METHOD AND SYSTEM FOR ATOMIC LAYTER REMOVAL AND ATOMIC LAYER EXCHANGE
A method and system for atomic layer deposition and removal of a dielectric film are provided. The present invention comprises introducing a first reactant gas into a reactor to react with a first layer of the film to convert the first layer into a mono?layer of a solid compound; introducing a secon...
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| Format: | Patent |
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| creator | LEE, SANG-IN KAPKIN, KEREM |
| description | A method and system for atomic layer deposition and removal of a dielectric film are provided. The present invention comprises introducing a first reactant gas into a reactor to react with a first layer of the film to convert the first layer into a mono?layer of a solid compound; introducing a second reactant gas into the reactor to react with the mono?layer of the solid compound to form a gaseous compound; and removing the gaseous compound. Preferably, the mono?layer of the solid compound needs less energy to react with the second reactant gas than a next layer of the film underneath the mono?layer of the solid compound. In another aspect of the present invention a gas reactant having two or more chemical species is exposed to the film and a surface reaction occurs wherein certain of the chemical species in the gas reactant are exchanged with certain chemical species in the top atomic layer of the film.
L'invention concerne un procédé et un système pour le dépôt et le retrait de couches atomiques d'un film diélectrique. Le procédé présenté consiste à : introduire un premier gaz réactif dans un réacteur pour le faire réagir avec une première couche du film et la transformer en une monocouche d'un composé solide ; à introduire un second gaz réactif dans le réacteur pour le faire réagir avec la monocouche de composé solide et former un composé gazeux ; et retirer le composé gazeux. De préférence, la monocouche du composé solide nécessite moins d'énergie pour réagir avec le second gaz réactif qu'une couche suivante du film située sous cette monocouche de composé solide. Selon un autre aspect de la présente invention, un gaz réactif présentant au moins deux espèces chimiques est mis en contact avec le film et il se produit une réaction superficielle, certaines des espèces chimiques du gaz réactif étant remplacées par certaines espèces chimiques de la couche atomique supérieure du film. |
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L'invention concerne un procédé et un système pour le dépôt et le retrait de couches atomiques d'un film diélectrique. Le procédé présenté consiste à : introduire un premier gaz réactif dans un réacteur pour le faire réagir avec une première couche du film et la transformer en une monocouche d'un composé solide ; à introduire un second gaz réactif dans le réacteur pour le faire réagir avec la monocouche de composé solide et former un composé gazeux ; et retirer le composé gazeux. De préférence, la monocouche du composé solide nécessite moins d'énergie pour réagir avec le second gaz réactif qu'une couche suivante du film située sous cette monocouche de composé solide. Selon un autre aspect de la présente invention, un gaz réactif présentant au moins deux espèces chimiques est mis en contact avec le film et il se produit une réaction superficielle, certaines des espèces chimiques du gaz réactif étant remplacées par certaines espèces chimiques de la couche atomique supérieure du film.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2003</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20031231&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004001808A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20031231&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004001808A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>LEE, SANG-IN</creatorcontrib><creatorcontrib>KAPKIN, KEREM</creatorcontrib><title>METHOD AND SYSTEM FOR ATOMIC LAYTER REMOVAL AND ATOMIC LAYER EXCHANGE</title><description>A method and system for atomic layer deposition and removal of a dielectric film are provided. The present invention comprises introducing a first reactant gas into a reactor to react with a first layer of the film to convert the first layer into a mono?layer of a solid compound; introducing a second reactant gas into the reactor to react with the mono?layer of the solid compound to form a gaseous compound; and removing the gaseous compound. Preferably, the mono?layer of the solid compound needs less energy to react with the second reactant gas than a next layer of the film underneath the mono?layer of the solid compound. In another aspect of the present invention a gas reactant having two or more chemical species is exposed to the film and a surface reaction occurs wherein certain of the chemical species in the gas reactant are exchanged with certain chemical species in the top atomic layer of the film.
L'invention concerne un procédé et un système pour le dépôt et le retrait de couches atomiques d'un film diélectrique. Le procédé présenté consiste à : introduire un premier gaz réactif dans un réacteur pour le faire réagir avec une première couche du film et la transformer en une monocouche d'un composé solide ; à introduire un second gaz réactif dans le réacteur pour le faire réagir avec la monocouche de composé solide et former un composé gazeux ; et retirer le composé gazeux. De préférence, la monocouche du composé solide nécessite moins d'énergie pour réagir avec le second gaz réactif qu'une couche suivante du film située sous cette monocouche de composé solide. Selon un autre aspect de la présente invention, un gaz réactif présentant au moins deux espèces chimiques est mis en contact avec le film et il se produit une réaction superficielle, certaines des espèces chimiques du gaz réactif étant remplacées par certaines espèces chimiques de la couche atomique supérieure du film.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2003</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHD1dQ3x8HdRcPRzUQiODA5x9VVw8w9ScAzx9_V0VvBxjAxxDVIIcvX1D3P0AStCyAAlXCOcPRz93F15GFjTEnOKU3mhNDeDsptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgYGJgYGhhYGFo5ExcaoAEQosoA</recordid><startdate>20031231</startdate><enddate>20031231</enddate><creator>LEE, SANG-IN</creator><creator>KAPKIN, KEREM</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20031231</creationdate><title>METHOD AND SYSTEM FOR ATOMIC LAYTER REMOVAL AND ATOMIC LAYER EXCHANGE</title><author>LEE, SANG-IN ; KAPKIN, KEREM</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2004001808A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2003</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>LEE, SANG-IN</creatorcontrib><creatorcontrib>KAPKIN, KEREM</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>LEE, SANG-IN</au><au>KAPKIN, KEREM</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD AND SYSTEM FOR ATOMIC LAYTER REMOVAL AND ATOMIC LAYER EXCHANGE</title><date>2003-12-31</date><risdate>2003</risdate><abstract>A method and system for atomic layer deposition and removal of a dielectric film are provided. 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L'invention concerne un procédé et un système pour le dépôt et le retrait de couches atomiques d'un film diélectrique. Le procédé présenté consiste à : introduire un premier gaz réactif dans un réacteur pour le faire réagir avec une première couche du film et la transformer en une monocouche d'un composé solide ; à introduire un second gaz réactif dans le réacteur pour le faire réagir avec la monocouche de composé solide et former un composé gazeux ; et retirer le composé gazeux. De préférence, la monocouche du composé solide nécessite moins d'énergie pour réagir avec le second gaz réactif qu'une couche suivante du film située sous cette monocouche de composé solide. Selon un autre aspect de la présente invention, un gaz réactif présentant au moins deux espèces chimiques est mis en contact avec le film et il se produit une réaction superficielle, certaines des espèces chimiques du gaz réactif étant remplacées par certaines espèces chimiques de la couche atomique supérieure du film.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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