CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE ACCELERATED SWITCHING OVER OF AN AMPLIFIER

Eine Schaltungsanordnung umfasst einen Verstärker mit einem einen Bipolartransistor (T1), dessen Basisanschluss mit einem Eingangsanschluss (HFin) für ein zu verstärkendes Signal gekoppelt ist. Eine Vorspannungseinrichtung zum Einstellen eines Potentials (UbeT1) am Basisanschluss des Bipolartransist...

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1. Verfasser: MINICHSHOFER, JUERGEN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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creator MINICHSHOFER, JUERGEN
description Eine Schaltungsanordnung umfasst einen Verstärker mit einem einen Bipolartransistor (T1), dessen Basisanschluss mit einem Eingangsanschluss (HFin) für ein zu verstärkendes Signal gekoppelt ist. Eine Vorspannungseinrichtung zum Einstellen eines Potentials (UbeT1) am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) ist vorgesehen. Ferner ist eine Einrichtung (32) zum Liefern eines solchen Stroms zum Basisanschluss des Bipolartransistors (T1), dass ein Lade- oder Entladestrom zu dem Eingangsanschluss (HFin) grösser ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors (T1), vorgesehen. Die Schaltungsanordnung umfasst ferner eine Einrichtung (30) zum Erfassen, ob eine Potentialänderung am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) zum Umschalten des Bipolartransistors erfolgen soll, und eine Einrichtung (30) zum Zuschalten der Einrichtung zum Liefern des Stroms zur Basis des Bipolartransistors (T1), wenn eine Potentialänderung am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) erfolgen soll. A circuit arrangement comprises an amplifier with a bipolar transistor (T1) whose base terminal is connected to the input terminal (HFin) for a signal to be amplified. A bias device for setting a potential (UbeT1) is provided on the base terminal of the biotransistor (T1). Additionally provided is a device (32) for supplying a current to the base terminal of the biotransistor (T1) such that a charging or discharging current to the input terminal (HFin) is greater than a base current of the biotransistor (T1). The circuit arrangement also comprises a device (30) for detecting whether a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue in order to switch over the biotransistor, and comprises a device (30) for switching on the device for supplying the current to the basis of the bipolar transistor (T1) when a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue. L'invention concerne un circuit comprenant un amplificateur pourvu d'un transistor bipolaire (T1) dont la borne de base est couplée à une borne d'entrée (HFin) pour un signal à amplifier. Un dispositif de polarisation sert à définir un potentiel (UbeT1) au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1). Ce circuit comprend également un dispositif (32) destiné à fournir à la borne de base du transistor bipolaire (T1) un courant tel qu'un courant de charge ou de décharge au niveau de la borne d'entrée (HFin) soit supérieur à un courant de base du transistor bipolaire (T1).
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Eine Vorspannungseinrichtung zum Einstellen eines Potentials (UbeT1) am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) ist vorgesehen. Ferner ist eine Einrichtung (32) zum Liefern eines solchen Stroms zum Basisanschluss des Bipolartransistors (T1), dass ein Lade- oder Entladestrom zu dem Eingangsanschluss (HFin) grösser ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors (T1), vorgesehen. Die Schaltungsanordnung umfasst ferner eine Einrichtung (30) zum Erfassen, ob eine Potentialänderung am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) zum Umschalten des Bipolartransistors erfolgen soll, und eine Einrichtung (30) zum Zuschalten der Einrichtung zum Liefern des Stroms zur Basis des Bipolartransistors (T1), wenn eine Potentialänderung am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) erfolgen soll. A circuit arrangement comprises an amplifier with a bipolar transistor (T1) whose base terminal is connected to the input terminal (HFin) for a signal to be amplified. A bias device for setting a potential (UbeT1) is provided on the base terminal of the biotransistor (T1). Additionally provided is a device (32) for supplying a current to the base terminal of the biotransistor (T1) such that a charging or discharging current to the input terminal (HFin) is greater than a base current of the biotransistor (T1). The circuit arrangement also comprises a device (30) for detecting whether a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue in order to switch over the biotransistor, and comprises a device (30) for switching on the device for supplying the current to the basis of the bipolar transistor (T1) when a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue. L'invention concerne un circuit comprenant un amplificateur pourvu d'un transistor bipolaire (T1) dont la borne de base est couplée à une borne d'entrée (HFin) pour un signal à amplifier. Un dispositif de polarisation sert à définir un potentiel (UbeT1) au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1). Ce circuit comprend également un dispositif (32) destiné à fournir à la borne de base du transistor bipolaire (T1) un courant tel qu'un courant de charge ou de décharge au niveau de la borne d'entrée (HFin) soit supérieur à un courant de base du transistor bipolaire (T1). Le circuit selon l'invention comprend en outre un dispositif (30) servant à déterminer si le potentiel doit être modifié au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1) pour commuter ledit transistor bipolaire, ainsi qu'un dispositif (30) pour mettre en circuit le dispositif destiné à fournir le courant à la base du transistor bipolaire (T1) lorsqu'une modification de potentiel au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1) doit être effectuée.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre ; ger</language><subject>AMPLIFIERS ; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ; ELECTRICITY</subject><creationdate>2004</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20041118&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2004070770A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20041118&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2004070770A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MINICHSHOFER, JUERGEN</creatorcontrib><title>CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE ACCELERATED SWITCHING OVER OF AN AMPLIFIER</title><description>Eine Schaltungsanordnung umfasst einen Verstärker mit einem einen Bipolartransistor (T1), dessen Basisanschluss mit einem Eingangsanschluss (HFin) für ein zu verstärkendes Signal gekoppelt ist. 