METHOD OF FABRICATION AND DEVICE COMPRISING ELONGATED NANOSIZE ELEMENTS
A method of fabricating devices comprising elongated nanosize elements as well as such devices are disclosed. The devices comprise epitaxially grown layers into which elongated nanosize elements, such as carbon nanotubes, are incorporated. A substrate supporting epitaxial growth of an epitaxial laye...
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| Format: | Patent |
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| creator | NYGAARD, JESPER JENSEN, ANE HAUPTMANN, JONAS, RAHLF LINDELOF, POUL, ERIK, GREGERS, HANSEN SADOWSKI, JANUSZ |
| description | A method of fabricating devices comprising elongated nanosize elements as well as such devices are disclosed. The devices comprise epitaxially grown layers into which elongated nanosize elements, such as carbon nanotubes, are incorporated. A substrate supporting epitaxial growth of an epitaxial layer is provided, elongated nanosize elements is provided onto the substrate and epitaxially overgrown with an epitaxial layer. The elongate nanosize elements are thereby at least partly encapsulated by the epitaxially grown layer. One or more components are prepared in the layer, the one or more components being prepared by means of lithography. Devices with carbon nanotubes as the active element may thereby be provided. The method is suitable for hybrid devices, hybrid between conventional semiconductor devices and nano-devices.
L'invention concerne un procédé destiné à la fabrication de dispositifs comprenant des éléments nanométriques allongés, ainsi que ces dispositifs. Ces dispositifs comprennent des couches formées par croissance épitaxiale, dans lesquelles des éléments nanométriques allongés, tels que des nanotubes de carbone, sont incorporés. Le procédé consiste à utiliser un substrat pouvant supporter la croissance épitaxiale d'une couche épitaxiale, à placer des éléments nanométriques allongés sur le substrat et à former la couche épitaxiale par croissance épitaxiale. Les éléments nanométriques allongés sont ainsi au moins en partie encapsulés par la couche obtenue par croissance épitaxiale. Un ou plusieurs composants sont préparés dans la couche, ces composants étant préparés par lithographie. L'invention concerne également des dispositifs utilisant des nanotubes de carbone comme élément actif. Ce procédé est destiné à des dispositifs hybrides, hybrides entre des dispositifs semi-conducteurs conventionnels et des nano-dispositifs. |
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L'invention concerne un procédé destiné à la fabrication de dispositifs comprenant des éléments nanométriques allongés, ainsi que ces dispositifs. Ces dispositifs comprennent des couches formées par croissance épitaxiale, dans lesquelles des éléments nanométriques allongés, tels que des nanotubes de carbone, sont incorporés. Le procédé consiste à utiliser un substrat pouvant supporter la croissance épitaxiale d'une couche épitaxiale, à placer des éléments nanométriques allongés sur le substrat et à former la couche épitaxiale par croissance épitaxiale. Les éléments nanométriques allongés sont ainsi au moins en partie encapsulés par la couche obtenue par croissance épitaxiale. Un ou plusieurs composants sont préparés dans la couche, ces composants étant préparés par lithographie. L'invention concerne également des dispositifs utilisant des nanotubes de carbone comme élément actif. Ce procédé est destiné à des dispositifs hybrides, hybrides entre des dispositifs semi-conducteurs conventionnels et des nano-dispositifs.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2005</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20050324&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2005027201A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76419</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20050324&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2005027201A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>NYGAARD, JESPER</creatorcontrib><creatorcontrib>JENSEN, ANE</creatorcontrib><creatorcontrib>HAUPTMANN, JONAS, RAHLF</creatorcontrib><creatorcontrib>LINDELOF, POUL, ERIK, GREGERS, HANSEN</creatorcontrib><creatorcontrib>SADOWSKI, JANUSZ</creatorcontrib><title>METHOD OF FABRICATION AND DEVICE COMPRISING ELONGATED NANOSIZE ELEMENTS</title><description>A method of fabricating devices comprising elongated nanosize elements as well as such devices are disclosed. The devices comprise epitaxially grown layers into which elongated nanosize elements, such as carbon nanotubes, are incorporated. A substrate supporting epitaxial growth of an epitaxial layer is provided, elongated nanosize elements is provided onto the substrate and epitaxially overgrown with an epitaxial layer. The elongate nanosize elements are thereby at least partly encapsulated by the epitaxially grown layer. One or more components are prepared in the layer, the one or more components being prepared by means of lithography. Devices with carbon nanotubes as the active element may thereby be provided. The method is suitable for hybrid devices, hybrid between conventional semiconductor devices and nano-devices.
L'invention concerne un procédé destiné à la fabrication de dispositifs comprenant des éléments nanométriques allongés, ainsi que ces dispositifs. Ces dispositifs comprennent des couches formées par croissance épitaxiale, dans lesquelles des éléments nanométriques allongés, tels que des nanotubes de carbone, sont incorporés. Le procédé consiste à utiliser un substrat pouvant supporter la croissance épitaxiale d'une couche épitaxiale, à placer des éléments nanométriques allongés sur le substrat et à former la couche épitaxiale par croissance épitaxiale. Les éléments nanométriques allongés sont ainsi au moins en partie encapsulés par la couche obtenue par croissance épitaxiale. Un ou plusieurs composants sont préparés dans la couche, ces composants étant préparés par lithographie. L'invention concerne également des dispositifs utilisant des nanotubes de carbone comme élément actif. 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The devices comprise epitaxially grown layers into which elongated nanosize elements, such as carbon nanotubes, are incorporated. A substrate supporting epitaxial growth of an epitaxial layer is provided, elongated nanosize elements is provided onto the substrate and epitaxially overgrown with an epitaxial layer. The elongate nanosize elements are thereby at least partly encapsulated by the epitaxially grown layer. One or more components are prepared in the layer, the one or more components being prepared by means of lithography. Devices with carbon nanotubes as the active element may thereby be provided. The method is suitable for hybrid devices, hybrid between conventional semiconductor devices and nano-devices.
L'invention concerne un procédé destiné à la fabrication de dispositifs comprenant des éléments nanométriques allongés, ainsi que ces dispositifs. Ces dispositifs comprennent des couches formées par croissance épitaxiale, dans lesquelles des éléments nanométriques allongés, tels que des nanotubes de carbone, sont incorporés. Le procédé consiste à utiliser un substrat pouvant supporter la croissance épitaxiale d'une couche épitaxiale, à placer des éléments nanométriques allongés sur le substrat et à former la couche épitaxiale par croissance épitaxiale. Les éléments nanométriques allongés sont ainsi au moins en partie encapsulés par la couche obtenue par croissance épitaxiale. Un ou plusieurs composants sont préparés dans la couche, ces composants étant préparés par lithographie. L'invention concerne également des dispositifs utilisant des nanotubes de carbone comme élément actif. Ce procédé est destiné à des dispositifs hybrides, hybrides entre des dispositifs semi-conducteurs conventionnels et des nano-dispositifs.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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