GRID TRANSPARENCY AND GRID HOLE PATTERN CONTROL FOR ION BEAM UNIFORMITY

A design process for varying hole locations or sizes or both in an ion beam grid includes identifying a control grid to be modified; obtaining a change factor for the grid pattern; and using the change factor to generate a new grid pattern. The change factor is one or both of a hole location change factor or a hole diameter change factor. Also included is an ion beam grid having the characteristic of hole locations or sizes or both defined by a change factor modification of control grid hole locations or sizes or both. L'invention concerne un procédé de conception permettant de faire varier les emplacements ou les dimensions ou les deux d'une grille de faisceau d'ions, qui consiste à identifier une grille de commande à modifier; à obtenir un facteur de changement pour le nouveau motif de grille; et à utiliser ce facteur de changement pour produire un nouveau motif de grille. Ledit facteur de changement est l'un ou l'autre des facteurs de changement d'emplacement de trou ou de changement de diamètre de trou ou les deux à la fois. L'invention concerne également une grille de faisceau d'ions comprenant la caractéristique d'emplacements ou de dimensions de trou ou les deux définie par modification du facteur de changement d'emplacements ou de dimensions de trou de grille ou les deux.