APPARATUS AND MEASUREMENT PROCEDURE FOR THE FAST, QUANTITATIVE, NON-CONTACT TOPOGRAPHIC INVESTIGATION OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND OTHER MIRROR LIKE SURFACES

The subject of the present invention is, on one hand, a measurement set-up for the fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces which, contains a point source (1), a collimating concave mirror (4) producting a parallel beam and dire...

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Hauptverfasser: RIESZ, FERENC, PFITZNER, LOTHAR, LUKACS, ISTVAN, ENDRE, MAKAI, JANOS, SZENTPALI, BELA
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator RIESZ, FERENC
PFITZNER, LOTHAR
LUKACS, ISTVAN, ENDRE
MAKAI, JANOS
SZENTPALI, BELA
description The subject of the present invention is, on one hand, a measurement set-up for the fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces which, contains a point source (1), a collimating concave mirror (4) producting a parallel beam and directing the beam to the sample to be investigated, a structured mask (3) located between the point source and the concave mirror, and an image sensor (6) taking the beam reflected from the sample and the concave mirror. The image sensor is connected through a suitable interface (7) to a computer (8), that, on one hand shows the image taken by the image sensor on a display (9) connected to the computer and, on the other hand, determines the position of the image of the individual mask elements by means of a suitable algorithm. On the other hand, the subject of the invention is a measurement procedure that by means of the above set-up and a suitable algorithm, provides a fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces. The substance of the invention is that the relative positions of the mask and the sensor to the other elements of the set-up are chosen to provide an essentially sharp image of the mask on the sensor. The advantage of the patent is the increased lateral resolution, accuracy and dynamic range. Le sujet de la présente invention concerne, d'une part, une installation de mesure de l'étude rapide, quantitative, topographique exempte de contact des plaquettes semi-conductrices et d'autres surfaces similaires à des miroirs. Ladite installation comprend une source de points (1), un miroir concave de collimation (4) produisant un faisceau parallèle et le dirigeant vers l'échantillon à étudier, un masque structuré (3) situé entre ladite source de points et le miroir concave, et un détecteur d'images (6) prenant le faisceau réfléchi de l'échantillon et du miroir concave. Ce détecteur d'images est connecté par le biais d'une interface adéquate (7) à un ordinateur (8) qui, d'une part, présente l'image prise par ledit détecteur sur un affichage (9) connecté à l'ordinateur, et d'autre part, il détermine la position de l'image des éléments du masque individuels, au moyen d'un algorithme approprié. Par ailleurs, l'objet de cette invention porte sur un procédé de mesure qui, à l'aide de l'installation susmentionnée et d'un algorithme adéquat, permet une étude rapide, quantitative, topographique exempte de
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The image sensor is connected through a suitable interface (7) to a computer (8), that, on one hand shows the image taken by the image sensor on a display (9) connected to the computer and, on the other hand, determines the position of the image of the individual mask elements by means of a suitable algorithm. On the other hand, the subject of the invention is a measurement procedure that by means of the above set-up and a suitable algorithm, provides a fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces. The substance of the invention is that the relative positions of the mask and the sensor to the other elements of the set-up are chosen to provide an essentially sharp image of the mask on the sensor. The advantage of the patent is the increased lateral resolution, accuracy and dynamic range. Le sujet de la présente invention concerne, d'une part, une installation de mesure de l'étude rapide, quantitative, topographique exempte de contact des plaquettes semi-conductrices et d'autres surfaces similaires à des miroirs. Ladite installation comprend une source de points (1), un miroir concave de collimation (4) produisant un faisceau parallèle et le dirigeant vers l'échantillon à étudier, un masque structuré (3) situé entre ladite source de points et le miroir concave, et un détecteur d'images (6) prenant le faisceau réfléchi de l'échantillon et du miroir concave. Ce détecteur d'images est connecté par le biais d'une interface adéquate (7) à un ordinateur (8) qui, d'une part, présente l'image prise par ledit détecteur sur un affichage (9) connecté à l'ordinateur, et d'autre part, il détermine la position de l'image des éléments du masque individuels, au moyen d'un algorithme approprié. Par ailleurs, l'objet de cette invention porte sur un procédé de mesure qui, à l'aide de l'installation susmentionnée et d'un algorithme adéquat, permet une étude rapide, quantitative, topographique exempte de contact, des plaquettes semi-conductrices et d'autres surfaces similaires à des miroirs. Selon cette invention, les positions relatives du masque et du détecteur par rapport aux autres éléments de l'installation sont choisies, de manière à produire une image très précise du masque sur le détecteur. L'avantage du procédé de cette invention est d'accroître la résolution latérale, la précision et la portée dynamique.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><creationdate>2003</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20030417&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=03031955A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20030417&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=03031955A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>RIESZ, FERENC</creatorcontrib><creatorcontrib>PFITZNER, LOTHAR</creatorcontrib><creatorcontrib>LUKACS, ISTVAN, ENDRE</creatorcontrib><creatorcontrib>MAKAI, JANOS</creatorcontrib><creatorcontrib>SZENTPALI, BELA</creatorcontrib><title>APPARATUS AND MEASUREMENT PROCEDURE FOR THE FAST, QUANTITATIVE, NON-CONTACT TOPOGRAPHIC INVESTIGATION OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND OTHER MIRROR LIKE SURFACES</title><description>The subject of the present invention is, on one hand, a measurement set-up for the fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces which, contains a point source (1), a collimating concave mirror (4) producting a parallel beam and directing the beam to the sample to be investigated, a structured mask (3) located between the point source and the concave mirror, and an image sensor (6) taking the beam reflected from the sample and the concave mirror. The image sensor is connected through a suitable interface (7) to a computer (8), that, on one hand shows the image taken by the image sensor on a display (9) connected to the computer and, on the other hand, determines the position of the image of the individual mask elements by means of a suitable algorithm. On the other hand, the subject of the invention is a measurement procedure that by means of the above set-up and a suitable algorithm, provides a fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces. The substance of the invention is that the relative positions of the mask and the sensor to the other elements of the set-up are chosen to provide an essentially sharp image of the mask on the sensor. The advantage of the patent is the increased lateral resolution, accuracy and dynamic range. Le sujet de la présente invention concerne, d'une part, une installation de mesure de l'étude rapide, quantitative, topographique exempte de contact des plaquettes semi-conductrices et d'autres surfaces similaires à des miroirs. Ladite installation comprend une source de points (1), un miroir concave de collimation (4) produisant un faisceau parallèle et le dirigeant vers l'échantillon à étudier, un masque structuré (3) situé entre ladite source de points et le miroir concave, et un détecteur d'images (6) prenant le faisceau réfléchi de l'échantillon et du miroir concave. Ce détecteur d'images est connecté par le biais d'une interface adéquate (7) à un ordinateur (8) qui, d'une part, présente l'image prise par ledit détecteur sur un affichage (9) connecté à l'ordinateur, et d'autre part, il détermine la position de l'image des éléments du masque individuels, au moyen d'un algorithme approprié. Par ailleurs, l'objet de cette invention porte sur un procédé de mesure qui, à l'aide de l'installation susmentionnée et d'un algorithme adéquat, permet une étude rapide, quantitative, topographique exempte de contact, des plaquettes semi-conductrices et d'autres surfaces similaires à des miroirs. Selon cette invention, les positions relatives du masque et du détecteur par rapport aux autres éléments de l'installation sont choisies, de manière à produire une image très précise du masque sur le détecteur. L'avantage du procédé de cette invention est d'accroître la résolution latérale, la précision et la portée dynamique.