POLYCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

POLYCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Die vorliegende Erfindung betrifft einen polykristallinenen Siliciumstab, dadurch gekennzeichnet, dass er einen Stabquerschnitt mit einem zur elektrischen Leitung zur Verfügung stehenden Flächenanteil von 50 - 99 % an Silicium besitzt und der Stab eine Biegefestigkeit von 0,1 bis 80 N/mm2 aufweist....

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Hauptverfasser: HERTLEIN, HARALD, KRAETZSCHMAR, OLIVER
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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creator HERTLEIN, HARALD
KRAETZSCHMAR, OLIVER
description Die vorliegende Erfindung betrifft einen polykristallinenen Siliciumstab, dadurch gekennzeichnet, dass er einen Stabquerschnitt mit einem zur elektrischen Leitung zur Verfügung stehenden Flächenanteil von 50 - 99 % an Silicium besitzt und der Stab eine Biegefestigkeit von 0,1 bis 80 N/mm2 aufweist. The invention relates to a polycrystalline silicon rod that is characterised in that it has a rod cross-section having a surface ratio of between 50 - 99 % of silicon for electric conduction and the rod has a bending strength of between 0.1 to 80 N/mm2. L'invention concerne un barreau de silicium polycristallin, caractérisé en ce qu'il possède une section de barreau ayant une fraction de surface de 50 - 99% en silicium, disponible en conduction électrique, et en ce que le barreau présente une résistance à la flexion de 0,1 à 80 N/mm2.
format Patent
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The invention relates to a polycrystalline silicon rod that is characterised in that it has a rod cross-section having a surface ratio of between 50 - 99 % of silicon for electric conduction and the rod has a bending strength of between 0.1 to 80 N/mm2. L'invention concerne un barreau de silicium polycristallin, caractérisé en ce qu'il possède une section de barreau ayant une fraction de surface de 50 - 99% en silicium, disponible en conduction électrique, et en ce que le barreau présente une résistance à la flexion de 0,1 à 80 N/mm2.</description><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090416&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2009047107A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76516</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090416&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2009047107A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HERTLEIN, HARALD</creatorcontrib><creatorcontrib>KRAETZSCHMAR, OLIVER</creatorcontrib><title>POLYCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF</title><description>Die vorliegende Erfindung betrifft einen polykristallinenen Siliciumstab, dadurch gekennzeichnet, dass er einen Stabquerschnitt mit einem zur elektrischen Leitung zur Verfügung stehenden Flächenanteil von 50 - 99 % an Silicium besitzt und der Stab eine Biegefestigkeit von 0,1 bis 80 N/mm2 aufweist. The invention relates to a polycrystalline silicon rod that is characterised in that it has a rod cross-section having a surface ratio of between 50 - 99 % of silicon for electric conduction and the rod has a bending strength of between 0.1 to 80 N/mm2. L'invention concerne un barreau de silicium polycristallin, caractérisé en ce qu'il possède une section de barreau ayant une fraction de surface de 50 - 99% en silicium, disponible en conduction électrique, et en ce que le barreau présente une résistance à la flexion de 0,1 à 80 N/mm2.</description><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2009</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAN8PeJdA6KDA5x9PHx9HNVCPb08XT291Nw9HNR8HUN8fB3UXDzD1II8XBVCAjydwl1DvEEygK5Qa7-bjwMrGmJOcWpvFCam0HZzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JD7c38jAwNLAxNzQwNzRyJg4VQD7qCsB</recordid><startdate>20090416</startdate><enddate>20090416</enddate><creator>HERTLEIN, HARALD</creator><creator>KRAETZSCHMAR, OLIVER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20090416</creationdate><title>POLYCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF</title><author>HERTLEIN, HARALD ; KRAETZSCHMAR, OLIVER</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2009047107A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2009</creationdate><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HERTLEIN, HARALD</creatorcontrib><creatorcontrib>KRAETZSCHMAR, OLIVER</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HERTLEIN, HARALD</au><au>KRAETZSCHMAR, OLIVER</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>POLYCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF</title><date>2009-04-16</date><risdate>2009</risdate><abstract>Die vorliegende Erfindung betrifft einen polykristallinenen Siliciumstab, dadurch gekennzeichnet, dass er einen Stabquerschnitt mit einem zur elektrischen Leitung zur Verfügung stehenden Flächenanteil von 50 - 99 % an Silicium besitzt und der Stab eine Biegefestigkeit von 0,1 bis 80 N/mm2 aufweist. 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