HIGH-THROUGHPUT PRINTING OF CHALCOGEN LAYER AND THE USE OF AN INTER-METALLIC MATERIAL

Methods and devices for high-throughput printing of a precursor material for forming a film of a group IB-IIIA- chalcogenide compound are disclosed. In one embodiment, the method comprises forming a precursor layer on a substrate, wherein the precursor layer comprises one or more discrete layers. The layers may include at least a first layer containing one or more group IB elements and two or more different group IDA elements and at least a second layer containing elemental chalcogen particles. The precursor layer may be heated to a temperature sufficient to melt the chalcogen particles and to react the chalcogen particles with the one or more group IB elements and group IDA elements in the precursor layer to form a film of a group IB-IIIA- chalcogenide compound. At least one set of the particles in the precursor layer are inter-metallic particles containing at least one group IB-IIIA inter-metallic alloy phase. The method may also include making a film of group IB-IIIA- chalcogenide compound that includes mixing the nanoparticles and/or nanoglobules and/or nanodroplets to form an ink, depositing the ink on a substrate, heating to melt the extra chalcogen and to react the chalcogen with the group IB and group IIIA elements and/or chalcogenides to form a dense film. L'invention concerne des procédés et appareils pour l'impression à haute vitesse d'une matière précurseur servant à former un film d'un composé chalcogénure d'éléments des groupes IB-IIIA. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à former une couche de précurseur sur un substrat, ladite couche de précurseur comprenant une ou plusieurs couches discrètes. Les couches peuvent comprendre au moins une première couche contenant un ou plusieurs éléments du groupe IB et deux éléments différents du groupe IIIA ou plus et au moins une seconde couche contenant des particules de chalcogène élémentaire. On peut chauffer la couche de précurseur à une température suffisante pour faire fondre les particules de chalcogène et pour faire réagir les particules de chalcogène avec ledit ou lesdits éléments du groupe IB et lesdits deux éléments du groupe IIIA ou plus dans la couche de précurseur pour former un film d'un composé chalcogénure d'éléments des groupes IB-IIIA. Au moins un ensemble des particules dans la couche de précurseur est constitué de particules intermétalliques contenant au moins une phase d'alliage intermétallique d'éléments des groupes IB-IIIA. Le procédé peut également consister à fabriqu