METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT BY MODIFYING A DESIGN LAYOUT BY ACCOUNTING FOR A PARAMETER THAT VARIES BASED ON A LOCATION WITHIN AN EXPOSURE FIELD
An original layout of an integrated circuit is modified using optical proximity correction (OPC) to obtain a second layout. During OPC, a sensitivity to flare for each feature is conveniently identified (2). To map (4) the flare, the amplitude of intensity is mapped over a field of exposure, which i...
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Format: | Patent |
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creator | BOONE, ROBERT, E PATTERSON, KYLE, W LUCAS, KEVIN, D |
description | An original layout of an integrated circuit is modified using optical proximity correction (OPC) to obtain a second layout. During OPC, a sensitivity to flare for each feature is conveniently identified (2). To map (4) the flare, the amplitude of intensity is mapped over a field of exposure, which is typically a rectangle-shaped area corresponding to an exposure of a stepper. The field of exposure is divided into regions in which a region is characterized as having substantially the same amplitude throughout. For each feature a decision (14) is made whether to make a further correction or not. If correction is desired, the amount of correction is based in part on the region in which the feature is located and the sensitivity of the feature. This same approach is applicable to other properties than flare that vary based on the location within the field of exposure.
Ce procédé consiste à modifier le tracé d'origine d'un circuit intégré par une correction optique de proximité (OPC) afin d'obtenir un second tracé. Au cours du processus d'OPC, la sensibilité de chaque élément à la lumière parasite (flare) est identifiée de manière adéquate (2). Pour mapper (4) de la lumière parasite, on transpose l'amplitude de l'intensité sur un champ d'exposition, lequel se compose normalement d'une zone rectangulaire correspondant à l'exposition par un masqueur. Le champ d'exposition est divisé en deux zones qui sont chacune caractérisées par une amplitude sensiblement constante. Pour chaque élément, une décision (14) est prise quant à l'opportunité de procéder à une correction additionnelle. Si une correction est souhaitable, la valeur de cette correction dépend partiellement de la zone dans laquelle se trouve l'élément, et de la sensibilité de cet élément à la lumière parasite. Ce même processus peut être appliqué à d'autres caractéristiques que la lumière parasite, qui présentent également une variation en fonction de la position à l'intérieur du champ d'exposition. |
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Ce procédé consiste à modifier le tracé d'origine d'un circuit intégré par une correction optique de proximité (OPC) afin d'obtenir un second tracé. Au cours du processus d'OPC, la sensibilité de chaque élément à la lumière parasite (flare) est identifiée de manière adéquate (2). Pour mapper (4) de la lumière parasite, on transpose l'amplitude de l'intensité sur un champ d'exposition, lequel se compose normalement d'une zone rectangulaire correspondant à l'exposition par un masqueur. Le champ d'exposition est divisé en deux zones qui sont chacune caractérisées par une amplitude sensiblement constante. Pour chaque élément, une décision (14) est prise quant à l'opportunité de procéder à une correction additionnelle. Si une correction est souhaitable, la valeur de cette correction dépend partiellement de la zone dans laquelle se trouve l'élément, et de la sensibilité de cet élément à la lumière parasite. Ce même processus peut être appliqué à d'autres caractéristiques que la lumière parasite, qui présentent également une variation en fonction de la position à l'intérieur du champ d'exposition.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2006</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20060914&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2006096232A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20060914&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2006096232A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BOONE, ROBERT, E</creatorcontrib><creatorcontrib>PATTERSON, KYLE, W</creatorcontrib><creatorcontrib>LUCAS, KEVIN, D</creatorcontrib><title>METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT BY MODIFYING A DESIGN LAYOUT BY ACCOUNTING FOR A PARAMETER THAT VARIES BASED ON A LOCATION WITHIN AN EXPOSURE FIELD</title><description>An original layout of an integrated circuit is modified using optical proximity correction (OPC) to obtain a second layout. During OPC, a sensitivity to flare for each feature is conveniently identified (2). To map (4) the flare, the amplitude of intensity is mapped over a field of exposure, which is typically a rectangle-shaped area corresponding to an exposure of a stepper. The field of exposure is divided into regions in which a region is characterized as having substantially the same amplitude throughout. For each feature a decision (14) is made whether to make a further correction or not. If correction is desired, the amount of correction is based in part on the region in which the feature is located and the sensitivity of the feature. This same approach is applicable to other properties than flare that vary based on the location within the field of exposure.
