing a component exposed to ion bombardment and/or plasma erosion in a plasma etch chamber, comprising shaping a powder composition consisting of high purity silicon nitride and silicon dioxide and densifying the shaped component.
L'invention concerne un procédé d'augmentation de la durée moyenne qui s'écoule entre les nettoyages d'une chambre de gravure au plasma et de la durée de vie des pièces de la chambre. Des substrats semi-conducteurs sont gravés au plasma dans la chambre en utilisant au moins un composant en nitrure de silicium fritté exposé à un bombardement d'ions et/ou à un halogène gazeux ionisé. Le composant en nitrure de silicium fritté contient un nitrure de silicium de haute pureté et un adjuvant de frittage constitué de dioxyde de silicium. L'invention concerne une chambre de traitement au plasma qui contient le composant en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne un procédé de réduction de la contamination métallique de la surface d'un support en silicium pendant le traitement au plasma avec un appareil de traitement au plasma qui contient un ou plusieurs composants en nitrure de silicium fritté. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant exposé à un bombardement d'ions et/ou à l'érosion par le plasma dans une chambre de gravure au plasma, qui comprend le façonnage d'une composition de poudre constituée de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium de haute pureté et la densification du composant façonné.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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