METHOD FOR LOW TEMPERATURE THERMAL CLEANING
Methods and apparatus for cleaning undesired substances from a surface in a semiconductor processing chamber. A gas mixture containing a fluorine source and an oxygen source is pre-treated to contain active fluorine species. The pre-treated mixture is stored for a time in a gas storage device, and t...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | SHIGEMOTO, TAKAMITSU SONOBE, JUN TADAKI, YUDAI GIRARD, JEAN-MARC |
| description | Methods and apparatus for cleaning undesired substances from a surface in a semiconductor processing chamber. A gas mixture containing a fluorine source and an oxygen source is pre-treated to contain active fluorine species. The pre-treated mixture is stored for a time in a gas storage device, and then introduced to a semiconductor processing chamber. Prior to introduction of the pre-treated gas, the temperature in the chamber is lowered to a temperature equal to or iower than the normal operating temperature. Undesired substances are removed or cleaned through chemical reaction with the pre-treated gas mixture, without the generation of a plasma or a high temperature condition in the chamber.
L'invention concerne des procédés et un appareil pour nettoyer des substances indésirées à partir d'une surface dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Un mélange de gaz contenant une source de fluor et une source d'oxygène est prétraité pour contenir une espèce de fluor active. Le mélange prétraité est stocké pendant un temps dans un dispositif de stockage de gaz, puis est introduit dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Avant l'introduction du gaz prétraité, la température dans la chambre est abaissée jusqu'à une température égale ou inférieure à la température normale de fonctionnement. Les substances indésirées sont éliminées ou nettoyées par réaction chimique avec le mélange de gaz prétraité, sans générer de plasma ou une condition haute température dans la chambre. |
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L'invention concerne des procédés et un appareil pour nettoyer des substances indésirées à partir d'une surface dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Un mélange de gaz contenant une source de fluor et une source d'oxygène est prétraité pour contenir une espèce de fluor active. Le mélange prétraité est stocké pendant un temps dans un dispositif de stockage de gaz, puis est introduit dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Avant l'introduction du gaz prétraité, la température dans la chambre est abaissée jusqu'à une température égale ou inférieure à la température normale de fonctionnement. Les substances indésirées sont éliminées ou nettoyées par réaction chimique avec le mélange de gaz prétraité, sans générer de plasma ou une condition haute température dans la chambre.</description><language>eng ; fre</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; CLEANING ; CLEANING IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2008</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20081002&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2008117258A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20081002&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2008117258A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SHIGEMOTO, TAKAMITSU</creatorcontrib><creatorcontrib>SONOBE, JUN</creatorcontrib><creatorcontrib>TADAKI, YUDAI</creatorcontrib><creatorcontrib>GIRARD, JEAN-MARC</creatorcontrib><title>METHOD FOR LOW TEMPERATURE THERMAL CLEANING</title><description>Methods and apparatus for cleaning undesired substances from a surface in a semiconductor processing chamber. A gas mixture containing a fluorine source and an oxygen source is pre-treated to contain active fluorine species. The pre-treated mixture is stored for a time in a gas storage device, and then introduced to a semiconductor processing chamber. Prior to introduction of the pre-treated gas, the temperature in the chamber is lowered to a temperature equal to or iower than the normal operating temperature. Undesired substances are removed or cleaned through chemical reaction with the pre-treated gas mixture, without the generation of a plasma or a high temperature condition in the chamber.
L'invention concerne des procédés et un appareil pour nettoyer des substances indésirées à partir d'une surface dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Un mélange de gaz contenant une source de fluor et une source d'oxygène est prétraité pour contenir une espèce de fluor active. Le mélange prétraité est stocké pendant un temps dans un dispositif de stockage de gaz, puis est introduit dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Avant l'introduction du gaz prétraité, la température dans la chambre est abaissée jusqu'à une température égale ou inférieure à la température normale de fonctionnement. Les substances indésirées sont éliminées ou nettoyées par réaction chimique avec le mélange de gaz prétraité, sans générer de plasma ou une condition haute température dans la chambre.</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CLEANING</subject><subject>CLEANING IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PREVENTION OF FOULING IN GENERAL</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2008</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZND2dQ3x8HdRcPMPUvDxD1cIcfUNcA1yDAkNclUI8XAN8nX0UXD2cXX08_Rz52FgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgYGFoaG5kamFo5GxsSpAgAJrSXe</recordid><startdate>20081002</startdate><enddate>20081002</enddate><creator>SHIGEMOTO, TAKAMITSU</creator><creator>SONOBE, JUN</creator><creator>TADAKI, YUDAI</creator><creator>GIRARD, JEAN-MARC</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20081002</creationdate><title>METHOD FOR LOW TEMPERATURE THERMAL CLEANING</title><author>SHIGEMOTO, TAKAMITSU ; SONOBE, JUN ; TADAKI, YUDAI ; GIRARD, JEAN-MARC</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2008117258A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2008</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CLEANING</topic><topic>CLEANING IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PREVENTION OF FOULING IN GENERAL</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SHIGEMOTO, TAKAMITSU</creatorcontrib><creatorcontrib>SONOBE, JUN</creatorcontrib><creatorcontrib>TADAKI, YUDAI</creatorcontrib><creatorcontrib>GIRARD, JEAN-MARC</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SHIGEMOTO, TAKAMITSU</au><au>SONOBE, JUN</au><au>TADAKI, YUDAI</au><au>GIRARD, JEAN-MARC</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR LOW TEMPERATURE THERMAL CLEANING</title><date>2008-10-02</date><risdate>2008</risdate><abstract>Methods and apparatus for cleaning undesired substances from a surface in a semiconductor processing chamber. A gas mixture containing a fluorine source and an oxygen source is pre-treated to contain active fluorine species. The pre-treated mixture is stored for a time in a gas storage device, and then introduced to a semiconductor processing chamber. Prior to introduction of the pre-treated gas, the temperature in the chamber is lowered to a temperature equal to or iower than the normal operating temperature. Undesired substances are removed or cleaned through chemical reaction with the pre-treated gas mixture, without the generation of a plasma or a high temperature condition in the chamber.
L'invention concerne des procédés et un appareil pour nettoyer des substances indésirées à partir d'une surface dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Un mélange de gaz contenant une source de fluor et une source d'oxygène est prétraité pour contenir une espèce de fluor active. Le mélange prétraité est stocké pendant un temps dans un dispositif de stockage de gaz, puis est introduit dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Avant l'introduction du gaz prétraité, la température dans la chambre est abaissée jusqu'à une température égale ou inférieure à la température normale de fonctionnement. Les substances indésirées sont éliminées ou nettoyées par réaction chimique avec le mélange de gaz prétraité, sans générer de plasma ou une condition haute température dans la chambre.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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