RF POWER TRANSISTOR DEVICE WITH HIGH PERFORMANCE SHUNT CAPACITOR AND METHOD THEREOF
An integrated shunt capacitor comprises a bottom plate (62), a capacitor dielectric (92) overlying a portion of the bottom plate, a top plate (64) overlying the capacitor dielectric, a shield (74) overlying a portion of the top plate; and a metallization feature (70) disposed about and isolated from...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | REN, XIAOWEI LAMEY, DANIEL, J |
| description | An integrated shunt capacitor comprises a bottom plate (62), a capacitor dielectric (92) overlying a portion of the bottom plate, a top plate (64) overlying the capacitor dielectric, a shield (74) overlying a portion of the top plate; and a metallization feature (70) disposed about and isolated from at least two sides of the top plate, the metallization feature for coupling the bottom plate to the shield. In one embodiment, an RF power transistor has an impedance matching network including an integrated shunt capacitor as described herein.
Le condensateur shunt intégré dans le dispositif selon l'invention comprend une plaque inférieure (62), un diélectrique de condensateur (92) recouvrant une partie de la plaque inférieure, une plaque supérieure (64) recouvrant le diélectrique de condensateur, un blindage (74) recouvrant une partie de la plaque supérieure ; et un élément de métallisation (70) disposé autour et isolé d'au moins deux côtés de la plaque supérieure, l'élément de métallisation servant à coupler la plaque inférieure au blindage. Dans un mode de réalisation, le transistor de puissance RF selon l'invention présente un réseau de correspondance d'impédance comprenant un condensateur shunt intégré susmentionné. |
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Le condensateur shunt intégré dans le dispositif selon l'invention comprend une plaque inférieure (62), un diélectrique de condensateur (92) recouvrant une partie de la plaque inférieure, une plaque supérieure (64) recouvrant le diélectrique de condensateur, un blindage (74) recouvrant une partie de la plaque supérieure ; et un élément de métallisation (70) disposé autour et isolé d'au moins deux côtés de la plaque supérieure, l'élément de métallisation servant à coupler la plaque inférieure au blindage. Dans un mode de réalisation, le transistor de puissance RF selon l'invention présente un réseau de correspondance d'impédance comprenant un condensateur shunt intégré susmentionné.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2008</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20080724&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2007146899A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20080724&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2007146899A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>REN, XIAOWEI</creatorcontrib><creatorcontrib>LAMEY, DANIEL, J</creatorcontrib><title>RF POWER TRANSISTOR DEVICE WITH HIGH PERFORMANCE SHUNT CAPACITOR AND METHOD THEREOF</title><description>An integrated shunt capacitor comprises a bottom plate (62), a capacitor dielectric (92) overlying a portion of the bottom plate, a top plate (64) overlying the capacitor dielectric, a shield (74) overlying a portion of the top plate; and a metallization feature (70) disposed about and isolated from at least two sides of the top plate, the metallization feature for coupling the bottom plate to the shield. In one embodiment, an RF power transistor has an impedance matching network including an integrated shunt capacitor as described herein.
Le condensateur shunt intégré dans le dispositif selon l'invention comprend une plaque inférieure (62), un diélectrique de condensateur (92) recouvrant une partie de la plaque inférieure, une plaque supérieure (64) recouvrant le diélectrique de condensateur, un blindage (74) recouvrant une partie de la plaque supérieure ; et un élément de métallisation (70) disposé autour et isolé d'au moins deux côtés de la plaque supérieure, l'élément de métallisation servant à coupler la plaque inférieure au blindage. Dans un mode de réalisation, le transistor de puissance RF selon l'invention présente un réseau de correspondance d'impédance comprenant un condensateur shunt intégré susmentionné.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2008</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyrEKwjAQgOEsDqK-w4GzUK1YO4b04mVoEi6nHUuROIkW6vujgg_g9MPPN1eJLcTQIYOw9sklCQwNXpxB6JwQkDsRRGQbuNX-cxOdvYDRURv3xdo30KJQaEAIGYNdqtltuE959etCrS2KoU0en32exuGaH_nVd2FXFNV2fzjWtS7L_9QbyqQw7w</recordid><startdate>20080724</startdate><enddate>20080724</enddate><creator>REN, XIAOWEI</creator><creator>LAMEY, DANIEL, J</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20080724</creationdate><title>RF POWER TRANSISTOR DEVICE WITH HIGH PERFORMANCE SHUNT CAPACITOR AND METHOD THEREOF</title><author>REN, XIAOWEI ; LAMEY, DANIEL, J</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2007146899A33</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2008</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>REN, XIAOWEI</creatorcontrib><creatorcontrib>LAMEY, DANIEL, J</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>REN, XIAOWEI</au><au>LAMEY, DANIEL, J</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>RF POWER TRANSISTOR DEVICE WITH HIGH PERFORMANCE SHUNT CAPACITOR AND METHOD THEREOF</title><date>2008-07-24</date><risdate>2008</risdate><abstract>An integrated shunt capacitor comprises a bottom plate (62), a capacitor dielectric (92) overlying a portion of the bottom plate, a top plate (64) overlying the capacitor dielectric, a shield (74) overlying a portion of the top plate; and a metallization feature (70) disposed about and isolated from at least two sides of the top plate, the metallization feature for coupling the bottom plate to the shield. In one embodiment, an RF power transistor has an impedance matching network including an integrated shunt capacitor as described herein.
Le condensateur shunt intégré dans le dispositif selon l'invention comprend une plaque inférieure (62), un diélectrique de condensateur (92) recouvrant une partie de la plaque inférieure, une plaque supérieure (64) recouvrant le diélectrique de condensateur, un blindage (74) recouvrant une partie de la plaque supérieure ; et un élément de métallisation (70) disposé autour et isolé d'au moins deux côtés de la plaque supérieure, l'élément de métallisation servant à coupler la plaque inférieure au blindage. Dans un mode de réalisation, le transistor de puissance RF selon l'invention présente un réseau de correspondance d'impédance comprenant un condensateur shunt intégré susmentionné.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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