Ce procédé consiste à modifier le tracé d'origine d'un circuit intégré par une correction optique de proximité (OPC) afin d'obtenir un second tracé. Au cours du processus d'OPC, la sensibilité de chaque élément à la lumière parasite (flare) est identifiée de manière adéquate (2). Pour mapper (4) de la lumière parasite, on transpose l'amplitude de l'intensité sur un champ d'exposition, lequel se compose normalement d'une zone rectangulaire correspondant à l'exposition par un masqueur. Le champ d'exposition est divisé en deux zones qui sont chacune caractérisées par une amplitude sensiblement constante. Pour chaque élément, une décision (14) est prise quant à l'opportunité de procéder à une correction additionnelle. Si une correction est souhaitable, la valeur de cette correction dépend partiellement de la zone dans laquelle se trouve l'élément, et de la sensibilité de cet élément à la lumière parasite. Ce même processus peut être appliqué à d'autres caractéristiques que la lumière parasite, qui présentent également une variation en fonction de la position à l'intérieur du champ d'exposition.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2006</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjTEKwkAQRdNYiHqHAWshRBAsx93ZZDDZkc1ETSUiayUq6Gk8rat4AKv_4T_eH2avhrQSC-KgwTX7EtADe6UyoJIFw8F0rLDqoRHLrv8iYKnl0kONvXTfEY2RzutndRISscGAyU0BtEKFLQamFlbYJqn4BNRiUDnVHWvF_vNL-420XSBwTLUdZ4Pz8fKIk1-OsqkjNdUs3m-H-LgfT_Ean4edFHm-yJeLYl5gMf-PegNc-0Ng</recordid><startdate>20060914</startdate><enddate>20060914</enddate><creator>BOONE, ROBERT, E</creator><creator>PATTERSON, KYLE, W</creator><creator>LUCAS, KEVIN, D</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20060914</creationdate><title>METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT BY MODIFYING A DESIGN LAYOUT BY ACCOUNTING FOR A PARAMETER THAT VARIES BASED ON A LOCATION WITHIN AN EXPOSURE FIELD</title><author>BOONE, ROBERT, E ; PATTERSON, KYLE, W ; LUCAS, KEVIN, D</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2006096232A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2006</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BOONE, ROBERT, E</creatorcontrib><creatorcontrib>PATTERSON, KYLE, W</creatorcontrib><creatorcontrib>LUCAS, KEVIN, D</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BOONE, ROBERT, E</au><au>PATTERSON, KYLE, W</au><au>LUCAS, KEVIN, D</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT BY MODIFYING A DESIGN LAYOUT BY ACCOUNTING FOR A PARAMETER THAT VARIES BASED ON A LOCATION WITHIN AN EXPOSURE FIELD</title><date>2006-09-14</date><risdate>2006</risdate><abstract>An original layout of an integrated circuit is modified using optical proximity correction (OPC) to obtain a second layout. During OPC, a sensitivity to flare for each feature is conveniently identified (2). To map (4) the flare, the amplitude of intensity is mapped over a field of exposure, which is typically a rectangle-shaped area corresponding to an exposure of a stepper. The field of exposure is divided into regions in which a region is characterized as having substantially the same amplitude throughout. For each feature a decision (14) is made whether to make a further correction or not. If correction is desired, the amount of correction is based in part on the region in which the feature is located and the sensitivity of the feature. This same approach is applicable to other properties than flare that vary based on the location within the field of exposure.
Ce procédé consiste à modifier le tracé d'origine d'un circuit intégré par une correction optique de proximité (OPC) afin d'obtenir un second tracé. Au cours du processus d'OPC, la sensibilité de chaque élément à la lumière parasite (flare) est identifiée de manière adéquate (2). Pour mapper (4) de la lumière parasite, on transpose l'amplitude de l'intensité sur un champ d'exposition, lequel se compose normalement d'une zone rectangulaire correspondant à l'exposition par un masqueur. Le champ d'exposition est divisé en deux zones qui sont chacune caractérisées par une amplitude sensiblement constante. Pour chaque élément, une décision (14) est prise quant à l'opportunité de procéder à une correction additionnelle. Si une correction est souhaitable, la valeur de cette correction dépend partiellement de la zone dans laquelle se trouve l'élément, et de la sensibilité de cet élément à la lumière parasite. Ce même processus peut être appliqué à d'autres caractéristiques que la lumière parasite, qui présentent également une variation en fonction de la position à l'intérieur du champ d'exposition.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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