APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE BEAM CURRENT OF A CHARGED PARTICLE BEAM
An apparatus for producing a beam of charged particles is provided, which comprises an emitter (1, 2) and a switching device (3) adapted to switch between first, second and third beam current levels, wherein the beam current at said first current level is suitable for writing a pixel of an image on...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| creator | SELLMAIR, JOSEF |
| description | An apparatus for producing a beam of charged particles is provided, which comprises an emitter (1, 2) and a switching device (3) adapted to switch between first, second and third beam current levels, wherein the beam current at said first current level is suitable for writing a pixel of an image on the surface of a sample, the beam current at said second current level is suitable for not writing a pixel on the surface of said sample, and the beam current at said third current level is lower than the beam current at the second current level. Furthermore, a method of controlling the beam current of a charged particle beam is provided, comprising the steps of switching the beam current of said charged particle beam between first and second current levels, wherein the beam current at said first current level is suitable for writing a pixel of an image on the surface of a sample and the beam current at said second current level is suitable for not writing a pixel on the surface of said sample, and switching the beam current to a third voltage level, wherein the beam current at said third current level is lower than the beam current at the second current level.
Appareil destiné à produire un faisceau de particules chargées, qui comporte un émetteur (1, 2) et un dispositif de commutation (3) adapté pour la commutation entre des premier, deuxième et troisième niveaux de courant de faisceau, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon, le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon et le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau au deuxième niveau de courant. La présente invention concerne en outre un procédé de commande du courant de faisceau d'un faisceau de particules chargées, qui consiste à commuter le courant de faisceau dudit faisceau de particules chargées entre les premier et deuxième niveaux de courant, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon et le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon, et à commuter le courant de faisceau à un troisième niveau de courant, le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau du deuxième niveau de cou |
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Appareil destiné à produire un faisceau de particules chargées, qui comporte un émetteur (1, 2) et un dispositif de commutation (3) adapté pour la commutation entre des premier, deuxième et troisième niveaux de courant de faisceau, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon, le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon et le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau au deuxième niveau de courant. La présente invention concerne en outre un procédé de commande du courant de faisceau d'un faisceau de particules chargées, qui consiste à commuter le courant de faisceau dudit faisceau de particules chargées entre les premier et deuxième niveaux de courant, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon et le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon, et à commuter le courant de faisceau à un troisième niveau de courant, le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau du deuxième niveau de courant.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY ; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES ; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2004</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20041014&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004088709A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20041014&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004088709A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SELLMAIR, JOSEF</creatorcontrib><title>APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE BEAM CURRENT OF A CHARGED PARTICLE BEAM</title><description>An apparatus for producing a beam of charged particles is provided, which comprises an emitter (1, 2) and a switching device (3) adapted to switch between first, second and third beam current levels, wherein the beam current at said first current level is suitable for writing a pixel of an image on the surface of a sample, the beam current at said second current level is suitable for not writing a pixel on the surface of said sample, and the beam current at said third current level is lower than the beam current at the second current level. Furthermore, a method of controlling the beam current of a charged particle beam is provided, comprising the steps of switching the beam current of said charged particle beam between first and second current levels, wherein the beam current at said first current level is suitable for writing a pixel of an image on the surface of a sample and the beam current at said second current level is suitable for not writing a pixel on the surface of said sample, and switching the beam current to a third voltage level, wherein the beam current at said third current level is lower than the beam current at the second current level.
Appareil destiné à produire un faisceau de particules chargées, qui comporte un émetteur (1, 2) et un dispositif de commutation (3) adapté pour la commutation entre des premier, deuxième et troisième niveaux de courant de faisceau, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon, le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon et le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau au deuxième niveau de courant. La présente invention concerne en outre un procédé de commande du courant de faisceau d'un faisceau de particules chargées, qui consiste à commuter le courant de faisceau dudit faisceau de particules chargées entre les premier et deuxième niveaux de courant, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon et le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon, et à commuter le courant de faisceau à un troisième niveau de courant, le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau du deuxième niveau de courant.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2004</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZAhwDAhwDHIMCQ1WcPRzUfB1DfHwd1Fw8w9ScPb3Cwny9_Hx9HNXCPFwVXBydfRVcA4NCnL1C1Hwd1NwVHD2cAxyd3VRABoQ4unsA1HCw8CalphTnMoLpbkZlN1cQ5w9dFML8uNTiwsSk1PzUkviw_2NDAxMDCwszA0sHQ2NiVMFAO-ML3A</recordid><startdate>20041014</startdate><enddate>20041014</enddate><creator>SELLMAIR, JOSEF</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20041014</creationdate><title>APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE BEAM CURRENT OF A CHARGED PARTICLE BEAM</title><author>SELLMAIR, JOSEF</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2004088709A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2004</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SELLMAIR, JOSEF</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SELLMAIR, JOSEF</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THE BEAM CURRENT OF A CHARGED PARTICLE BEAM</title><date>2004-10-14</date><risdate>2004</risdate><abstract>An apparatus for producing a beam of charged particles is provided, which comprises an emitter (1, 2) and a switching device (3) adapted to switch between first, second and third beam current levels, wherein the beam current at said first current level is suitable for writing a pixel of an image on the surface of a sample, the beam current at said second current level is suitable for not writing a pixel on the surface of said sample, and the beam current at said third current level is lower than the beam current at the second current level. Furthermore, a method of controlling the beam current of a charged particle beam is provided, comprising the steps of switching the beam current of said charged particle beam between first and second current levels, wherein the beam current at said first current level is suitable for writing a pixel of an image on the surface of a sample and the beam current at said second current level is suitable for not writing a pixel on the surface of said sample, and switching the beam current to a third voltage level, wherein the beam current at said third current level is lower than the beam current at the second current level.
Appareil destiné à produire un faisceau de particules chargées, qui comporte un émetteur (1, 2) et un dispositif de commutation (3) adapté pour la commutation entre des premier, deuxième et troisième niveaux de courant de faisceau, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon, le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon et le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau au deuxième niveau de courant. La présente invention concerne en outre un procédé de commande du courant de faisceau d'un faisceau de particules chargées, qui consiste à commuter le courant de faisceau dudit faisceau de particules chargées entre les premier et deuxième niveaux de courant, le courant de faisceau au premier niveau de courant étant adapté pour écrire un pixel d'une image sur la surface d'un échantillon et le courant de faisceau au deuxième niveau de courant étant adapté pour ne pas écrire un pixel sur la surface dudit échantillon, et à commuter le courant de faisceau à un troisième niveau de courant, le courant de faisceau au troisième niveau de courant étant inférieur au courant de faisceau du deuxième niveau de courant.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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