METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A NONVOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING A SINGLE FLOTOX ELEMENT

A method and system for providing a content addressable memory cell (CAM) as well as the CAM are disclosed. In one aspect, the method and system include providing a plurality of memory cells, at least one search line and at least one match line. Each of the CAM cells includes a FLOating gate Tunnel...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: SFARTI, ADRIAN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator SFARTI, ADRIAN
description A method and system for providing a content addressable memory cell (CAM) as well as the CAM are disclosed. In one aspect, the method and system include providing a plurality of memory cells, at least one search line and at least one match line. Each of the CAM cells includes a FLOating gate Tunnel OXide (FLOTOX) element. The FLOTOX element includes a single floating gate transistor and a high voltage select transistor and can store at least a portion of a data word. Each CAM cell also preferably includes at least one low voltage transistor capable of comparing the portion of data word stored in the FLOTOX element with the portion of searched word. The search line(s) provide search word(s). The comparator(s) are connected with the search line(s) and the memory cells. L'invention porte sur une méthode et un système d'élaboration d'une cellule de mémoire à contenu adressable (CAM), et sur la CAM elle-même. Dans un aspect, la méthode et le système incluent plusieurs cellules de mémoire, au moins une ligne de recherche et au moins une ligne de concordance. Chacune des cellules de CAM comporte un élément FLOTOX (oxyde de tunnel/grille flottante) comprenant un seul transistor de grille flottante et un transistor de sélection haute tension et peut stocker au moins une partie de mot de données. Chaque cellule CAM comporte également de préférence au moins un transistor basse tension servant à comparer la partie de mot de données stocké dans l'élément FLOTOX avec la partie de mot recherché. La ou les ligne (s) de recherche fournissent les mot (s) recherchés. Le comparateur est connecté à la ou aux ligne (s) de recherche et aux cellules de mémoire.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2008118506A2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2008118506A2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2008118506A23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNi0EKwjAQAHvxIOofFjwLaUXpNTZbW0iykqzVnkqR9CRaqP_HiD7A08AwM08Gg1yRAmkV-NYzGijJwclRU6vaHkGCJduQllxrhIIso2WQSjn0Xh6iM2jItXD23_yDaEtNTFdAjSYOy2Q29PcprH5cJOsSuag2YXx2YRr7W3iEV3ehTIg8TfOd2Mts-1_1BpkpNhg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A NONVOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING A SINGLE FLOTOX ELEMENT</title><source>esp@cenet</source><creator>SFARTI, ADRIAN</creator><creatorcontrib>SFARTI, ADRIAN</creatorcontrib><description>A method and system for providing a content addressable memory cell (CAM) as well as the CAM are disclosed. In one aspect, the method and system include providing a plurality of memory cells, at least one search line and at least one match line. Each of the CAM cells includes a FLOating gate Tunnel OXide (FLOTOX) element. The FLOTOX element includes a single floating gate transistor and a high voltage select transistor and can store at least a portion of a data word. Each CAM cell also preferably includes at least one low voltage transistor capable of comparing the portion of data word stored in the FLOTOX element with the portion of searched word. The search line(s) provide search word(s). The comparator(s) are connected with the search line(s) and the memory cells. L'invention porte sur une méthode et un système d'élaboration d'une cellule de mémoire à contenu adressable (CAM), et sur la CAM elle-même. Dans un aspect, la méthode et le système incluent plusieurs cellules de mémoire, au moins une ligne de recherche et au moins une ligne de concordance. Chacune des cellules de CAM comporte un élément FLOTOX (oxyde de tunnel/grille flottante) comprenant un seul transistor de grille flottante et un transistor de sélection haute tension et peut stocker au moins une partie de mot de données. Chaque cellule CAM comporte également de préférence au moins un transistor basse tension servant à comparer la partie de mot de données stocké dans l'élément FLOTOX avec la partie de mot recherché. La ou les ligne (s) de recherche fournissent les mot (s) recherchés. Le comparateur est connecté à la ou aux ligne (s) de recherche et aux cellules de mémoire.</description><language>eng ; fre</language><subject>CALCULATING ; COMPUTING ; COUNTING ; IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL ; INFORMATION STORAGE ; PHYSICS ; STATIC STORES</subject><creationdate>2008</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20081002&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2008118506A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25551,76302</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20081002&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2008118506A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SFARTI, ADRIAN</creatorcontrib><title>METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A NONVOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING A SINGLE FLOTOX ELEMENT</title><description>A method and system for providing a content addressable