METHOD FOR PREPARING LIGHT EMITTING DIODE DEVICE HAVING HEAT DISSIPATION RATE ENHANCEMENT

Disclosed are a method for fabricating a light emitting diode device having a light emitting diode section grown on a sapphire substrate, a boded structure fabricated through the method, a unit chip separated from the bonded structure, and a light emitting diode device having the unit chip. The method includes the steps of (a) bonding the light emitting diode section grown on a first surface of the sapphire substrate to a first surface of a first substrate by means of a first binder; (b) bonding a second surface of the first substrate to a first surface of a second substrate by means of a second binder; (c) removing the second substrate from a bonded structure obtained as a result of step (b) after polishing a second surface of the sapphire substrate; (d) separating the bonded structure into unit chips after the second substrate has been removed from the bonded structure; and (e) bonding the second surface of the polished sapphire substrate provided in each unit chip to a lead frame, and then removing the first substrate. In the manufacture of high-output light emitting diodes, such a method can remarkably improve heat dissipation efficiency by intentionally reducing the thickness of the sapphire substrate. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente présentant une partie à diodes électroluminescentes développée sur un substrat de saphir, une structure liée fabriquée selon le procédé, une puce élémentaire séparée de la structure liée, ainsi qu'un dispositif à diodes électroluminescentes présentant la puce élémentaire. Le procédé comprend les étapes consistant : (a) à lier la partie à diodes électroluminescentes développée sur une première surface du substrat de saphir à une première surface d'un premier substrat au moyen d'un premier liant ; (b) à lier une seconde surface du premier substrat à une première surface d'un second substrat au moyen d'un second liant ; (c) à éliminer le second substrat d'une structure liée obtenue à la suite de l'étape (b) après polissage d'une seconde surface du substrat de saphir ; (d) à séparer la structure liée en puces élémentaires après que le second substrat a été éliminé de la structure liée ; et (e) à lier la seconde surface du substrat de saphir poli présent dans chaque puce élémentaire à une grille de connexion, puis à éliminer le premier substrat. Lors de la fabrication de diodes électroluminescentes à rendement élevé, ledit procédé peut améliorer remarquablement l'efficacité de dis