METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR ON INSULATOR STRUCTURE

A method of bonding a thin semiconductor film onto a rectangular substrate (22) is disclosed. The method makes it possible to exfoliate rectangular semiconductor films from a round precursor semiconductor wafer, thereby providing for efficient tiling of the substrate with semiconductor film. The method includes the steps of creating a damage zone (12) in the precursor wafer (10) by ion implantation of the wafer, removing a portion (16) of the wafer to formed a raised portion (18), bonding the raised portion of the wafer (10) to the substrate (22), and exfoliating the bonded raised portion. L'invention concerne un procédé de liaison d'une couche mince de semi-conducteur sur un substrat rectangulaire (22). Ce procédé permet d'exfolier des couches de semi-conducteur rectangulaires dans une tranche ronde de semi-conducteur précurseur de façon à obtenir un recouvrement efficace du substrat avec la couche de semi-conducteur. Ledit procédé consiste à créer une zone d'endommagement (12) dans la tranche (10) de précurseur par implantation ionique de la tranche, à retirer une partie (16) de la tranche pour former une partie surélevée (18), à lier la partie surélevée de la tranche (10) au substrat (22), puis à exfolier la partie surélevée liée.