SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

There is provided a technique for improving reliability of an error detection system by reducing the number of erroneous alarms. In order to achieve this object, a semiconductor device manufacturing method forms a first pattern (well pattern) and a second pattern (gate electrode pattern) in accordance with a reference pattern. The method generates difference data between first alignment correction data generated when the first pattern is formed and second alignment correction data generated when the second pattern is formed. According to the difference data generated, it is judged whether a matching error is present between the reference pattern and the second pattern. L'invention concerne une technique qui est prévue pour améliorer la fiabilité d'un système de détection d'erreurs en réduisant le nombre de fausses alarmes. Afin d'atteindre cet objectif, un procédé de fabrication de composants à semi-conducteur forme un premier motif (un motif de puit) et un second motif (un motif d'électrode de grille) conforme à un motif de référence. Le procédé génère des données de différence entre des premières données de correction d'alignement générées lorsque le premier motif est formé et des secondes données de correction d'alignement générées lorsque le second motif est formé. En fonction des données de différence générées, on évalue si une erreur de correspondance est présente entre le motif de référence et le second motif.