</description><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2003</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjrEKwkAQRNNYiPoPa6-QECwsl8ueOTS3594mliJyVqKCfo4f64F-gNUww2NmxsUbQ0BB7SOgb6AjjL1QR14hCBtqsgPLAtpmxagL2Pfo1SmqG2gBnv3SsFc0CsqBN4KhdQacHyiq22SMPbCFSJ3LYNMbzXUHtCTfTc7VAp0TyfnObQnyBYuG4rQYXU7XZ5r9dFLMLalpl-lxP6bn43ROt_Q6Hrisy7par1ZY1f8wH8MhRHg</recordid><startdate>20030417</startdate><enddate>20030417</enddate><creator>RIESZ, FERENC</creator><creator>PFITZNER, LOTHAR</creator><creator>LUKACS, ISTVAN, ENDRE</creator><creator>MAKAI, JANOS</creator><creator>SZENTPALI, BELA</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20030417</creationdate><title>APPARATUS AND MEASUREMENT PROCEDURE FOR THE FAST, QUANTITATIVE, NON-CONTACT TOPOGRAPHIC INVESTIGATION OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND OTHER MIRROR LIKE SURFACES</title><author>RIESZ, FERENC ; PFITZNER, LOTHAR ; LUKACS, ISTVAN, ENDRE ; MAKAI, JANOS ; SZENTPALI, BELA</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO03031955A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2003</creationdate><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>RIESZ, FERENC</creatorcontrib><creatorcontrib>PFITZNER, LOTHAR</creatorcontrib><creatorcontrib>LUKACS, ISTVAN, ENDRE</creatorcontrib><creatorcontrib>MAKAI, JANOS</creatorcontrib><creatorcontrib>SZENTPALI, BELA</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>RIESZ, FERENC</au><au>PFITZNER, LOTHAR</au><au>LUKACS, ISTVAN, ENDRE</au><au>MAKAI, JANOS</au><au>SZENTPALI, BELA</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>APPARATUS AND MEASUREMENT PROCEDURE FOR THE FAST, QUANTITATIVE, NON-CONTACT TOPOGRAPHIC INVESTIGATION OF SEMICONDUCTOR WAFERS AND OTHER MIRROR LIKE SURFACES</title><date>2003-04-17</date><risdate>2003</risdate><abstract>The subject of the present invention is, on one hand, a measurement set-up for the fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces which, contains a point source (1), a collimating concave mirror (4) producting a parallel beam and directing the beam to the sample to be investigated, a structured mask (3) located between the point source and the concave mirror, and an image sensor (6) taking the beam reflected from the sample and the concave mirror. The image sensor is connected through a suitable interface (7) to a computer (8), that, on one hand shows the image taken by the image sensor on a display (9) connected to the computer and, on the other hand, determines the position of the image of the individual mask elements by means of a suitable algorithm. On the other hand, the subject of the invention is a measurement procedure that by means of the above set-up and a suitable algorithm, provides a fast, quantitative, non-contact topographic investigation of semiconductor wafers and other mirror like surfaces. The substance of the invention is that the relative positions of the mask and the sensor to the other elements of the set-up are chosen to provide an essentially sharp image of the mask on the sensor. The advantage of the patent is the increased lateral resolution, accuracy and dynamic range. Le sujet de la présente invention concerne, d'une part, une installation de mesure de l'étude rapide, quantitative, topographique exempte de contact des plaquettes semi-conductrices et d'autres surfaces similaires à des miroirs. Ladite installation comprend une source de points (1), un miroir concave de collimation (4) produisant un faisceau parallèle et le dirigeant vers l'échantillon à étudier, un masque structuré (3) situé entre ladite source de points et le miroir concave, et un détecteur d'images (6) prenant le faisceau réfléchi de l'échantillon et du miroir concave. Ce détecteur d'images est connecté par le biais d'une interface adéquate (7) à un ordinateur (8) qui, d'une part, présente l'image prise par ledit détecteur sur un affichage (9) connecté à l'ordinateur, et d'autre part, il détermine la position de l'image des éléments du masque individuels, au moyen d'un algorithme approprié. Par ailleurs, l'objet de cette invention porte sur un procédé de mesure qui, à l'aide de l'installation susmentionnée et d'un algorithme adéquat, permet une étude rapide, quantitative, topographique exempte de contact, des plaquettes semi-conductrices et d'autres surfaces similaires à des miroirs. Selon cette invention, les positions relatives du masque et du détecteur par rapport aux autres éléments de l'installation sont choisies, de manière à produire une image très précise du masque sur le détecteur. L'avantage du procédé de cette invention est d'accroître la résolution latérale, la précision et la portée dynamique.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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