DEVICE FOR SUPPLYING GAS MIXTURES TO A CVD REACTOR
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem Zuleitungszweig (Z1) für ein Gasgemisch aus einem zerstäubten Medium (M1) und einem Trägergas (T) zu einem CVD-Reaktor (R). Der Zuleitungszweig (Z1) umfasst eine Zuleitung für das flüssige Medium (M1), eine Zuleitung für das Trägergas (T) und eine vo...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| creator | URSCHITZ, ROLF SKRABL, SILKE SCHOENHERR, HELMUT KOGLER, RUDOLF |
| description | Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem Zuleitungszweig (Z1) für ein Gasgemisch aus einem zerstäubten Medium (M1) und einem Trägergas (T) zu einem CVD-Reaktor (R). Der Zuleitungszweig (Z1) umfasst eine Zuleitung für das flüssige Medium (M1), eine Zuleitung für das Trägergas (T) und eine von den Zuleitungen gespeiste Aufbereitungseinheit zur Überführung des flüssigen Mediums (M1) mittels eines Einspritzventils (EV1) in den gasförmigen Zustand und zur Mischung des Mediums (M1) mit dem Trägergas (T). Die Zuleitungen weisen jeweils eine Durchflusssteuerungseinheit (DS11, DS12) auf.
The invention relates to a device comprising a supply line branch (Z1) for a gas mixture consisting of an atomized medium (M1) and a carrier gas (T) to a CVD reactor (R). The supply line branch (Z1) comprises a supply line for the liquid medium (M1), a supply line for the carrier gas (T) and a processing unit which is fed by the supply lines and is used to convert the liquid medium (M1) into a gaseous state using an injector valve (EV1) and to mix the medium (M1) with the carrier gas (T). The supply lines are respectively provided with a through flow control unit (DS11, DS12)
La présente invention concerne un dispositif comprenant une branche d'alimentation (Z1) destinée à un mélange gazeux composé d'une substance vaporisée (M1) et d'un gaz vecteur (T) et alimentant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) (R). La branche d'alimentation (Z1) comprend une conduite d'alimentation destinée à la substance liquide (M1), une conduite d'alimentation destinée au gaz vecteur (T) et une unité de préparation dans laquelle débouchent les conduites et destinée à l'alimentation en substance liquide (M1) au moyen d'une soupape d'injection (EV1) à l'état gazeux, et au mélange de la substance (M1) avec le gaz vecteur (T). les conduites présentent respectivement une unité de régulation de flux (DS11, DS12). |
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The invention relates to a device comprising a supply line branch (Z1) for a gas mixture consisting of an atomized medium (M1) and a carrier gas (T) to a CVD reactor (R). The supply line branch (Z1) comprises a supply line for the liquid medium (M1), a supply line for the carrier gas (T) and a processing unit which is fed by the supply lines and is used to convert the liquid medium (M1) into a gaseous state using an injector valve (EV1) and to mix the medium (M1) with the carrier gas (T). The supply lines are respectively provided with a through flow control unit (DS11, DS12)
La présente invention concerne un dispositif comprenant une branche d'alimentation (Z1) destinée à un mélange gazeux composé d'une substance vaporisée (M1) et d'un gaz vecteur (T) et alimentant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) (R). La branche d'alimentation (Z1) comprend une conduite d'alimentation destinée à la substance liquide (M1), une conduite d'alimentation destinée au gaz vecteur (T) et une unité de préparation dans laquelle débouchent les conduites et destinée à l'alimentation en substance liquide (M1) au moyen d'une soupape d'injection (EV1) à l'état gazeux, et au mélange de la substance (M1) avec le gaz vecteur (T). les conduites présentent respectivement une unité de régulation de flux (DS11, DS12).</description><edition>7</edition><language>eng ; fre ; ger</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2003</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20030530&DB=EPODOC&CC=WO&NR=03016590A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20030530&DB=EPODOC&CC=WO&NR=03016590A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>URSCHITZ, ROLF</creatorcontrib><creatorcontrib>SKRABL, SILKE</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHOENHERR, HELMUT</creatorcontrib><creatorcontrib>KOGLER, RUDOLF</creatorcontrib><title>DEVICE FOR SUPPLYING GAS MIXTURES TO A CVD REACTOR</title><description>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem Zuleitungszweig (Z1) für ein Gasgemisch aus einem zerstäubten Medium (M1) und einem Trägergas (T) zu einem CVD-Reaktor (R). Der Zuleitungszweig (Z1) umfasst eine Zuleitung für das flüssige Medium (M1), eine Zuleitung für das Trägergas (T) und eine von den Zuleitungen gespeiste Aufbereitungseinheit zur Überführung des flüssigen Mediums (M1) mittels eines Einspritzventils (EV1) in den gasförmigen Zustand und zur Mischung des Mediums (M1) mit dem Trägergas (T). Die Zuleitungen weisen jeweils eine Durchflusssteuerungseinheit (DS11, DS12) auf.