memory cell (CAM) as well as the CAM are disclosed. In one aspect, the method and system include providing a plurality of memory cells, at least one search line and at least one match line. Each of the CAM cells includes a FLOating gate Tunnel OXide (FLOTOX) element. The FLOTOX element includes a single floating gate transistor and a high voltage select transistor and can store at least a portion of a data word. Each CAM cell also preferably includes at least one low voltage transistor capable of comparing the portion of data word stored in the FLOTOX element with the portion of searched word. The search line(s) provide search word(s). The comparator(s) are connected with the search line(s) and the memory cells. L'invention porte sur une méthode et un système d'élaboration d'une cellule de mémoire à contenu adressable (CAM), et sur la CAM elle-même. Dans un aspect, la méthode et le système incluent plusieurs cellules de mémoire, au moins une ligne de recherche et au moins une ligne de concordance. Chacune des cellules de CAM comporte un élément FLOTOX (oxyde de tunnel/grille flottante) comprenant un seul transistor de grille flottante et un transistor de sélection haute tension et peut stocker au moins une partie de mot de données. Chaque cellule CAM comporte également de préférence au moins un transistor basse tension servant à comparer la partie de mot de données stocké dans l'élément FLOTOX avec la partie de mot recherché. La ou les ligne (s) de recherche fournissent les mot (s) recherchés. Le comparateur est connecté à la ou aux ligne (s) de recherche et aux cellules de mémoire.</description><subject>CALCULATING</subject><subject>COMPUTING</subject><subject>COUNTING</subject><subject>IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL</subject><subject>INFORMATION STORAGE</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>STATIC STORES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2008</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNi0EKwjAQAHvxIOofFjwLaUXpNTZbW0iykqzVnkqR9CRaqP_HiD7A08AwM08Gg1yRAmkV-NYzGijJwclRU6vaHkGCJduQllxrhIIso2WQSjn0Xh6iM2jItXD23_yDaEtNTFdAjSYOy2Q29PcprH5cJOsSuag2YXx2YRr7W3iEV3ehTIg8TfOd2Mts-1_1BpkpNhg</recordid><startdate>20081002</startdate><enddate>20081002</enddate><creator>SFARTI, ADRIAN</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20081002</creationdate><title>METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A NONVOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING A SINGLE FLOTOX ELEMENT</title><author>SFARTI, ADRIAN</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2008118506A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2008</creationdate><topic>CALCULATING</topic><topic>COMPUTING</topic><topic>COUNTING</topic><topic>IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL</topic><topic>INFORMATION STORAGE</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>STATIC STORES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SFARTI, ADRIAN</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SFARTI, ADRIAN</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A NONVOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING A SINGLE FLOTOX ELEMENT</title><date>2008-10-02</date><risdate>2008</risdate><abstract>A method and system for providing a content addressable memory cell (CAM) as well as the CAM are disclosed. In one aspect, the method and system include providing a plurality of memory cells, at least one search line and at least one match line. Each of the CAM cells includes a FLOating gate Tunnel OXide (FLOTOX) element. The FLOTOX element includes a single floating gate transistor and a high voltage select transistor and can store at least a portion of a data word. Each CAM cell also preferably includes at least one low voltage transistor capable of comparing the portion of data word stored in the FLOTOX element with the portion of searched word. The search line(s) provide search word(s). The comparator(s) are connected with the search line(s) and the memory cells. L'invention porte sur une méthode et un système d'élaboration d'une cellule de mémoire à contenu adressable (CAM), et sur la CAM elle-même. Dans un aspect, la méthode et le système incluent plusieurs cellules de mémoire, au moins une ligne de recherche et au moins une ligne de concordance. Chacune des cellules de CAM comporte un élément FLOTOX (oxyde de tunnel/grille flottante) comprenant un seul transistor de grille flottante et un transistor de sélection haute tension et peut stocker au moins une partie de mot de données. Chaque cellule CAM comporte également de préférence au moins un transistor basse tension servant à comparer la partie de mot de données stocké dans l'élément FLOTOX avec la partie de mot recherché. La ou les ligne (s) de recherche fournissent les mot (s) recherchés. Le comparateur est connecté à la ou aux ligne (s) de recherche et aux cellules de mémoire.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2008118506A2
source esp@cenet
subjects CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
title METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A NONVOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING A SINGLE FLOTOX ELEMENT
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-15T13%3A21%3A45IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SFARTI,%20ADRIAN&rft.date=2008-10-02&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2008118506A2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true