LOW POWER MULTIPLE BIT SENSE AMPLIFIER

A sense amplifier for multiple level flash memory cells is comprised of a voltage ramp generator that generates a ramp voltage signal. Reference sense amplifiers compare an input reference current to a ramp current generated from the ramp voltage signal. When the ramp voltage signal is greater than the reference current, an output latch signal is toggled. A sense amplifier compares an input bit line current to a threshold and outputs a logical low when the bit line current goes over the threshold. The sense amplifier output is latched into one of three digital latches at a time determined by the latch signals. An encoder encodes the data from the three digital latches into two bits of output data. L'invention concerne un amplificateur de détection pour des cellules de mémoire flash à niveaux multiples qui est constitué d'un générateur de tension en rampe qui génère un signal de tension en rampe. Des amplificateurs de détection de référence comparent un courant de référence d'entrée à un courant en rampe généré à partir du signal de tension en rampe. Lorsque le signal de tension en rampe est supérieur au courant de référence, un signal de verrouillage de sortie bascule. Un amplificateur de détection compare un courant de ligne binaire d'entrée à un seuil et émet un état logique 0 lorsque le courant de ligne binaire dépasse le seuil. La sortie de l'amplificateur de détection est verrouillée dans un des trois verrous numériques à un moment déterminé par les signaux de verrouillage. Un codeur code les données des trois verrous numériques en deux bits de données de sortie.