The invention relates to a device comprising a supply line branch (Z1) for a gas mixture consisting of an atomized medium (M1) and a carrier gas (T) to a CVD reactor (R). The supply line branch (Z1) comprises a supply line for the liquid medium (M1), a supply line for the carrier gas (T) and a processing unit which is fed by the supply lines and is used to convert the liquid medium (M1) into a gaseous state using an injector valve (EV1) and to mix the medium (M1) with the carrier gas (T). The supply lines are respectively provided with a through flow control unit (DS11, DS12)
La présente invention concerne un dispositif comprenant une branche d'alimentation (Z1) destinée à un mélange gazeux composé d'une substance vaporisée (M1) et d'un gaz vecteur (T) et alimentant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) (R). La branche d'alimentation (Z1) comprend une conduite d'alimentation destinée à la substance liquide (M1), une conduite d'alimentation destinée au gaz vecteur (T) et une unité de préparation dans laquelle débouchent les conduites et destinée à l'alimentation en substance liquide (M1) au moyen d'une soupape d'injection (EV1) à l'état gazeux, et au mélange de la substance (M1) avec le gaz vecteur (T). les conduites présentent respectivement une unité de régulation de flux (DS11, DS12).</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2003</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDBycQ3zdHZVcPMPUggODQjwifT0c1dwdwxW8PWMCAkNcg1WCPFXcFRwDnNRCHJ1dA7xD-JhYE1LzClO5YXS3AyKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_gbGBoZmppYGjsbGxKgBAGz3Jsg</recordid><startdate>20030530</startdate><enddate>20030530</enddate><creator>URSCHITZ, ROLF</creator><creator>SKRABL, SILKE</creator><creator>SCHOENHERR, HELMUT</creator><creator>KOGLER, RUDOLF</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20030530</creationdate><title>DEVICE FOR SUPPLYING GAS MIXTURES TO A CVD REACTOR</title><author>URSCHITZ, ROLF ; SKRABL, SILKE ; SCHOENHERR, HELMUT ; KOGLER, RUDOLF</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO03016590A33</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2003</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>URSCHITZ, ROLF</creatorcontrib><creatorcontrib>SKRABL, SILKE</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHOENHERR, HELMUT</creatorcontrib><creatorcontrib>KOGLER, RUDOLF</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>URSCHITZ, ROLF</au><au>SKRABL, SILKE</au><au>SCHOENHERR, HELMUT</au><au>KOGLER, RUDOLF</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEVICE FOR SUPPLYING GAS MIXTURES TO A CVD REACTOR</title><date>2003-05-30</date><risdate>2003</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem Zuleitungszweig (Z1) für ein Gasgemisch aus einem zerstäubten Medium (M1) und einem Trägergas (T) zu einem CVD-Reaktor (R). Der Zuleitungszweig (Z1) umfasst eine Zuleitung für das flüssige Medium (M1), eine Zuleitung für das Trägergas (T) und eine von den Zuleitungen gespeiste Aufbereitungseinheit zur Überführung des flüssigen Mediums (M1) mittels eines Einspritzventils (EV1) in den gasförmigen Zustand und zur Mischung des Mediums (M1) mit dem Trägergas (T). Die Zuleitungen weisen jeweils eine Durchflusssteuerungseinheit (DS11, DS12) auf.
The invention relates to a device comprising a supply line branch (Z1) for a gas mixture consisting of an atomized medium (M1) and a carrier gas (T) to a CVD reactor (R). The supply line branch (Z1) comprises a supply line for the liquid medium (M1), a supply line for the carrier gas (T) and a processing unit which is fed by the supply lines and is used to convert the liquid medium (M1) into a gaseous state using an injector valve (EV1) and to mix the medium (M1) with the carrier gas (T). The supply lines are respectively provided with a through flow control unit (DS11, DS12)
La présente invention concerne un dispositif comprenant une branche d'alimentation (Z1) destinée à un mélange gazeux composé d'une substance vaporisée (M1) et d'un gaz vecteur (T) et alimentant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) (R). La branche d'alimentation (Z1) comprend une conduite d'alimentation destinée à la substance liquide (M1), une conduite d'alimentation destinée au gaz vecteur (T) et une unité de préparation dans laquelle débouchent les conduites et destinée à l'alimentation en substance liquide (M1) au moyen d'une soupape d'injection (EV1) à l'état gazeux, et au mélange de la substance (M1) avec le gaz vecteur (T). les conduites présentent respectivement une unité de régulation de flux (DS11, DS12).</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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