MICROPIPE-FREE SILICON CARBIDE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE

Micropipe-free, single crystal, silicon carbide (SiC) and related methods of manufacture are disclosed. The SiC is grown by placing a source material and seed material on a seed holder in a reaction crucible of the sublimation system, wherein constituent components of the sublimation system including the source material, reaction crucible, and seed holder are substantially free from unintentional impurities. By controlling growth temperature, growth pressure, SiC sublimation flux and composition, and a temperature gradient between the source material and the seed material or the SiC crystal growing on the seed material during the PVT process, micropipe-inducing process instabilities are eliminated and micropipe-free SiC crystal is grown on the seed material. L'invention concerne un carbure de silicium (SiC) monocristallin exempt de micropipes, ainsi que des procédés de fabrication associés. Ce SiC est obtenu par placement d'un matériau source et d'un matériau de semence sur un support de semence dans un creuset de réaction du système de sublimation, les composants constituant le système de sublimation, notamment le matériau brut, le creuset de réaction et le support de semence, étant sensiblement exempts d'impuretés indésirables. Le contrôle de la température de croissance, de la pression de croissance, du flux de sublimation de SiC et de sa composition, et d'un gradient de température entre le matériau source et le matériau de semence ou le cristal SiC en croissance sur le matériau de semence pendant le processus PVT permet d'éliminer les instabilités de processus entraînant la formation de micropipes et de faire croître un cristal SiC exempt de micropipes sur le matériau de semence.