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A bias device for setting a potential (UbeT1) is provided on the base terminal of the biotransistor (T1). Additionally provided is a device (32) for supplying a current to the base terminal of the biotransistor (T1) such that a charging or discharging current to the input terminal (HFin) is greater than a base current of the biotransistor (T1). The circuit arrangement also comprises a device (30) for detecting whether a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue in order to switch over the biotransistor, and comprises a device (30) for switching on the device for supplying the current to the basis of the bipolar transistor (T1) when a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue. L'invention concerne un circuit comprenant un amplificateur pourvu d'un transistor bipolaire (T1) dont la borne de base est couplée à une borne d'entrée (HFin) pour un signal à amplifier. Un dispositif de polarisation sert à définir un potentiel (UbeT1) au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1). Ce circuit comprend également un dispositif (32) destiné à fournir à la borne de base du transistor bipolaire (T1) un courant tel qu'un courant de charge ou de décharge au niveau de la borne d'entrée (HFin) soit supérieur à un courant de base du transistor bipolaire (T1). Le circuit selon l'invention comprend en outre un dispositif (30) servant à déterminer si le potentiel doit être modifié au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1) pour commuter ledit transistor bipolaire, ainsi qu'un dispositif (30) pour mettre en circuit le dispositif destiné à fournir le courant à la base du transistor bipolaire (T1) lorsqu'une modification de potentiel au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1) doit être effectuée.</description><subject>AMPLIFIERS</subject><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</subject><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2004</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNi7EKwjAUALM4iPoPD5yFYIXMj-SlCTSJPlM7liJxEi3U_8cMfoDT3XC3FhftWfc-AzJjbClQrB4NBMouGbCJITsC1Jo6Ysxk4Dr4rJ2PLaQbMSRbB8Bw7rz1xFuxekzPpex-3Ii9pdofyvweyzJP9_Iqn3FIRylPUkmlJDbNf9UXMoEv2w</recordid><startdate>20041118</startdate><enddate>20041118</enddate><creator>MINICHSHOFER, JUERGEN</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20041118</creationdate><title>CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE ACCELERATED SWITCHING OVER OF AN AMPLIFIER</title><author>MINICHSHOFER, JUERGEN</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2004070770A33</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2004</creationdate><topic>AMPLIFIERS</topic><topic>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</topic><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MINICHSHOFER, JUERGEN</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MINICHSHOFER, JUERGEN</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE ACCELERATED SWITCHING OVER OF AN AMPLIFIER</title><date>2004-11-18</date><risdate>2004</risdate><abstract>Eine Schaltungsanordnung umfasst einen Verstärker mit einem einen Bipolartransistor (T1), dessen Basisanschluss mit einem Eingangsanschluss (HFin) für ein zu verstärkendes Signal gekoppelt ist. Eine Vorspannungseinrichtung zum Einstellen eines Potentials (UbeT1) am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) ist vorgesehen. Ferner ist eine Einrichtung (32) zum Liefern eines solchen Stroms zum Basisanschluss des Bipolartransistors (T1), dass ein Lade- oder Entladestrom zu dem Eingangsanschluss (HFin) grösser ist als ein Basisstrom des Bipolartransistors (T1), vorgesehen. Die Schaltungsanordnung umfasst ferner eine Einrichtung (30) zum Erfassen, ob eine Potentialänderung am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) zum Umschalten des Bipolartransistors erfolgen soll, und eine Einrichtung (30) zum Zuschalten der Einrichtung zum Liefern des Stroms zur Basis des Bipolartransistors (T1), wenn eine Potentialänderung am Basisanschluss des Bipolartransistors (T1) erfolgen soll. A circuit arrangement comprises an amplifier with a bipolar transistor (T1) whose base terminal is connected to the input terminal (HFin) for a signal to be amplified. A bias device for setting a potential (UbeT1) is provided on the base terminal of the biotransistor (T1). Additionally provided is a device (32) for supplying a current to the base terminal of the biotransistor (T1) such that a charging or discharging current to the input terminal (HFin) is greater than a base current of the biotransistor (T1). The circuit arrangement also comprises a device (30) for detecting whether a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue in order to switch over the biotransistor, and comprises a device (30) for switching on the device for supplying the current to the basis of the bipolar transistor (T1) when a change in potential on the base terminal of the biotransistor (T1) should ensue. L'invention concerne un circuit comprenant un amplificateur pourvu d'un transistor bipolaire (T1) dont la borne de base est couplée à une borne d'entrée (HFin) pour un signal à amplifier. Un dispositif de polarisation sert à définir un potentiel (UbeT1) au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1). Ce circuit comprend également un dispositif (32) destiné à fournir à la borne de base du transistor bipolaire (T1) un courant tel qu'un courant de charge ou de décharge au niveau de la borne d'entrée (HFin) soit supérieur à un courant de base du transistor bipolaire (T1). Le circuit selon l'invention comprend en outre un dispositif (30) servant à déterminer si le potentiel doit être modifié au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1) pour commuter ledit transistor bipolaire, ainsi qu'un dispositif (30) pour mettre en circuit le dispositif destiné à fournir le courant à la base du transistor bipolaire (T1) lorsqu'une modification de potentiel au niveau de la borne de base du transistor bipolaire (T1) doit être effectuée.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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