BONDED MULTI-LAYER RF WINDOW
A bonded multi-layer RF window (130) may include an external layer (132) of dielectric material having desired thermal properties, an internal layer (134) of dielectric material exposed to plasma inside a reaction chamber (100), and an intermediate layer (136) of bonding material between the externa...
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| creator | WANG, YOU HAN, NIANCI HOLLAND, JOHN, P QIAN, XUEYU CLINTON, JON LEAHEY, PATRICK LI, MAOCHENG BARNES, MICHAEL, S |
| description | A bonded multi-layer RF window (130) may include an external layer (132) of dielectric material having desired thermal properties, an internal layer (134) of dielectric material exposed to plasma inside a reaction chamber (100), and an intermediate layer (136) of bonding material between the external layer and the internal layer. Heat produced by the chemical reaction inside the chamber and by the transmission of RF energy (112) through the window may be conducted from the internal layer to the external layer, which may be cooled during a semiconductor wafer manufacturing process. A bonded multi-layer RF (150) window may include cooling conduits (158) for circulating coolant to facilitate cooling of the internal layer; additionally or alternatively, gas distribution conduits (178) and gas injection apertures (180) may be included for delivering one or more process gases into a reaction chamber. A system including a plasma reaction chamber may employ the inventive bonded multi-layer RF window.
Une fenêtre RF multicouche soudée (130) peut comprendre une couche extérieure (132) en matériau diélectrique présentant des propriétés thermiques désirées, une couche intérieure (134) en matériau diélectrique exposée au plasma à l'intérieur d'une chambre de réaction (100) et une couche intermédiaire (136) de matériau de liaison située entre la couche extérieure et la couche intérieure. La chaleur produite par la réaction chimique à l'intérieur de la chambre et par la transmission de l'énergie RF (112) par la fenêtre peut être conduite depuis la couche intérieure jusqu'à la couche extérieure, qui peut être refroidie au cours d'un procédé de production de tranches de semi-conducteurs. Une fenêtre RF multicouche soudée (150) peut comprendre des conduits de refroidissement (158) permettant à un frigorigène en circulation de faciliter le refroidissement de la couche intérieure; de plus ou en remplacement, des conduits de distribution de gaz (178) et des ouvertures d'injection de gaz (180) peuvent être prévus pour apporter au moins un gaz de traitement dans une chambre de réaction. Un système comprenant une chambre de réaction à plasma peut utiliser la fenêtre RF multicouche soudée selon l'invention. |
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Une fenêtre RF multicouche soudée (130) peut comprendre une couche extérieure (132) en matériau diélectrique présentant des propriétés thermiques désirées, une couche intérieure (134) en matériau diélectrique exposée au plasma à l'intérieur d'une chambre de réaction (100) et une couche intermédiaire (136) de matériau de liaison située entre la couche extérieure et la couche intérieure. La chaleur produite par la réaction chimique à l'intérieur de la chambre et par la transmission de l'énergie RF (112) par la fenêtre peut être conduite depuis la couche intérieure jusqu'à la couche extérieure, qui peut être refroidie au cours d'un procédé de production de tranches de semi-conducteurs. Une fenêtre RF multicouche soudée (150) peut comprendre des conduits de refroidissement (158) permettant à un frigorigène en circulation de faciliter le refroidissement de la couche intérieure; de plus ou en remplacement, des conduits de distribution de gaz (178) et des ouvertures d'injection de gaz (180) peuvent être prévus pour apporter au moins un gaz de traitement dans une chambre de réaction. Un système comprenant une chambre de réaction à plasma peut utiliser la fenêtre RF multicouche soudée selon l'invention.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25 ; NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20090409&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2007041041A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20090409&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2007041041A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WANG, YOU</creatorcontrib><creatorcontrib>HAN, NIANCI</creatorcontrib><creatorcontrib>HOLLAND, JOHN, P</creatorcontrib><creatorcontrib>QIAN, XUEYU</creatorcontrib><creatorcontrib>CLINTON, JON</creatorcontrib><creatorcontrib>LEAHEY, PATRICK</creatorcontrib><creatorcontrib>LI, MAOCHENG</creatorcontrib><creatorcontrib>BARNES, MICHAEL, S</creatorcontrib><title>BONDED MULTI-LAYER RF WINDOW</title><description>A bonded multi-layer RF window (130) may include an external layer (132) of dielectric material having desired thermal properties, an internal layer (134) of dielectric material exposed to plasma inside a reaction chamber (100), and an intermediate layer (136) of bonding material between the external layer and the internal layer. Heat produced by the chemical reaction inside the chamber and by the transmission of RF energy (112) through the window may be conducted from the internal layer to the external layer, which may be cooled during a semiconductor wafer manufacturing process. A bonded multi-layer RF (150) window may include cooling conduits (158) for circulating coolant to facilitate cooling of the internal layer; additionally or alternatively, gas distribution conduits (178) and gas injection apertures (180) may be included for delivering one or more process gases into a reaction chamber. A system including a plasma reaction chamber may employ the inventive bonded multi-layer RF window.
