METHOD AND DEVICE TO FORM HIGH QUALITY OXIDE LAYERS OF DIFFERENT THICKNESS IN ONE PROCESSING STEP

METHOD AND DEVICE TO FORM HIGH QUALITY OXIDE LAYERS OF DIFFERENT THICKNESS IN ONE PROCESSING STEP

The present invention relates to a method for forming high quality oxide layers of different thickness over a first and a second semiconductor region in one processing step. The method comprises the steps of: a) doping the first and the second semiconductor region with a different dopant concentrati...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: LOO, JOSINE, J., G., P, PONOMAREV, YOURI, SCHAIJK, ROBERTUS, T., F
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator LOO, JOSINE, J., G., P
PONOMAREV, YOURI
SCHAIJK, ROBERTUS, T., F
description The present invention relates to a method for forming high quality oxide layers of different thickness over a first and a second semiconductor region in one processing step. The method comprises the steps of: a) doping the first and the second semiconductor region with a different dopant concentration, and b) oxidising, during the same processing step, both the first and the second semiconductor region under a temperature between 500 DEG C and 700 DEG C, preferably between 500 DEG C and 650 DEG C. A corresponding device is also provided. Using a low-temperature oxidation in combination with high doping levels results in an unexpected oxidation rateincrease. L'invention concerne un procédé de formation, en une seule étape de traitement, de couches d'oxydes de haute qualité de différentes épaisseurs sur une première et une seconde régions à semi-conducteur. Ledit procédé consiste à doper la première et la seconde régions à semi-conducteur avec une concentration de dopant différente, et à oxyder, lors de la même étape de traitement, les deux première et seconde régions, à une température située entre 500 DEG C et 700 DEG C, de préférence entre 500 DEG C et 650 DEG C. L'invention concerne également un dispositif correspondant. L'utilisation d'une oxydation basse température combinée à des niveaux de dopage élevés produit une augmentation inattendue du taux d'oxydation.
format Patent
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Ledit procédé consiste à doper la première et la seconde régions à semi-conducteur avec une concentration de dopant différente, et à oxyder, lors de la même étape de traitement, les deux première et seconde régions, à une température située entre 500 DEG C et 700 DEG C, de préférence entre 500 DEG C et 650 DEG C. L'invention concerne également un dispositif correspondant. 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