MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING A VERTICAL WRITE LINE

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING A VERTICAL WRITE LINE

A magnetic random access memory (MRAM) device (10) is formed having a fixed magnetic layer (28), a free magnetic layer (32) and a first dielectric layer (30) between them in a recess. A metal plug (36) and an optional second dielectric layer (34) are also formed in the recess. The metal plug (36) se...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: LAGE, CRAIG, S
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
STATIC STORES
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creator LAGE, CRAIG, S
description A magnetic random access memory (MRAM) device (10) is formed having a fixed magnetic layer (28), a free magnetic layer (32) and a first dielectric layer (30) between them in a recess. A metal plug (36) and an optional second dielectric layer (34) are also formed in the recess. The metal plug (36) serves as a write path. A word line in the MRAM cell is the gate electrode of a transistor used to both write and read the MRAM device. To write the device a current travels in a substantially vertical direction and therefore only affects one MRAM cell, thereby not affecting adjacent cells. Data storage is thereby improved. L'invention concerne un dispositif mémoire d'accès aléatoire magnétique (MRAM) (10) présentant une couche magnétique fixe (28), une couche magnétique libre (32) et une première couche diélectrique (30) intermédiaire placée dans un évidement. On forme également un connecteur métallique (36) et une seconde couche diélectrique facultative (34) dans l'évidement. Le connecteur métallique (36) sert de trajet d'écriture. Un mot lir dans la cellule MRAM constitue l'électrode grille d'un transistor que l'on utilise à la fois pour écrire et lire le dispositif MRAM. Pour écrire dans le dispositif, un courant est acheminé dans un sens sensiblement vertical et n'affecte, par conséquent qu'une cellule MRAM, sans affecter pour autant les cellules adjacentes. Le stockage de données est, de ce fait, amélioré.
format Patent
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A metal plug (36) and an optional second dielectric layer (34) are also formed in the recess. The metal plug (36) serves as a write path. A word line in the MRAM cell is the gate electrode of a transistor used to both write and read the MRAM device. To write the device a current travels in a substantially vertical direction and therefore only affects one MRAM cell, thereby not affecting adjacent cells. Data storage is thereby improved. L'invention concerne un dispositif mémoire d'accès aléatoire magnétique (MRAM) (10) présentant une couche magnétique fixe (28), une couche magnétique libre (32) et une première couche diélectrique (30) intermédiaire placée dans un évidement. On forme également un connecteur métallique (36) et une seconde couche diélectrique facultative (34) dans l'évidement. Le connecteur métallique (36) sert de trajet d'écriture. 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