IMPROVED MEMS DEVICE

A MEMS device having a support frame (44) positioned on a substrate (34) surrounding a first electrode (30). A rigid flange portion (48) at the top of the support frame is closely space from, and is connected to, a second electrode (31) by relatively short spring members (50). RF conductors (52, 53) connected to respective first and second electrodes complete an RF switch. A dielectric layer (38) on the first electrode forms a capacitive type device and includes an electrostatic shield layer (40) on its surface. This electrostatic shield layer is connected to ground by a multi megohm bleeder resistance (60). L'invention concerne un dispositif MEMS comprenant un cadre de support qui est positionné sur un substrat autour d'une première électrode. Une partie bord rigide située en haut du cadre de support est espacée, d'une faible distance, d'une deuxième électrode et reliée à cette dernière par des éléments ressorts relativement courts. Des conducteurs RF qui sont reliés respectivement auxdites première et deuxième électrode complètent un commutateur RF. Une couche diélectrique appliquée sur la première électrode forme un dispositif capacitif et comporte une couche de protection électrostatique à sa surface. Cette couche de protection électrostatique est reliée à la terre par une résistance de fuite multi-mégohm.