Une fenêtre RF multicouche soudée (130) peut comprendre une couche extérieure (132) en matériau diélectrique présentant des propriétés thermiques désirées, une couche intérieure (134) en matériau diélectrique exposée au plasma à l'intérieur d'une chambre de réaction (100) et une couche intermédiaire (136) de matériau de liaison située entre la couche extérieure et la couche intérieure. La chaleur produite par la réaction chimique à l'intérieur de la chambre et par la transmission de l'énergie RF (112) par la fenêtre peut être conduite depuis la couche intérieure jusqu'à la couche extérieure, qui peut être refroidie au cours d'un procédé de production de tranches de semi-conducteurs. Une fenêtre RF multicouche soudée (150) peut comprendre des conduits de refroidissement (158) permettant à un frigorigène en circulation de faciliter le refroidissement de la couche intérieure; de plus ou en remplacement, des conduits de distribution de gaz (178) et des ouvertures d'injection de gaz (180) peuvent être prévus pour apporter au moins un gaz de traitement dans une chambre de réaction. 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Heat produced by the chemical reaction inside the chamber and by the transmission of RF energy (112) through the window may be conducted from the internal layer to the external layer, which may be cooled during a semiconductor wafer manufacturing process. A bonded multi-layer RF (150) window may include cooling conduits (158) for circulating coolant to facilitate cooling of the internal layer; additionally or alternatively, gas distribution conduits (178) and gas injection apertures (180) may be included for delivering one or more process gases into a reaction chamber. A system including a plasma reaction chamber may employ the inventive bonded multi-layer RF window.
Une fenêtre RF multicouche soudée (130) peut comprendre une couche extérieure (132) en matériau diélectrique présentant des propriétés thermiques désirées, une couche intérieure (134) en matériau diélectrique exposée au plasma à l'intérieur d'une chambre de réaction (100) et une couche intermédiaire (136) de matériau de liaison située entre la couche extérieure et la couche intérieure. La chaleur produite par la réaction chimique à l'intérieur de la chambre et par la transmission de l'énergie RF (112) par la fenêtre peut être conduite depuis la couche intérieure jusqu'à la couche extérieure, qui peut être refroidie au cours d'un procédé de production de tranches de semi-conducteurs. Une fenêtre RF multicouche soudée (150) peut comprendre des conduits de refroidissement (158) permettant à un frigorigène en circulation de faciliter le refroidissement de la couche intérieure; de plus ou en remplacement, des conduits de distribution de gaz (178) et des ouvertures d'injection de gaz (180) peuvent être prévus pour apporter au moins un gaz de traitement dans une chambre de réaction. Un système comprenant une chambre de réaction à plasma peut utiliser la fenêtre RF multicouche soudée selon l'invention.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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